一種電容器用金屬化薄膜制造技術

本發明專利技術公開了一種電容器用金屬化薄膜，包括塑料薄膜底層和金屬鍍層，所述金屬鍍層包括直接接觸所述塑料薄膜底層的鍍鋅層和位于所述鍍鋅層表面的鍍鋁層、以及位于所述鍍鋁層表面的三氧化二鋁致密保護層，所述塑料薄膜底層材料為一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物；所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面經過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下的電暈放電處理。本發明專利技術所述的一種電容器用金屬化薄膜，能夠簡化現有電容器用金屬化薄膜金屬層鋁-鋅-鋁三層鍍膜結構。本發明專利技術還公開了上述電容器用金屬化薄膜的加工工藝。

【技術實現步驟摘要】
一種電容器用金屬化薄膜
本專利技術涉及一種電容器用金屬化薄膜及其加工工藝，屬于電容器用金屬化薄膜制造
。
技術介紹
目前，用于制造薄膜電容器的金屬化薄膜均為復合鋅鋁金屬化薄膜。鍍鋁金屬化薄膜具有較好的附著性能，且生產過程易于處理，但是鍍鋁金屬化薄膜在空氣中容易被氧化而形成以三氧化二鋁為主要成份致密氧化層，該氧化層雖然能夠阻止金屬化薄膜進一步被氧化，但是在交流高壓大電流下工作時，該氧化層會導致電容器的容量迅速下降；為此，在金屬化薄膜鍍鋁的基礎上再鍍一層鋅能夠很好地防止內層鍍鋁層形成氧化層，從而不會發生電容器的容量迅速下降的情況，但是金屬化薄膜鍍鋅層還原性更強，在空氣中被氧化的速率更快且氧化形成的氧化鋅具有蓬松的結構，難以阻止進一步氧化的發生，因此金屬化薄膜鍍鋅層不僅在加工時難以處理，而且容易導致電容器發生發熱甚至擊穿的事故；為此，還需要在金屬化薄膜鍍鋁鍍鋅的基礎上再鍍一層鋁，從而起到保護金屬化薄膜鍍鋅層的作用。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種電容器用金屬化薄膜，能夠簡化現有電容器用金屬化薄膜金屬層鋁-鋅-鋁三層鍍膜結構。為解決上述問題，本專利技術所采取的技術方案如下: 一種電容器用金屬化薄膜，包括: 塑料薄膜底層和金屬鍍層，所述金屬鍍層包括直接接觸所述塑料薄膜底層的鍍鋅層和位于所述鍍鋅層表面的鍍鋁層、以及位于所述鍍鋁層表面的三氧化二鋁致密保護層，所述塑料薄膜底層材料為一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物； 所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面經過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下的電暈放電處理。作為上述技術方案的改進，所述塑料薄膜底層材料為聚乙酯、聚丙烯或聚碳酸酯。本專利技術還提供了一種電容器用金屬化薄膜的加工工藝，包括如下步驟: 步驟一、對塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下進行電暈放電處理； 步驟二、采用濺射鍍膜或真空蒸鍍方式在經步驟一處理的塑料薄膜底層的面形成鍍鋅層，然后在鍍鋅層表面再鍍一層鍍鋁層； 步驟三、在惰性氣體的保護下，通入臭氧對經步驟二加工的鍍鋁層表面進行臭氧化處理以生成三氧化二鋁致密保護層。作為對上述加工工藝的進一步優化，所述步驟一中惰性氣體和氫氣的混合氣中氫氣所占體積為0.1?1.0%，其余為惰性氣體。作為對上述加工工藝的進一步優化，所述步驟一中電暈放電處理的工藝條件為10?40 J/cm2。所述10?40 J/cm2中，能量單位是指電暈放電處理時處理凈電壓與凈電流的乘積，面積單位是指塑料薄膜底層的處理面積；其中，通常的電暈放電處理的處理電壓為5000 V ?15000 V0本專利技術與現有技術相比較，本專利技術的實施效果如下: 本專利技術所述的一種電容器用金屬化薄膜，通過對所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面進行處理，提高了塑料薄膜底層與金屬的結合強度，從而實現了鍍鋅層與塑料薄膜底層之間良好的附著性能，采用鋅-鋁兩層鍍膜結構，簡化現有電容器用金屬化薄膜金屬層鋁-鋅-鋁三層鍍膜結構，從而有利于提高生產效率，降低生產成本；并且采用主動氧化生成三氧化二鋁致密保護層的工藝使三氧化二鋁致密保護層結構更均勻、致密，提高三氧化二鋁致密保護層的對金屬鍍層的抗氧化保護能力。【具體實施方式】下面將結合具體的實施例來說明本專利技術的內容。本實施例提供的電容器用金屬化薄膜，包括:塑料薄膜底層和金屬鍍層，所述金屬鍍層包括直接接觸所述塑料薄膜底層的鍍鋅層和位于所述鍍鋅層表面的鍍鋁層、以及位于所述鍍鋁層表面的三氧化二鋁致密保護層，所述塑料薄膜底層材料為一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物；所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面經過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下的電暈放電處理。所述結構亦即自上而下依次為四層膜構成:三氧化二鋁致密保護層、鍍鋁層、鍍鋅層、塑料薄膜底層。