本發(fā)明提供一種不用ＬＯＣＯＳ工藝形成場(chǎng)氧化層的方法。據(jù)此，本發(fā)明特別有效地增加有源區(qū)，改善半導(dǎo)體器件的集成度和防止鳥嘴發(fā)生。而且由于本發(fā)明場(chǎng)氧化層的寬度與絕緣層側(cè)壁上的墊的寬度相同，從而使場(chǎng)氧化層的面積可以減至最小。

一種用于在高集成度半導(dǎo)體器件中形成與下導(dǎo)電層接觸的上金屬布線的方法。此方法包括在下絕緣層上形成金屬布線，在絕緣層上形成一接觸孔以暴露出下導(dǎo)電層，以及在接觸孔中生長(zhǎng)金屬層以填滿此接觸孔等步驟，從而金屬布線層可與下導(dǎo)電層相接觸。

一種形成具有兩層多晶硅層和一層鎢硅化物層的柵極電極的方法，以防止氟氣沿晶界擴(kuò)散滲入柵極氧化物膜。該方法包括在硅襯底上順序形成柵極氧化物膜和第一多晶硅層，通過熱處理增大第一多晶硅層的晶粒，引入試劑氣體ＳｉＨ↓［４］或Ｓｉ↓［２］Ｈ↓［６］...

一種自舉器件，包括用于一信號(hào)傳輸?shù)牡冢保危停希泳w管和被連接在第１ＮＭＯＳ晶體管的柵極和一地址譯碼器電路之間的第２ＮＭＯＳ晶體管。該第２ＮＭＯＳ晶體管在它的柵極被提供有一源極電壓，其中該第２ＮＭＯＳ晶體管包括，在一半導(dǎo)體基片的要求部分形...

公開了一種制造ＭＯＳＦＥＴ的方法，其包括下列步驟，在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧化層；在所述柵氧化層上淀積本征半導(dǎo)體層；在所述本征半導(dǎo)體層上形成摻雜半導(dǎo)體層所述本征半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體進(jìn)行退火處理，把所述摻雜半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)擴(kuò)散到本征半導(dǎo)體層中...

本發(fā)明披露的制備電荷儲(chǔ)存電極的方法包含的步驟有：制備一個(gè)通過接觸孔使有源區(qū)暴露出來的基片；在接觸孔中充滿含氧的非晶硅層；熱處理此非晶硅層，使非晶硅層結(jié)晶成多孔多晶硅層，并在多孔多晶硅層間產(chǎn)生含氧副產(chǎn)物；以及對(duì)含氧的副產(chǎn)物施行一種濕蝕工藝...

該發(fā)明涉及一種制造晶體管的方法，通過在硅基片上形成Ｎ↑［＋］區(qū)來抑制短溝道效應(yīng)，和在制造Ｐ型晶體管時(shí)，利用硼硅玻璃（ＢＳＧ）在Ｎ↑［＋］區(qū)形成Ｐ↑［－－］層，該方法能形成淺結(jié)深的結(jié)，并實(shí)現(xiàn)高跨導(dǎo)。

提供一種分析半導(dǎo)體器件的缺陷的方法，以便鑒定在制造工藝過程進(jìn)行中產(chǎn)生的缺陷是否導(dǎo)致器件工作時(shí)的電氣故障、以及鑒定引起電器故障的缺陷產(chǎn)生在哪一個(gè)工藝步驟中，該方法包括以下步驟：測(cè)量在每個(gè)工藝步驟中產(chǎn)生的實(shí)際缺陷的位置；將所述實(shí)際缺陷的位置...

根據(jù)本發(fā)明的拼合型快速ＥＥＰＲＯＭ單元當(dāng)對(duì)以厚的絕緣膜將隧穿區(qū)與溝道隔開的結(jié)構(gòu)施加高電壓進(jìn)行編程和擦去時(shí)，可以防止因帶－帶隧穿和由結(jié)區(qū)與柵電極之間的重疊區(qū)所形成的強(qiáng)電場(chǎng)而產(chǎn)生的二次熱載流子所導(dǎo)致的單元隧道氧化膜的退化。

本發(fā)明提供一種在硅襯底上形成低薄層電阻結(jié)的方法，該方法包括以下步驟：在所說硅襯底上形成非晶硅層；將雜質(zhì)離子注入所說非晶硅層；將過渡金屬離子注入所說非晶硅層；熱處理所說非晶硅層和硅襯底，使過渡金屬離子擴(kuò)散到所說硅襯底的表面，使所說雜質(zhì)離子...

