本發明是針對采用氣相沉積方法制備材料的設備，此設備可用于多晶塊體材料的生長。特別地采用該設備可制備出以硒化鋅為基底、表面涂有硫化鋅的塊體復合材料。制備硒化鋅/硫化鋅復合光學材料的設備包括爐，與控制面板、真空系統、水冷系統以及動力變壓器相...

本發明屬于光學材料工藝領域，是一種獲取多晶體光學材料的方法。具體是獲取ZnSe/ZnS光學基元的方法。本方法是：以真空提純的方式，在硒化鋅襯底表面沉積硫化鋅，在坩堝內對硫化鋅粉體進行預煅燒，時間1.5～3h，溫度高于沉積溫度20～50℃...

本發明屬于光學介質工藝領域，即獲得多晶體光學材料的方法，具體是獲取多晶體光學硒化鋅的方法。這種制備多晶體光學硒化鋅的方法主要它包括原料的加熱和蒸發，蒸汽冷凝到加熱的襯底上，原材料是在1050-1150℃溫度下進行蒸發的，而蒸汽冷凝到襯底...