半導體光接收裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及半導體光接收裝置。提供了一種能減少對頭部上表面的引線接合數的半導體光接收裝置。半導體光接收裝置（10）具備頭部（20）、高頻放大器（AMP）以及次黏著基臺（SB）。高頻放大器（AMP）設置在頭部（20）上，并具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤（62）。在次黏著基臺（SB）的上表面設置有比次黏著基臺的上表面小的半導體光接收元件（APD）。次黏著基臺（SB）的上表面具有接合半導體光接收元件（APD）的電極焊盤（67）和設置在其旁邊的電極焊盤（66）。高頻接地焊盤（62）與電極焊盤（66）通過引線（53）而被連接。

【技術實現步驟摘要】
半導體光接收裝置
[0001 ] 本專利技術涉及半導體光接收裝置。
技術介紹
以往，已知例如像在日本特開2006-253676號公報中所公開的那樣，對被稱為干部(stem)或頭部(header)的固定構件設置凹部，在該凹部內裝載有電子部件的半導體光接收裝置。具體地說，該公報的半導體光接收裝置在干部上裝載有半導體光接收元件和前置放大器1C。干部的主面中的裝載有這些光接收元件和前置放大器IC的裝載區域與其它區域相比低一級地形成。由此，能使從前置放大器IC的電極朝向干部表面的接合線(bonding wire)的長度變短。現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2006-253676號公報； 專利文獻2:日本實開平5-004534號公報； 專利文獻3:日本特開2003-134051號公報。專利技術要解決的課題 上述現有技術的半導體光接收裝置采用所謂的CAN封裝構造，對頭部上表面進行引線接合(wire bonding)。在這樣的情況下,不得不在頭部上表面確保固定的空間，必須不可避免地較寬地獲取頭部上表面的區域。因此，存在不得不使頭部上表面變大或降低電子部件的安裝密度等問題。
技術實現思路
本專利技術是為了解決上述那樣的課題而完成的，其目的在于，提供一種能減少對頭部上表面的引線接合數的半導體光接收裝置。用于解決課題的方案 本專利技術提供了一種半導體光接收裝置，其特征在于，具備: 頭部; 高頻放大器，設置在所述頭部上，并且具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤(grounding pad)； 次黏著基臺(submount),設置在所述頭部上，并且具有上表面；以及半導體光接收元件，設置在所述次黏著基臺的上表面，所述半導體光接收元件比所述次黏著基臺的上表面小， 所述次黏著基臺的上表面具有接合所述半導體光接收元件的第一電極焊盤和設置在所述第一電極焊盤的旁邊的第二電極焊盤， 所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤通過弓I線而被連接。專利技術效果 根據本專利技術的半導體光接收裝置，能利用次黏著基臺的上表面比半導體光接收元件大的這一點，在次黏著基臺的上表面中的空余空間設置高頻接地用的電極焊盤。由此，能有效利用次黏著基臺上表面的空間來確保高頻接地用的引線連接，因此，能減少對頭部上表面的引線接合數。【附圖說明】圖1是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的外觀結構的圖。圖2是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的內部結構的圖。圖3是在箭頭方向上觀察圖2的沿著X-X’線的截斷構造的圖。圖4是對本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB等的周邊結構進行放大后的立體上表面圖。圖5是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB的上表面的結構的圖。圖6是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。圖7是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。圖8是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的變形例的結構的圖。圖9是示出本專利技術實施方式的變形例的半導體光接收裝置90的圖。圖10是圖示了凹部100內的結構的立體上表面圖。圖11是在箭頭方向上觀察圖9的沿著X2-X2’線的截面構造的圖。圖12是對圖9的沿著B-B’線的截面構造中的高頻放大器AMP附近進行放大后的圖。圖13是在用切削加工設置了凹部100的情況下的對頭部20的沿著B_B’線的截面構造的高頻放大器AMP附近進行放大后的圖。圖14是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖15是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖16是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖17是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖18是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖19是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖20是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10所具備的次黏著基臺SB的變形例的圖。