本發明公開了一種高純度大尺寸碳化硅單晶及其制備工藝，屬于材料科學與技術領域。本發明是以高純SiC粉為原料，按照最大密度堆積原則，使不同粒徑SiC粉料達到合理的顆粒級配，得到最大的裝料密度；然后裝入超高功率的立式電弧爐中，在高溫、高壓下進...

本發明公開了一種礦物加熱電纜用氧化鎂絕緣預制管棒的制備方法，該方法首先將氧化鎂粉和二氧化硅粉按照100:（0.5～2）的重量比例混合后干法球磨得到混合粉末；然后將混合粉末與粘結劑、增塑劑、潤滑劑按照100:（5~15）:（1~3）:（1...