【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】具有雙連續(xù)層的記錄疊層相關(guān)申請(qǐng)交叉引用本申請(qǐng)要求2011年8月25日提交的題為“Recording Stack with a DualContinuous Layer (具有雙連續(xù)層的記錄疊層)”的美國非臨時(shí)專利申請(qǐng)N0.13/217,531的優(yōu)先權(quán),該非臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)貏e就其全部公開和教導(dǎo)的內(nèi)容援引包含于此。
本專利技術(shù)涉及具有增加的存儲(chǔ)容量和平衡的機(jī)械強(qiáng)健性和記錄性能的垂直磁性記錄疊層。
技術(shù)介紹
信息可被存儲(chǔ)在垂直磁性記錄疊層上。可使用讀/寫頭將信息寫至垂直磁性記錄疊層和/或從垂直磁性記錄疊層讀取信息。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本文描述和要求保護(hù)的實(shí)現(xiàn)方式提供具有雙連續(xù)層的垂直磁性記錄疊層。在一種實(shí)現(xiàn)中,垂直磁性記錄疊層包括襯底、一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層以及具有第一和第二連續(xù)層的雙連續(xù)層。設(shè)置在第二連續(xù)層和磁性顆粒記錄層之間的第一連續(xù)層具有適中橫向交換耦合,這種適中橫向交換耦合高于磁性顆粒層的橫向交換耦合。第二連續(xù)層具有比第一連續(xù)層更高的橫向交換I禹合。通過閱讀下面的詳細(xì)描述,這些以及各種其它的特征將會(huì)變得顯而易見。附圖簡(jiǎn)沭圖1示出一示例性垂直磁性記錄系統(tǒng)。圖2示出具有雙連續(xù)層的示例性垂直磁性記錄疊層。圖3示出用于制造具有雙連續(xù)層的垂直磁性記錄疊層的示例性操作。【具體實(shí)施方式】垂直磁性記錄系統(tǒng)一一例如包括垂直記錄頭和具有雙連續(xù)層的耦合顆粒/連續(xù)(CGC)結(jié)構(gòu)的垂直磁性記錄疊層的系統(tǒng)——可表現(xiàn)出超高密度記錄能力,由此導(dǎo)致增加的存儲(chǔ)容量。垂直磁性記錄疊層的存儲(chǔ)容量可通過增加磁性顆粒記錄層的面密度來提高。然而,隨著磁性顆粒記錄層的面密度增加,其它性能因素可變得 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種磁性記錄疊層,包括:襯底;設(shè)置在所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層,所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層中的每一個(gè)具有橫向交換耦合;具有適中橫向交換耦合的第一連續(xù)層,所述適中橫向交換耦合比所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層的橫向交換耦合更高;以及具有比所述第一連續(xù)層的橫向交換耦合更高的橫向交換耦合的第二連續(xù)層,其中所述第一連續(xù)層被設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層與所述第二連續(xù)層之間。
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2011.08.25 US 13/217,5311.一種磁性記錄疊層,包括: 襯底; 設(shè)置在所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層,所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層中的每一個(gè)具有橫向交換耦合; 具有適中橫向交換耦合的第一連續(xù)層,所述適中橫向交換耦合比所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層的橫向交換耦合更高;以及 具有比所述第一連續(xù)層的橫向交換耦合更高的橫向交換耦合的第二連續(xù)層,其中所述第一連續(xù)層被設(shè)置在所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層與所述第二連續(xù)層之間。2.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄疊層,其特征在于,還包括: 設(shè)置在所述襯底與所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層之間的一個(gè)或多個(gè)下層。3.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄疊層,其特征在于,還包括: 設(shè)置在所述第二連續(xù)層之上的覆層。4.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述一個(gè)或多個(gè)下層包括軟磁下層、粘合層以及一個(gè)或多個(gè)中間層。5.如權(quán)利要求1所 述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述第一連續(xù)層的厚度大于所述第二連續(xù)層的厚度。6.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述第二連續(xù)層的飽和磁化大于所述第一連續(xù)層的飽和磁化。7.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述第一連續(xù)層和所述第二連續(xù)層的材料成分包括具有從下組中選取的一種或多種元素的Co合金:Cr、Pt、N1、Ta、B、Nb、O、T1、Mo、Cu、Ag、Ge 和 Fe。8.一種磁性記錄疊層,包括: 襯底; 設(shè)置在所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層,所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層中的每一個(gè)具有橫向交換耦合; 具有適中橫向交換耦合的第一連續(xù)層,所述適中橫向交換耦合比所述一個(gè)或多個(gè)磁性顆粒記錄層的橫向交換耦合更高;以及 具有比所述第一連續(xù)層的橫向交換耦合更高的橫向交換耦合的第二連續(xù)層,其中所述第一連續(xù)層的厚度大于所述第二連續(xù)層的厚度并且所述第二連續(xù)層的飽和磁化高于所述第一連續(xù)層的飽和磁化。9.如權(quán)利要求8所述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述第一連續(xù)層的厚度在10-80A之間,而所述第二連續(xù)層的厚度在2-20A之間。10.如權(quán)利要求8所述的磁性記錄疊層,其特征在于,所述第一連續(xù)層的厚度在20-60A之間,而所述第二連...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:Z·吳,L·唐,S·王,A·海盧,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:希捷科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:美國;US
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