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本發明公開了一種滴管組件、噴頭裝置和顯影機，該滴管組件包括連接有驅動組件的滴管本體；滴管本體的頂端和驅動組件鉸接連接；滴管本體包括用于容置液態材料的柱狀管；柱狀管的頂端和輸送管道連通，底端連接有滴嘴；柱狀管的上區段設置有排氣口，排氣口上...

本發明提供一種像素單元結構及其制備方法，所述像素單元結構包括P型阱區；形成于P型阱區中且沿第一方向設置的N型溝道埋層及P型溝道阻止層；設于N型溝道埋層上且沿第二方向依次設置的寄存器柵極及輸出收集柵極；第一N型摻雜區，設于寄存器柵極下方的...

本發明公開了一種用于缺陷檢測的標準片，涉及半導體器件技術領域，圖形薄膜層包括多個晶粒區域，多個晶粒區域包括呈陣列分布的多個檢測陣列，檢測陣列包括呈陣列分布的多個檢測單元；檢測單元包括不具有缺陷的標準單元和具有缺陷的缺陷單元，缺陷單元為以...

本技術提供一種電鍍邊緣控制裝置，裝置包括擴散器、導流葉片和驅動組件，通過驅動組件驅使導流葉片在擴散器的流通部上的移動，可以通過導流葉片從邊緣到中心的方向封蓋部分流通部，或者從中心到邊緣的方向打開部分流通部，從而調整電鍍液通過流通部的流量...

本發明提供了一種阻變存儲器的測試方法，包括：對阻變存儲器的儲存單元依次執行初值讀取操作及激活操作，判斷存儲單元是否激活，若是，輸出存儲單元的電阻初始值、激活電壓及激活電阻；對存儲單元執行置位操作及復位操作，判斷存儲單元是否能置位及復位，...

本發明提供一種時間延遲積分圖像傳感器，時間延遲積分圖像傳感器包括有效TDI陣列、多個參考TDI陣列和圖像處理單元，有效TDI陣列包括多個有效TDI子陣列,每個有效TDI子陣列均對應一個參考TDI陣列，且每個參考TDI子陣列的輸出端均與相...

本申請提供一種半導體器件單元結構建模方法、裝置、設備及存儲介質，屬于數據處理技術領域。半導體器件單元結構包括第一半導體器件及第二半導體器件，第一半導體器件與第二半導體器件連接，且都是金屬氧化物半導體場效應管；包括：獲取第一半導體器件及第...

本發明公開了一種硅基鍺外延窗口結構的制備方法及半導體器件，方法包括：在SOI的頂層硅層的裸露表面上形成第一溝槽；在所述頂層硅層的裸露表面上形成介質層，并將所述第一溝槽填滿；在所述介質層的表面上形成第二溝槽，并使所述第二溝槽的底部嵌套于所...

本申請提供一種半導體器件的建模方法、裝置、設備、介質及程序產品，涉及半導體科技領域。該建模方法包括：通過創建本征晶體管對應的第一局部波動模型和第一全局波動模型，以及確定半導體器件寄生網絡中待建模的目標寄生元素，并得到目標寄生元素的射頻特...

本發明公開了一種相變存儲單元形成方法及相變存儲單元，包括在存儲區域形成自下而上依次相連的底電極、相變單元、保護層和刻蝕阻擋層，在外圍區域形成底部接觸結構，使底部接觸結構和底電極上方覆蓋有刻蝕停止層，并使相變單元位于刻蝕停止層上方；在刻蝕...

本發明公開了一種相變存儲單元及制備方法，方法包括：在第一介質層中形成加熱電極；在第一介質層的表面上形成凸臺結構，使加熱電極的頂部位于凸臺結構中；在第一介質層的表面上形成黏附層，將凸臺結構覆蓋，并通過平坦化，使加熱電極的頂部露出；在黏附層...

本發明公開了一種SOI硅片制備方法及SOI硅片，制備方法包括：提供作為襯底硅層的第一硅片；在所述第一硅片的第一表面上形成第一厚度的墊層；在所述墊層的表面上形成第二厚度的掩膜層；以所述掩膜層為掩膜，在所述第一硅片相對第一表面的第二表面上形...

本申請涉及一種圖像傳感器及電子設備。該圖像傳感器，包括：圖像傳感芯片、重布線基板與圖像處理芯片；重布線基板位于圖像傳感芯片上，圖像處理芯片位于重布線基板遠離圖像傳感芯片的一側；重布線基板包括重布線層，圖像傳感芯片經重布線層與圖像處理芯片...

本發明公開了一種激光器結構及制備方法，激光器結構包括：設于襯底表面上的半導體功能層；所述半導體功能層的表面上設有網格狀結構，所述網格狀結構貫通所述半導體功能層，與下方所述襯底表面上設有的空腔相連通，使所述網格狀結構懸設于所述空腔上，所述...

本發明公開了一種光電探測器件及制備方法，光電探測器件包括：設于SOI襯底上的鍺薄膜層和二氧化硅介質層，所述二氧化硅介質層將所述鍺薄膜層覆蓋；設于所述鍺薄膜層與所述二氧化硅介質層界面間的氧化鈹界面鈍化層，與所述氧化鈹界面鈍化層接觸處的所述...

本發明公開了一種電光調制器結構制備方法，包括：提供表面具有波導功能層的襯底；在所述波導功能層的表面上形成兩個所述波導功能層的局部材料氧化區，使兩個所述氧化區相分離，且部分進入所述波導功能層中，以形成由所述波導功能層材料形成的具有光滑邊界...

本發明公開了一種多模干涉儀，包括包覆于介質層中的本體波導、進光口波導組件和出光口波導組件；進光口波導組件包括相互分離的第一進光口波導和第二進光口波導，出光口波導組件包括相互分離的第一出光口波導和第二出光口波導；第一進光口波導和第一出光口...

本發明公開了一種熱光相移器的仿真方法，包括：獲取仿真區域的三維熱場；沿光傳播方向將仿真區域分為多個子區域；對每個子區域中的三維熱場沿光傳播方向取平均，得到與每個子區域對應的二維熱場；進行二維光場仿真，獲得每個二維熱場對應的子相移；加和所...

本發明公開了一種襯底吸附狀態探測裝置，包括：頂出結構，彈性設于吸盤的表面上，所述頂出結構用于彈性支撐襯底，并在處于空載、載有所述襯底和所述襯底被所述吸盤吸附三種狀態時，具有位置依次降低的不同高度；檢測模塊，設于所述吸盤上，所述檢測模塊用...

本發明公開了一種熱光相移器及制作方法，熱光相移器包括：設于介質層中的波導；設于所述波導側面外的所述介質層中的空腔；設于所述空腔中的導熱電極，所述導熱電極包括懸設于所述空腔中的第一導熱電極；其中，第一狀態時，所述第一導熱電極與所述空腔的側...