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本發(fā)明提供了一種具有不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)的晶體管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半導(dǎo)體層和位于所述第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；形成覆蓋部分所述第二半導(dǎo)體層的第一掩膜結(jié)構(gòu)，在所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的第一側(cè)形成第二掩膜結(jié)構(gòu)；對(duì)所述第一掩...該專(zhuān)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司授權(quán)不得商用。