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    華威大學專利技術

    華威大學共有35項專利

    • 公開了一種橫向碳化硅功率半導體器件(31;101;141;161;181)。該器件包括襯底(102)和設置在襯底上并且具有主表面(106)的碳化硅半導體結構(105)。半導體結構包括設置在襯底上的第一導電類型的層(107)和與第一導電類...
    • 公開用于顆粒感測的裝置(1)。裝置包括傳感器(2),傳感器(2)包括具有諧振頻率的體聲波諧振器(4)、布置為支撐諧振器的聲學鏡(5)以及與諧振器熱連通以使得諧振器溫度基于加熱器溫度的加熱器(9)。裝置還包括連接到傳感器的電路(3)。電路...
    • 用于電化學裝置的固體離子傳導材料包含源自具有鈣鈦礦、鈣鐵石、層狀氧化物和/或K4CdCl6結構的氧化物的羥基氧化物或水合氧化物,初始氧化物的元素組成被選擇為向衍生的無水或水合羥基氧化物或水合氧化物提供合適的傳導特性。還公開了一種制備這種...
    • 本發明尤其提供了一種生產低分子量分散劑聚甲基丙烯酸酯聚合物(“LMWDPMA”)的方法和LMWDPMA本身、以及LMWDPMA在潤滑組合物中的用途、以及用于潤滑內燃機的方法,如本文所公開。如本文所公開。
    • 本申請提供了一種用于將硼摻雜金剛石電極表面上的碳區改性的方法,所述方法包括:將硼摻雜金剛石電極表面放入水溶液中,其中所述水溶液包含離子處理溶液;在所述硼摻雜金剛石電極表面上施加電壓差;和將所述硼摻雜金剛石電極表面的區域上的碳區改性,其中...
    • 確定受試者是否患有輕度認知障礙(MCI)或阿爾茨海默病的方法,該方法包括測量受試者呼出樣本中的一種或多種VOC的濃度,并將該濃度與參考濃度I進行比較。與參考濃度I進行比較。與參考濃度I進行比較。
    • 用于確認受試者不患有B族鏈球菌(GBS)感染的篩查方法,該方法包括:確定取自受試者的生殖器粘膜的樣本中是否不存在GBS
    • 一種由以下通式(1)表示的化合物,例如二胺配體:其中每個
    • 公開一種活動細胞分選裝置。該裝置包括腔室(4)、與該腔室流體連通的入口(5)和出口(6)以及設置在該腔室中的多個分立阻隔件(8)。每個分立阻隔件包括至少一個壁部(15、16)和至少一個朝向出口的銳角邊緣(17)。一個朝向出口的銳角邊緣(...
    • 本發明提供了光桿狀菌毒力盒(PVC)效應子前導序列的用途,用于將有效載荷包裝到PVC針狀復合物中,以及用于制造包裝的PVC針狀復合物的相關方法。有效載荷是選自多肽、核酸或其組合的一種或多種,并且前導序列和有效載荷形成不同于野生型PVC效...
    • 一個實施方案提供了一種用于測量含水樣品中的pH的裝置,所述裝置包括:包括第一碳區域的至少一個測量電極(400),其中所述碳區域包括單個pH敏感的碳區域,其中所述測量電極的單個pH敏感的碳區域是硼摻雜金剛石基pH電極的sp2碳區域(402...
    • 公開了一種基于缺陷中心的傳感器。所述傳感器包括:儀器,所述儀器包括發生器(18),所述發生器用于在有源元件例如金剛石中引起激發;和檢測器(20),所述檢測器用于測量所述有源元件中的躍遷。所述發生器是光源和/或所述檢測器是光檢測器。所述傳...
    • 本發明涉及用于真核細胞中基因組工程化的方法和材料,并且特別涉及經由遞送一個或多個RKD2和RKD4基因以及基因組工程化組分來提高基因組工程化(即轉化或基因組編輯)效率的方法。方法。方法。
    • 用于催化哈伯
    • 本發明提供了一種通過分離收率和產物分布來進行測量的擬肽大環化的改進方法,所述方法包括用轉變誘導性基序取代主鏈酰胺C=O鍵中的一個或多個酰胺C=O鍵。所述方法是通用的,其中在一系列環大小(例如,三肽、四肽、五肽和六肽)上均可以見到增強。具...
    • 公開了一種超聲夾持式流量計。該流量計包括成型的耦合元件。
    • 一種進行質譜分析的方法,包括:使用靜電或電動離子阱來容納多個離子,每個離子具有質荷比,離子具有第一多個質荷比,每個離子沿著具有半徑的靜電或電動離子阱內的路徑;并且對于第二多個質荷比中的每一個:依賴于質荷比,以質荷比依賴性方式調整離子半徑...
    • 本發明涉及評估胚胎的生存力的方法,其中所述方法包括以下步驟:測量培養基樣品中選自TMPRSS2或PRSS8的蛋白質標志物的水平和/或活性,其中所述樣品從通過體外受精產生的胚胎的體外培養基獲得,其中所述蛋白質標志物的水平和/或活性指示所述...
    • 在單晶硅上生長外延3C?SiC
      公開了一種用于在單晶硅上生長外延3C?SiC的方法。該方法包括在冷壁化學氣相沉積反應器(7)中提供單晶硅基板(2),將基板加熱到大于或等于700℃且小于或等于1200℃的溫度,當基板處于所述溫度時,將氣體混合物(41)引入反應器中,所述...
    • 功率半導體器件
      描述了功率半導體器件。所述器件包括碳化硅襯底(2)以及具有不大于5μm的厚度tsi的單晶硅層(3),單晶硅層(3)直接設置在所述襯底上或直接設置在具有不大于100nm的厚度的界面層(22;圖2)上的,所述界面層直接設置在所述襯底上。所述...
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