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    陣列面板及其制作方法技術

    技術編號:10311609 閱讀:94 留言:0更新日期:2014-08-13 14:35
    本發明專利技術公開了一種陣列面板,所述陣列面板包括:一基板;至少一掃描線;至少一數據線;以及一像素陣列,所述像素陣列包括至少一像素單元,其中,所述像素單元包括:一薄膜晶體管;一像素電極;以及一彩膜層,設置于第一平面和第二平面之間,其中,所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面,所述第二平面為所述像素電極所在的平面;其中,所述掃描線、所述數據線和所述像素陣列均設置于所述基板上。本發明專利技術有利于降低陣列面板中的像素單元的電量消耗,從而降低陣列面板的功耗。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及顯示
    ,特別涉及一種陣列面板及其制作方法。
    技術介紹
    傳統的TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示面板)將彩膜(CF,Color?Filter)和TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶體管)陣列分別做在不同的基板上,其中,TFT陣列基板包括:薄膜晶體管、外圍線路和像素電極,彩膜基板包括:公共電極、R/G/B彩膜、PS(Position?Spacer,間隔件)和BM(Black?Matrix,黑色矩陣層)。由于CF和TFT陣列分別做在不同的玻璃基板上,因此可以節省工藝生產時間。 在實踐中,專利技術人發現現有技術至少存在以下問題: TFT陣列基板中的薄膜晶體管和像素電極或者其延伸部具有重疊部分,因此薄膜晶體管和像素電極會形成一個電容,該電容會對像素單元的顯示造成一定的影響,原因是:該電容的存在可能會導致輸入至像素電極中的電壓無法達到預期值,從而降低顯示質量。 而為了確保顯示質量,需要加大電壓,以排除該電容的影響,此時則需要耗費更多的電能。 故,有必要提出一種新的技術方案,以解決上述技術問題。
    技術實現思路
    本專利技術的目的在于提供一種陣列面板及其制作方法,其能降低像素單元的電量消耗,從而降低陣列面板的功耗。 為解決上述問題,本專利技術的技術方案如下: 一種陣列面板,所述陣列面板包括:一基板;至少一掃描線;至少一數據線;以及一像素陣列,所述像素陣列包括至少一像素單元,其中,所述像素單元包括:一薄膜晶體管;一像素電極;以及一彩膜層,設置于第一平面和第二平面之間,其中,所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面,所述第二平面為所述像素電極所在的平面;其中,所述掃描線、所述數據線和所述像素陣列均設置于所述基板上。 在上述陣列面板中,所述彩膜層設置于第一區域和第二區域上;其中,所述第一區域和所述第二區域分別為所述像素電極和所述薄膜晶體管在所述基板上所對應的區域。 在上述陣列面板中,所述薄膜晶體管還包括源極和漏極,所述彩膜層覆蓋所述源極和所述漏極。 在上述陣列面板中,所述彩膜層設置有通孔,所述通孔中設置有連接線,所述連接線連接所述像素電極和所述漏極。 在上述陣列面板中,所述彩膜層的表面設置有至少一凹槽,所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對應,所述像素電極卡設于所述凹槽內。 在上述陣列面板中,所述凹槽的底面或側面設置有凹陷部或突起部。 一種上述陣列面板的制作方法,所述方法包括以下步驟:在所述基板上分別設置所述掃描線、所述薄膜晶體管和所述數據線;在第一區域和第二區域上設置所述彩膜層,其中,所述第一區域為待設置的像素電極所對應的區域,所述第二區域為所述薄膜晶體管所對應的區域;在所述彩膜層上設置所述像素電極。 在上述陣列面板的制作方法中,所述在所述彩膜層上設置所述像素電極的步驟之前,所述方法還包括:在所述彩膜層上設置一通孔;在所述通孔中設置一連接線,使得所述連接線與所述薄膜晶體管的漏極連接,并且所述連接線延伸至所述彩膜層的表面。 在上述陣列面板的制作方法中,在在所述彩膜層上設置所述像素電極的過程中,所述方法還包括:在所述像素電極和所述連接線之間設置導電層,使得所述像素電極和所述連接線相連。 在上述陣列面板的制作方法中,所述在所述彩膜層上設置所述像素電極的步驟之前,所述方法還包括:在所述彩膜層的所述表面上設置至少一凹槽,其中,所述凹槽的形狀與所述像素電極的形狀對應;所述在所述彩膜層上設置所述像素電極的步驟包括:將所述像素電極設置于所述凹槽內,使得所述凹槽卡設所述像素電極。 相對現有技術,本專利技術的陣列面板及其制作方法能夠降低薄膜晶體管的柵極和像素電極所形成的耦合電容,從而降低了像素單元的電量消耗,降低了所述陣列面板的功耗。 為讓本專利技術的上述內容能更明顯易懂,下文特舉優選實施例,并配合所附圖式,作詳細說明如下。 【附圖說明】 圖1為本專利技術的陣列面板中的像素單元的示意圖; 圖2為圖1中A-A’截面的第一實施例的示意圖; 圖3為圖1中A-A’截面的第二實施例的示意圖; 圖4為本專利技術的陣列面板的制作方法的第一實施例的流程圖; 圖5為本專利技術的陣列面板的制作方法的第二實施例的流程圖。 【具體實施方式】 以下各實施例的說明是參考附加的圖式,用以例示本專利技術可用以實施的特定實施例。 參考圖1和圖2,圖1為本專利技術的陣列面板中的像素單元的示意圖。圖2為圖1中A-A’截面的第一實施例的示意圖。 本實施例的陣列面板包括基板201、像素陣列、至少一掃描線101以及至少一數據線102。其中,所述掃描線101、所述數據線102和所述像素陣列均設置于所述基板201上。 所述像素陣列包括至少一像素單元,其中,所述像素單元包括薄膜晶體管103、像素電極104以及彩膜(Color?Film/Color?Filter)層105。所述彩膜層105設置于第一平面和第二平面之間,其中,所述第一平面為所述薄膜晶體管103的柵極1031所在的平面,所述第二平面為所述像素電極104所在的平面。 在本實施例的陣列面板中,所述彩膜層105設置于第一區域和第二區域上。其中,所述第一區域和所述第二區域分別為所述像素電極104和所述薄膜晶體管103在所述基板201上所對應的區域。 在本實施例的陣列面板中,所述薄膜晶體管103還包括源極1033和漏極1034,所述彩膜層105覆蓋所述源極1033和所述漏極1034。 在上述技術方案中,通過在所述薄膜晶體管103的柵極1031所在的第一平面和所述像素電極104所在的第二平面之間設置所述彩膜層105,增大了所述柵極1031所在的所述第一平面與所述像素電極104所在的第二平面之間的距離,從而降低了所述柵極1031和所述像素電極104所形成的耦合電容,因此降低了本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種陣列面板,其特征在于,所述陣列面板包括:一基板;至少一掃描線;至少一數據線;以及一像素陣列,所述像素陣列包括至少一像素單元,其中,所述像素單元包括:一薄膜晶體管;一像素電極;以及一彩膜層,設置于第一平面和第二平面之間,其中,所述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面,所述第二平面為所述像素電極所在的平面;其中,所述掃描線、所述數據線和所述像素陣列均設置于所述基板上。

