本發(fā)明屬于磁通門(mén)傳感器技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明涉及一種用于探針式閉環(huán)磁通門(mén)傳感器的新型磁芯及線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括環(huán)形磁芯的主磁芯、嵌于主磁芯上的磁探針部件以及繞制于主磁芯上的補(bǔ)償線(xiàn)圈。主磁芯采用成本較低的鐵氧體材質(zhì)，磁探針部件由磁探針骨架、磁帶...

本發(fā)明涉及電流檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于閉環(huán)霍爾原理的拉弧檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法。該裝置包括霍爾元件、補(bǔ)償線(xiàn)圈、采樣電阻、電容、運(yùn)算放大器AP1、運(yùn)算放大器AP2、運(yùn)算放大器AP3以及開(kāi)關(guān)控制模塊。本發(fā)明的檢測(cè)方法包括利用補(bǔ)償線(xiàn)圈傳遞...

本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于汽車(chē)充電樁的多功能保護(hù)模塊。該模塊旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中交流充電樁存在的安全性問(wèn)題、成本高、研發(fā)周期長(zhǎng)等不足，通過(guò)集成化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)降本增效。該模塊包括斷路器單元、漏電檢測(cè)單元、電能計(jì)量單元、系統(tǒng)溫度檢...

本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的過(guò)溫保護(hù)電路，包括nmos管MNO、nmos管MN1、nmos管MN2、nmos管MN4、nmos管MN5、nmos管MN6、nmos管MN7、nmos管MN8、pmos管MP1、pmo...

本申請(qǐng)涉及繼電器結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域，尤其是涉及一種固態(tài)繼電器，包括產(chǎn)生偏置電流和偏置電壓的偏置模塊、利用偏置電流產(chǎn)生高頻載波的振蕩模塊、用于信號(hào)耦合的變壓模塊、將變壓模塊輸出電壓進(jìn)行升壓的升壓模塊、柵極連接于升壓模塊并實(shí)現(xiàn)電路斷開(kāi)或?qū)ǖ膬蓚€(gè)晶...

本發(fā)明屬于脈沖變壓器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于同時(shí)傳遞信號(hào)與能量的低功耗調(diào)制方法，包括時(shí)鐘部分、信號(hào)采樣部分和調(diào)制部分。時(shí)鐘部分包括可調(diào)占空比低頻振蕩器和受控高頻振蕩器，信號(hào)采樣部分包括觸發(fā)器，調(diào)制部分包括分頻及相位分離邏輯電路、組合...

本發(fā)明屬于芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種生成固定頻率且占空比可調(diào)的振蕩電路，包括包括充放電部分、RDAC部分和高速比較部分；其中，充放電部分用于充放電，并包括PMOS管和NMOS管；RDAC部分用于控制電阻的大小以及控制充放電電流的大小，并...

本發(fā)明涉及用于隔離開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)控制領(lǐng)域，它涉及一種用于隔離開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)控制的解調(diào)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法，對(duì)輸入的調(diào)制信號(hào)進(jìn)行波形整形，將其轉(zhuǎn)換為高頻方波信號(hào)，通過(guò)低通濾波器濾除高頻成分，得到穩(wěn)定的數(shù)字信號(hào)，對(duì)包含邏輯跳變的調(diào)制信號(hào)進(jìn)行延時(shí)處理，以確保...

本發(fā)明公開(kāi)了一種高速單通道數(shù)字隔離芯片，涉及數(shù)字隔離器，旨在提供一種抗電磁干擾能力強(qiáng)、輸出信號(hào)穩(wěn)定的高速單通道數(shù)字隔離芯片，包括接收端RX電路包括OSC振蕩器和至少兩個(gè)電容，其中，OSC振蕩器用于控制接收端RX電路內(nèi)掛載的電容數(shù)目，產(chǎn)生...

本發(fā)明屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種模擬光耦的實(shí)現(xiàn)方法，包括模擬光耦仿真器電路，模擬光耦仿真器電路上設(shè)有LC振蕩器、TX端的boost電路、隔離變壓器、RX的boost電路、耐高壓開(kāi)漏NMOS輸出電路和壓控三角波發(fā)生電路，先通過(guò)LC...

本發(fā)明涉及光耦合器的技術(shù)領(lǐng)域，它涉及一種光耦仿真器，包括發(fā)送模塊、隔離變壓器和接收模塊，發(fā)送模塊用于接收輸入信號(hào)并生成高頻載波信號(hào)，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行OOK調(diào)制，隔離變壓器連接于發(fā)送端電路與接收端電路之間，且通過(guò)絕緣介質(zhì)實(shí)現(xiàn)電氣隔離和信號(hào)傳...