一種制造具有電容器的高集成的半導(dǎo)體器件方法，該電容器具有由高介電常數(shù)薄膜構(gòu)成的介質(zhì)膜，該方法包括：在高溫下在已形成有氧化膜的晶片上形成下電極，及在真空下將所得晶片退火，以使下電極具有致密而平滑，可使后續(xù)的工藝步驟容易實(shí)施。還可實(shí)現(xiàn)這種半...

本發(fā)明的掩模ＲＯＭ是按下列工藝制造的：形成其中所有單元都作為導(dǎo)通單元被驅(qū)動(dòng)的單元陣列；通過腐蝕特定單元漏區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體基片的某些部分，根據(jù)用戶的要求，形成凹槽；然后實(shí)施源／漏離子注入工藝。

根據(jù)本發(fā)明的Ｓｐｌｉｔ柵型快速ＥＥＰＲＯＭ單元，利用一加到用厚絕緣膜將隧道區(qū)與溝道隔離的結(jié)構(gòu)上的高電壓，執(zhí)行編程和擦除操作，此時(shí)該單元能防止結(jié)區(qū)和柵極間的層疊區(qū)的強(qiáng)電場(chǎng)引發(fā)的帶間隧穿和二次熱載流子所導(dǎo)致的單元的隧道氧化膜的減薄。

一種制造半導(dǎo)體元件互連器件的方法，該器件連接在半導(dǎo)體襯底上形成的各雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，每一雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)有不同的電導(dǎo)電率。該方法包括，在半導(dǎo)體襯底上形成第１導(dǎo)電類型的阱和第２導(dǎo)電類型的阱，在第２導(dǎo)電類型阱形成不相互接觸的第１導(dǎo)電類型雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)，在第...

本發(fā)明揭示在通路孔內(nèi)形成一個(gè)鎢插頭的一個(gè)方法，在包含有通路孔的絕緣膜上順序形成一個(gè)阻擋金屬層和一個(gè)鎢層，在通路孔上邊的鎢層上形成一個(gè)光致抗蝕劑保護(hù)層它的大小足夠覆蓋通路孔，用光致抗蝕劑作蝕刻保護(hù)層順序用各向同性蝕刻工藝和各向異性蝕刻工藝...

一種用于形成半導(dǎo)體器件的雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法，其中淺的雜質(zhì)結(jié)區(qū)通過注入大分子量的雜質(zhì)離子在半導(dǎo)體襯底中選擇性地形成缺陷區(qū)和無定型區(qū)加以形成，從而可改善半導(dǎo)體器件的特性。該方法包括二次光刻，三次離子注入以便分別形成缺陷區(qū)、無定型區(qū)和雜質(zhì)結(jié)區(qū)等步驟。

本發(fā)明揭示了一個(gè)半導(dǎo)體器件的制造方法，特別是形成場(chǎng)區(qū)隔離的一種方法，場(chǎng)氧化膜周圍的有源區(qū)的一部分用與象溝道截?cái)嚯s質(zhì)離子一樣的雜質(zhì)重?fù)诫s的，所以，它把由場(chǎng)氧化的高溫產(chǎn)生的低雜質(zhì)溝道截?cái)鄥^(qū)轉(zhuǎn)變成高雜質(zhì)溝道截?cái)鄥^(qū)，以防止器件使用時(shí)出現(xiàn)場(chǎng)區(qū)反型。

本發(fā)明涉及一種方法，在形成旋涂玻璃膜后，利用等離子進(jìn)行后續(xù)處理，則降低了旋涂玻璃膜吸濕能力。

披露了一種形成半導(dǎo)體器件中的金屬間絕緣層的方法，它不僅具有優(yōu)良的附著性和均勻的臺(tái)階覆蓋，而且能防止由于濕氣的透入而形成空隙。按照這種方法，首先在半導(dǎo)體襯底上形成金屬互連。然后，通過使預(yù)定量的四乙基原硅酸鹽（ＴＥＯＳ）氣體和預(yù)定濃度的Ｏ↓...

本發(fā)明公開一種能提高成品率和可靠性的半導(dǎo)體器件的金屬互連的方法，包括于先形成有源區(qū)再形成絕緣層的半導(dǎo)體襯底的預(yù)定部位處形成接觸孔；用化學(xué)汽相淀積法在接觸孔和絕緣層上依次淀積具有預(yù)定厚度的鈦和氮化鈦層；在Ｎ↓［２］氣氛中進(jìn)行熱退火。最后，...