    【技術特征摘要】
    1.一種陣列面板,其特征在于,所述陣列面板包括:
    一基板;
    至少一掃描線;
    至少一數據線;以及
    一像素陣列,所述像素陣列包括至少一像素單元,其中,所
    述像素單元包括:
    一薄膜晶體管;
    一像素電極;以及
    一彩膜層,設置于第一平面和第二平面之間,其中,所
    述第一平面為所述薄膜晶體管的柵極所在的平面,所述第二
    平面為所述像素電極所在的平面;
    其中,所述掃描線、所述數據線和所述像素陣列均設置于所
    述基板上。
    2.根據權利要求1所述的陣列面板,其特征在于,所述彩
    膜層設置于第一區域和第二區域上;
    其中,所述第一區域和所述第二區域分別為所述像素電極和
    所述薄膜晶體管在所述基板上所對應的區域。
    3.根據權利要求2所述的陣列面板,其特征在于,所述薄
    膜晶體管還包括源極和漏極,所述彩膜層覆蓋所述源極和所述漏
    極。
    4.根據權利要求3所述的陣列面板,其特征在于,所述彩
    膜層設置有通孔,所述通孔中設置有連接線,所述連接線連接所
    述像素電極和所述漏極。
    5.根據權利要求1所述的陣列面板,其特征在于,所述彩
    膜層的表面設置有至少一凹槽,所述凹槽的形狀與所述像素電極
    的形狀對應,所述像素電極卡設于所述凹槽內。
    6.根據權利要求5所述的陣列面板,其特征在于,所述凹
    槽的底面或側面設置有凹陷部或突...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:徐向陽
    申請(專利權)人:深圳市華星光電技術有限公司,
    類型:發明
    國別省市:廣東;44

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