本申請(qǐng)涉及電流檢測(cè)的領(lǐng)域，尤其是涉及一種CMOS磁通門(mén)傳感器，包括依據(jù)待測(cè)電流通過(guò)的電纜所產(chǎn)生的的磁場(chǎng)以產(chǎn)生相應(yīng)的磁場(chǎng)以使得磁通量趨向?yàn)榱愕碾姼芯€(xiàn)圈，電感線(xiàn)圈兩端一一對(duì)應(yīng)連接有將電壓放大的驅(qū)動(dòng)管和將調(diào)換后電壓傳輸至驅(qū)動(dòng)管的傳輸管，驅(qū)動(dòng)管...

本發(fā)明涉及升壓電路的技術(shù)領(lǐng)域，它涉及一種可層疊的整流升壓電路結(jié)構(gòu)，包括輸入信號(hào)源和升壓電路單元，升壓電路單元由至少兩個(gè)層疊的升壓?jiǎn)卧M成，每個(gè)升壓?jiǎn)卧ǘO管、儲(chǔ)能電容、MOS器件和限流電阻，每層升壓?jiǎn)卧妮敵龆伺c下一層升壓?jiǎn)卧妮斎?..

本發(fā)明屬于信號(hào)處理電路領(lǐng)域，尤其涉及一種消除閉環(huán)傳感器電路的失調(diào)及失調(diào)漂移的方法，包括帶旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)的霍爾盤(pán)、放大器、開(kāi)關(guān)電容積分器、濾波器、儀表放大器、功率放大器、補(bǔ)償線(xiàn)圈和檢測(cè)電阻，不需要考慮環(huán)路中任何環(huán)節(jié)對(duì)失調(diào)和失調(diào)漂移的貢獻(xiàn)，只需要...

本發(fā)明屬于電子測(cè)試測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，它涉及一種基于低電容放大器的溫補(bǔ)晶振穩(wěn)定性?xún)?yōu)化系統(tǒng)，其校準(zhǔn)對(duì)象為溫度補(bǔ)償晶體振蕩器；系統(tǒng)包括電源、低電容放大器、通用測(cè)量?jī)x器系統(tǒng)、工控機(jī)；電源，用于對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的供能；通用測(cè)量?jī)x器系統(tǒng)，具有檢測(cè)測(cè)量、信...

本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)輸出領(lǐng)域，尤其涉及一種串行輸出的OTP及其工作機(jī)制，包括讀寫(xiě)模塊和轉(zhuǎn)換模塊，讀寫(xiě)模塊和轉(zhuǎn)換模塊耦合，讀寫(xiě)模塊包括Write_cmd和Read_cmd，轉(zhuǎn)換模塊包括CTRL_LOGIC、OTP_ARRAY、CMP_CURRE...

本發(fā)明屬于電流檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可調(diào)節(jié)閾值的過(guò)流檢測(cè)電路，包括電壓跟隨模塊S、比較器A2、電流源產(chǎn)生模塊A、電流復(fù)制模塊B、電流鏡C、邏輯控制模塊D、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、二極管D...

本發(fā)明屬于放大器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低失調(diào)、增益可調(diào)的全差分電流負(fù)反饋放大器，包括電源管理芯片LDO、斬波器CH1、斬波器CH2、跨導(dǎo)gm1、跨導(dǎo)gm2、可變?cè)鲆娣糯笃鱑x、射級(jí)跟隨器B1、射級(jí)跟隨器B2、可變電阻R1、可變電阻R2、...

本發(fā)明屬于傳感器信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于提高傳感器測(cè)量精度的方法，該傳感器包括運(yùn)算放大器、電阻、基準(zhǔn)電壓源、MCU模塊、低壓差穩(wěn)壓器LDO、熱敏電阻NTC及電流信號(hào)采集模塊，MCU模塊包括相互電性連接的ADC單元和MUX單元；...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于溫補(bǔ)低頻振蕩器的低電容放大器處理系統(tǒng)，包括輸入電壓正端（Vin+）、輸入電壓負(fù)端（Vin?）、輸入電容（Cin）、輸入電阻（Rin）、輸出電阻（Rout）、輸入電壓（Vout）和系統(tǒng)單元，通過(guò)系...