本發明提供了一種空心碳納米球復合催化劑及其制備方法和應用，該復合催化劑的制備方法，包括以下步驟：制備碳空心球；將Pt前驅物、乙酰丙酮金屬化合物，加入至醇溶劑中，然后再加入碳空心球混合均勻后，得到混合粉末；將混合粉末置于管式爐中在還原氣體...

本發明公開了一種耐高溫水系鋅離子電池電解液及其制備方法和應用，屬于電化學技術領域。本發明的耐高溫水系鋅離子電池電解液，包括A組分、B組分、C組分、D組分和水溶性鋅鹽；A組分為腈類溶劑；B組分為亞砜類溶劑和/或酰胺類溶劑；C組分為溶劑水；...

本公開實施例公開了一種鍵合系統和鍵合方法。所述鍵合系統包括：鍵合組件，包括：用于拾取第一待鍵合管芯的鍵合頭，以及貫穿所述鍵合頭的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述鍵合頭拾取所述第一待鍵合管芯的拾取面；第一對準組件，用于在所...

本公開實施例公開了一種鍵合系統和鍵合補償方法。所述鍵合補償方法包括：確定拾取的第一管芯的當前位置與第一目標位置之間的第一偏差值；確定晶圓上的第二管芯的當前位置與第二目標位置之間的第二偏差值；根據所述第一偏差值和所述第二偏差值，移動所述晶...

本公開實施例公開了一種鍵合系統和鍵合方法。鍵合系統包括：鍵合組件，包括：鍵合頭以及貫穿鍵合頭的第一光通路；第一對準組件，用于在鍵合頭位于第一位置時，確定拾取面相較于水平面的偏移量；鍵合組件，還用于根據偏移量，驅動鍵合頭移動至平行于水平面...

本公開實施例公開了一種鍵合系統和鍵合方法。所述鍵合系統包括：鍵合組件、晶圓承載臺、第一對準組件和第二對準組件；晶圓承載臺，用于根據第一對準組件確定的第一偏差值和第二對準組件確定的第二偏差值，驅動承載的晶圓移動，以使第二管芯對準第一管芯；...

本發明提供了一種晶圓的切割方法，包括：提供一晶圓，所述晶圓包括襯底和形成于所述襯底上的介質層，所述介質層內形成有切割道，所述切割道內形成有用于晶圓可接收度測試的金屬焊盤；去除所述切割道內的金屬焊盤；在所述介質層上形成混合鍵合層；沿所述切...

本發明提供了一種芯片堆疊結構的連接方法，包括：提供一基板；將至少兩個芯片堆疊結構固定在所述基板上，相鄰的兩個芯片堆疊結構之間具有間隙，每個芯片堆疊結構包括堆疊設置的多層芯片，每層芯片包括襯底、形成于所述襯底上焊盤以及覆蓋所述襯底和所述焊...

本發明提供一種晶圓的切割方法，包括：提供一待切割晶圓，所述待切割晶圓具有相對設置的混合鍵合表面和背面，以及連接所述混合鍵合表面和背面的側壁，待切割晶圓包括多個待混合鍵合芯片以及位于相鄰待混合鍵合芯片之間的切割道；將待切割晶圓的混合鍵合表...

本發明提供一種鍵合表面的金屬氧化物的清潔方法，通過在等離子體活化腔室中執行活化工藝的同時還執行了還原工藝，沒有增加額外的等離子體反應腔室及工藝步驟，從而沒有增加工藝所需設備及成本；等離子體活化腔室中激發氫氣和氮氣的混合氣體成為等離子體，...

本發明提供了一種晶圓切割方法，包括：提供器件晶圓；采用第一激光切割工藝沿所述器件晶圓的正面向下開槽，以在所述器件晶圓的正面形成第一凹槽；去除形成所述第一凹槽時的殘留物；將所述器件晶圓的正面和一載片進行臨時鍵合；以及，采用等離子體切割工藝...

本發明提供了一種基于1S1R的邏輯運算單元及運算方法，屬于存儲器存內計算技術領域；現有技術中存內計算單元結構復雜和運行穩定性不足；本發明提供了一種基于1S1R的邏輯運算單元，從下至上依次包括底電極層、選通管層、阻變存儲器層和頂電極層，其...

本發明提供了一種晶圓清洗機構，用于對晶圓進行清洗，所述晶圓的表面貼附有承載膜，包括：繃膜環、清洗槽及清洗支架；其中，所述清洗支架用于固定所述繃膜環，所述清洗槽位于所述繃膜環下方，所述承載膜貼附于所述繃膜環上，所述晶圓位于所述繃膜環的內環...