本發(fā)明公開了一種重復使用的半導體基底，利用在原來基底本體的基礎上添加緩沖層和保護層整體作為新的半導體基底使用，可有效的保護基底本體，減少基底本體上的缺陷，縮小基底本體的表面去除量，提高重復使用次數(shù)。同時本發(fā)明又提供一種操作方便可行的對半...

本發(fā)明公開了一種薄膜LED外延芯片的制造方法，包括提供一個基底、在基底上形成犧牲層；在犧牲層上形成外延層；在外延層上形成若干個有效金屬體，各有效金屬體之間存在刻蝕間隙；以各有效金屬體作為掩膜，縱向刻蝕處于刻蝕間隙中的外延層直至露出犧牲層...