相對于現有技術減少了一層鍍鋅層和塑料薄膜底層之間的鍍鋁層；由于鋅相對于鋁對于塑料薄膜底層的附著力較弱，因此現有技術需要在鍍鋅層和塑料薄膜底層之間需要設置一層鍍鋁層，以幫助固定鍍鋅層，而本專利技術通過對所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面進行處理，即在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下進行電暈放電處理，提高了塑料薄膜底層與金屬的結合強度，從而實現了鍍鋅層與塑料薄膜底層之間良好的附著性能。通過實際試驗獲知，本實施例提供的電容器用金屬化薄膜其塑料薄膜底層與金屬鍍層結合牢固，在正常壽命內的使用過程不會出現塑料薄膜底層與金屬鍍層剝離的情況。具體地，所述塑料薄膜底層材料為聚乙酯、聚丙烯或聚碳酸酯；一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物，通過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下進行電暈放電處理能夠實現與鍍鋅層的良好附著性能，而聚乙酯、聚丙烯或聚碳酸酯均符合上述要求，且聚乙酯、聚丙烯或聚碳酸酯是目前在電容器用金屬化薄膜中應用較為廣泛的幾種塑料薄模材料，能夠較好的適應現有工藝和設備。本實施例提供的電容器用金屬化薄膜其加工工藝包括如下步驟: 一、對塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下進行電暈放電處理。具體地，惰性氣體可以選用成本較低的高純氮氣。電暈放電處理具體地可以是在常壓下，通入惰性氣體和氫氣的混合氣作為保護氣，然后由電暈放電裝置對塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面進行放電處理，從現象上看具有持續的紫色或藍色的絲狀電暈出現。優選地，所述惰性氣體和氫氣的混合氣中氫氣所占體積為0.1?1.0%，其余為惰性氣體；電暈放電處理的工藝條件為10?40 J/cm2。所述10?40 J/cm2中，能量單位是指電暈放電處理時處理凈電壓與凈電流的乘積，面積單位是指塑料薄膜底層的處理面積；其中，通常的電暈放電處理的處理電壓為5000V?15000 V。所述的處理凈電壓是指輸入電壓扣除電暈放電裝置除放電部件以外的其他部件所造成的分壓，所述的處理凈電流是指實際流經放電部件的電流。二、采用濺射鍍膜或真空蒸鍍方式在經步驟一處理的塑料薄膜底層的面形成鍍鋅層，然后在鍍鋅層表面再鍍一層鍍鋁層。濺射鍍膜或真空蒸鍍方式為現有技術中成熟的技術方案，具體地對于本專利技術而言，濺射鍍膜或真空蒸鍍工藝參數參考值為:冷卻滾筒的表面溫度控制在14?17°C，膜通過冷卻滾筒的速度為3±1 m/min，真空室的真空度應當不大于5X10_3 Pa。三、在惰性氣體的保護下，通入臭氧對經步驟二加工的鍍鋁層表面進行臭氧化處理以生成三氧化二鋁致密保護層。所述處理步驟可以在鍍鋁層表面形成三氧化二鋁致密保護層，且通過臭氧化處理可以提高三氧化二鋁致密保護層中三氧化二鋁的占比，從而提高三氧化二鋁致密保護層的均勻性和致密性，防止鍍鋁層在空氣中緩慢、自然氧化導致的氧化層不均勻、組分復雜、結構不夠致密、容易透過空氣進一步侵蝕鍍鋁層內層的情況發生。將上述加工工藝加工的電容器用金屬化薄膜切割成一百個邊長1.0±0.1 mm的小方格，用3M 600或610膠帶粘貼于上述小方格上，并覆蓋所有小方格，快速拉起3M膠帶，小方格中脫落的金屬鍍層數量的統計值為I至2個。實驗所用3M 600或610為美國3M公司制造的膠帶品牌和本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電容器用金屬化薄膜，其特征是，包括：塑料薄膜底層和金屬鍍層，所述金屬鍍層包括直接接觸所述塑料薄膜底層的鍍鋅層和位于所述鍍鋅層表面的鍍鋁層、以及位于所述鍍鋁層表面的三氧化二鋁致密保護層，所述塑料薄膜底層材料為一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物；所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面經過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下的電暈放電處理。

【技術特征摘要】
1.一種電容器用金屬化薄膜，其特征是，包括:塑料薄膜底層和金屬鍍層，所述金屬鍍層包括直接接觸所述塑料薄膜底層的鍍鋅層和位于所述鍍鋅層表面的鍍鋁層、以及位于所述鍍鋁層表面的三氧化二鋁致密保護層，所述塑料薄膜底層材料為一種含有極性基團的單體成分均聚或至少一種單體成分含有極性基團的多種單體成分共聚而成的聚合物； 所述塑料薄膜底層用于接觸所述金屬鍍層的面經過在惰性氣體和氫氣的混合氣保護下的電暈放電處理。2.如權利要求1所述的一種電容器用金屬化薄膜，其特征是，所述塑料薄膜底層材料為聚乙酷、聚丙纟布或聚碳酸酷。3.如權利要求1所述的一種電容器用金屬化薄膜的加工工藝，其特征是包括如下步驟: 步...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宋仁祥，
申請(專利權)人：安徽省寧國市海偉電子有限公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34