圖21是示出本專利技術實施方式的變形例的半導體光接收裝置的圖。圖22是示出對本專利技術實施方式的半導體光接收裝置的比較例的圖。圖23是示出對本專利技術實施方式的半導體光接收裝置的比較例的圖。圖24是示出對本專利技術實施方式的半導體光接收裝置的比較例的圖。【具體實施方式】實施方式.[實施方式的裝置的結構] 圖1是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的外觀結構的圖。半導體光接收裝置10是所謂的CAN封裝，具備帽12、頭部20、以及被帽12所罩住的頭部20內的安裝部件。帽12具備玻璃制的窗14，經由窗14用內部的半導體光接收元件AH)進行光接收。帽12是金屬制的帽。在頭部20與帽12中，帽12的凸緣部與頭部20的凸緣部20a通過電焊進行固定，被帽12所覆蓋的內部被氣密密封。密封氣體是空氣、干氣(dry gas)或氮等。再有，在帽12是樹脂制的情況下，用粘接劑粘接于頭部20。圖2是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的內部結構的圖。圖3是在箭頭方向上觀察圖2的沿著X-X’線的截斷構造的圖。圖4是對本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB等的周邊結構進行放大后的立體上表面圖。圖5是示出本專利技術實施方式的半導體光接收裝置10的次黏著基臺SB的上表面的結構的圖。再有，“次黏著基臺SB的上表面”意味著次黏著基臺SB的朝向窗14側的表面。此外，“次黏著基臺高頻放大器AMP的上表面”意味著高頻放大器AMP的朝向窗14側的表面。如圖2至4所示，半導體光接收裝置10具備安裝有各種部件的頭部20。頭部20具有凸緣部20a、圓盤部20b以及上表面20c，在該上表面20c設置有具備高頻接地焊盤62的高頻放大器AMP。高頻放大器AMP是放大來自半導體光接收元件APD的輸出信號的放大器。此外，在上表面20c，次黏著基臺SB配置在高頻放大器AMP的旁邊。次黏著基臺SB具有接合了半導體光接收元件APD的電極焊盤67和設置在電極焊盤67的旁邊的電極焊盤66。在次黏著基臺SB的上表面接合有比次黏著基臺SB的上表面小的半導體光接收元件APD。半導體光接收元件APD是雪崩光電二極管。在頭部20的表面實施了鍍金。高頻放大器AMP和次黏著基臺SB通過銀膏50被接合在頭部20上。銀膏50是包含銀和粘合劑樹脂的銀膏。通過用銀膏進行裝配，從而能提高生產率。在頭部20的上表面20c還裝配有電容器Cl和電容器C2。頭部20具備引腳(lead pin) 22a、22b、22c、22d、22f。引腳22是棒狀端子，雖然作為一個例子是引腳22為4根的情況，但是，也存在配設有更多根數的引腳22的情況。半導體光接收裝置10是差動方式的，從兩個端子(引腳22a、22b)輸出。引腳22f焊接在頭部20的背面且焊接在引腳22a、22b之間。該引腳22f是用于接地(GND)的引腳，焊接在頭部20背面。引腳22f與其它引腳不同，不出現在頭部20上表面，此外，也不像其它引腳那樣在與頭部20之間嵌入玻璃密封材料，而是頭部20與引腳22f進行電連接。頭部20是金屬制的圓板，例如是直徑為3?IO本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體光接收裝置，其特征在于，具備：頭部；高頻放大器，設置在所述頭部上，并且具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤；次黏著基臺，設置在所述頭部上，并且具有上表面；以及半導體光接收元件，設置在所述次黏著基臺的上表面，所述半導體光接收元件比所述次黏著基臺的上表面小，所述次黏著基臺的上表面具有接合所述半導體光接收元件的第一電極焊盤和設置在所述第一電極焊盤的旁邊的第二電極焊盤，所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤通過引線而被連接。

【技術特征摘要】
2013.02.13 JP 2013-0256601.一種半導體光接收裝置，其特征在于，具備: 頭部; 高頻放大器，設置在所述頭部上，并且具有上表面，在該上表面具備高頻接地焊盤； 次黏著基臺，設置在所述頭部上，并且具有上表面；以及 半導體光接收元件，設置在所述次黏著基臺的上表面，所述半導體光接收元件比所述次黏著基臺的上表面小， 所述次黏著基臺的上表面具有接合所述半導體光接收元件的第一電極焊盤和設置在所述第一電極焊盤的旁邊的第二電極焊盤， 所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤通過弓I線而被連接。2.根據權利要求1所述的半導體光接收裝置，其特征在于，在將與所述頭部的上表面垂直的方向設為高度方向的情況下，將所述頭部的上表面與所述高頻接地焊盤之間的高度設為第一差，將所述高頻接地焊盤與所述第二電極焊盤之間的高度設為第二差，所述第二差比所述第一差小。3.根據權利要求1所述的半導體光接收裝置，其特征在于， 所述高頻放大器與所述次黏著基臺以所述高頻放...

【專利技術屬性】
技術研發人員：增山祐士，中路雅晴，久義浩，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP