等離子體處理裝置制造方法及圖紙

提供一種能夠正確地檢測電弧放電的產生的等離子體處理裝置。使用等離子體對基板(G)實施處理的等離子體處理裝置(10)具備：腔室(11)，其被提供高頻電力而在內部產生等離子體；第一微分電路(21)，其對高頻電力的行波電壓Vf進行時間微分；第二微分電路(23)，其對高頻電力的反射波電壓Vr進行時間微分；比較器(22)，其計算dVr/dt-dVf/dt，在計算出的該dVr/dt-dVf/dt超過電弧放電檢測值的情況下，判斷為在腔室(11)內產生了電弧放電而發送信號；以及二極管(25)，其在dVf/dt為負值的情況下，將dVf/dt設為0，使得dVr/dt-dVf/dt變小。

【技術實現步驟摘要】
等離子體處理裝置
本專利技術涉及一種防止電弧放電的產生的等離子體處理裝置。
技術介紹
在使用提供高頻電力所產生的等離子體對基板、例如用于制造FPD的玻璃基板、半導體晶圓實施規定處理的等離子體處理裝置中，在產生等離子體的處理室內有時產生電弧放電。當電弧放電持續時有可能對處理室內的部件、玻璃基板、半導體晶圓造成損傷，因此，如果檢測出電弧放電的產生則需要迅速停止用于生成等離子體的高頻電力的提供。當產生電弧放電時高頻電力的反射波電壓產生峰值，因此通常監視反射波電壓，當檢測出峰值的產生時切斷高頻電力的提供。高頻電力的提供方式與規定處理的內容相應地存在各種方式，以往，作為提供方式變化的方式，階梯性地增加所提供的高頻電力的方式為主流方式。但是，在階梯性地增加高頻電力時，行波電壓也增加，而在該情況下，在通過匹配電路取得行波電壓與反射波電壓的阻抗匹配之前有時反射波電壓產生峰值。因此，為了避免將由行波電壓的增加引起的反射波電壓的峰值的產生誤認為是由電弧放電的產生引起的反射波電壓的峰值的產生，通常，在以下式成立的情況下判斷為產生了由電弧放電的產生引起的反射波電壓的峰值(例如參照專利文獻1)。dVr/dt-dVf/dt>電弧放電檢測值在此，Vr為反射波電壓，Vf為行波電壓，電弧放電檢測值為預先設定的規定的閾值。在上述式中，在行波電壓增加的情況下，dVr/dt-dVf/dt的值變小，因此即使產生由行波電壓的增加引起的反射波電壓的峰值，上述式也幾乎不成立。專利文獻1：國際公開第03/037047號
技術實現思路
專利技術要解決的問題另外，近年來，隨著等離子體處理的復雜化，不僅是高頻電力(行波電壓)的增加，如圖7所示，還要求伴隨行波電壓的降低的高頻電力的提供方式。在行波電壓降低的情況下，也在通過匹配電路取得行波電壓與反射波電壓的阻抗匹配之前有時反射波電壓產生峰值，而此時，上述式的dVf/dt成為負值，因此dVr/dt-dVf/dt的值變得過大而使得上述式成立，從而有可能錯誤地判斷為產生了由電弧放電的產生引起的反射波電壓的峰值。如果增大電弧放電檢測值，則上述錯誤判斷的可能性會降低，但是在僅產生由不那么強的電弧放電的產生引起的反射波電壓的峰值而dVr/dt不大的情況下，有可能無法檢測電弧放電的產生。本專利技術的目的在于提供一種能夠正確地檢測電弧放電的產生的等離子體處理裝置。用于解決問題的方案為了達到上述目的，本專利技術第一方面所述的等離子體處理裝置具備被提供高頻電力的處理室，使上述處理室內產生等離子體而使用該等離子體對被處理體實施處理，該等離子體處理裝置的特征在于，還具備：第一時間微分部，其對施加給上述處理室的高頻電力的行波電壓進行時間微分；第二時間微分部，其對從上述處理室返回的高頻電力的反射波電壓進行時間微分；判斷部，其計算與上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值的差分對應的值，在計算出的該與差分對應的值超過規定的閾值的情況下，判斷為在上述處理室內產生了電弧放電；以及微分值變更部，其在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，至少變更上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值中的某一個，使得上述與差分對應的值變得小于規定的閾值。本專利技術第二方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第一方面所述的等離子體處理裝置中，上述判斷部具有被輸入上述行波電壓的時間微分值的第一輸入部以及被輸入上述反射波電壓的時間微分值的第二輸入部，上述微分值變更部至少與第一輸入部和第二輸入部中的某一個相連接。本專利技術第三方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第一方面或第二方面所述的等離子體處理裝置中，上述與差分對應的值是從上述反射波電壓的時間微分值減去上述行波電壓的時間微分值所得的值。本專利技術第四方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第一～第三方面的任一項所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，上述微分值變更部將上述行波電壓的時間微分值設為0。本專利技術第五方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第四方面所述的等離子體處理裝置中，上述微分值變更部包括二極管。本專利技術第六方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第一～第三方面的任一項所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，上述微分值變更部減小上述行波電壓的時間微分值的絕對值。本專利技術第七方面所述的等離子體處理裝置的特征在于，在本專利技術第一～第三方面的任一項所述的等離子體處理裝置中，在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，上述微分值變更部減小上述反射波電壓的時間微分值。專利技術的效果根據本專利技術，在行波電壓的時間微分值為負值的情況下，至少變更反射波電壓的時間微分值和行波電壓的時間微分值中的某一個，使得與高頻電力的反射波電壓的時間微分值和行波電壓的時間微分值的差分對應的值變小，因此，計算出的與差分對應的值不容易超過規定的閾值。由此，能夠抑制雖然產生由行波電壓的減小引起的反射波電壓的峰值、但錯誤地判斷為產生了由電弧放電的產生引起的反射波電壓的峰值的情況，由此能夠正確地檢測電弧放電的產生。附圖說明圖1是概要地表示本專利技術的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的結構的圖。圖2是用于說明通過圖1的等離子體處理裝置執行的行波電壓的時間微分值的變更處理的圖。圖3是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第一變形例的結構的圖。圖4是用于說明通過圖3的等離子體處理裝置執行的行波電壓的時間微分值的變更處理的圖。圖5是概要地表示圖1的等離子體處理裝置的第二變形例的結構的圖。圖6是用于說明通過圖5的等離子體處理裝置執行的反射波電壓的時間微分值的變更處理的圖。圖7是表示伴隨復雜化的等離子體處理的高頻電力的提供方式的圖。附圖標記說明10、26、28：等離子體處理裝置；11：腔室；12：高頻電源；18：電力計；21：第一微分電路；22：比較器；22a：負輸入側；22b：正輸入側；23：第二微分電路；24：輸出切斷電路；25：二極管；29：微分值檢測電路；27、30：微分值減小電路。具體實施方式以下，參照附圖來說明本專利技術的實施方式。圖1是概要地表示本專利技術的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的結構的圖。在圖1中，等離子體處理裝置10具備內部被減壓的長方體狀的腔室11(處理室)和高頻電源12，腔室11在內部具有配置在底部的臺狀的基座13和配置在頂部的噴頭14，高頻電源12與基座13相連接來對該基座13提供高頻電力。基座13作為下部電極而發揮功能，噴頭14作為上部電極而發揮功能。由此，能夠向基座13與噴頭14之間的處理空間S施加提供給基座13的高頻電力。在腔室11中，向基座13載置作為被處理體的玻璃基板(以下，簡單稱為“基板”。)G，噴頭14向內部的處理空間S導入處理氣體，并且基座13向處理空間S施加高頻電力而在處理空間S中使處理氣體產生等離子體。該等離子體中的離子、自由基到達基板G來對該基板G實施規定的等離子體處理、例如干蝕刻處理。在腔室11與高頻電源12之間，從腔室11側起依次存在直流截止電容器15、匹配電路16、同軸線纜17以及電力計18，從而形成高頻電流提供路徑。在高頻電流提供路徑中，電力計18對從高頻電源12向基座13提供的高頻電力的行波電壓Vf和反射波電壓Vr進行測量本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種等離子體處理裝置，具備被提供高頻電力的處理室，使上述處理室內產生等離子體而使用該等離子體對被處理體實施處理，該等離子體處理裝置的特征在于，還具備：第一時間微分部，其對施加給上述處理室的高頻電力的行波電壓進行時間微分；第二時間微分部，其對從上述處理室返回的高頻電力的反射波電壓進行時間微分；判斷部，其計算與上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值的差分對應的值，在計算出的該與差分對應的值超過規定的閾值的情況下，判斷為在上述處理室內產生了電弧放電；以及微分值變更部，其在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，至少變更上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值中的某一個，使得上述與差分對應的值變得小于規定的閾值。

【技術特征摘要】
2013.02.27 JP 2013-0371371.一種等離子體處理裝置，具備被提供高頻電力的處理室，使上述處理室內產生等離子體而使用該等離子體對被處理體實施處理，該等離子體處理裝置的特征在于，還具備：第一時間微分部，其對施加給上述處理室的高頻電力的行波電壓進行時間微分；第二時間微分部，其對從上述處理室返回的高頻電力的反射波電壓進行時間微分；判斷部，其計算與上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值的差分對應的值，在計算出的該與差分對應的值超過規定的閾值的情況下，判斷為在上述處理室內產生了電弧放電；以及微分值變更部，其在上述行波電壓的時間微分值為負值的情況下，至少變更上述反射波電壓的時間微分值和上述行波電壓的時間微分值中的某一個，使得上述與差分對應的值變得小于規定的閾值。2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，上述判斷部具有被輸入上述行波電壓的時間微分值的第一輸入部以及被輸入上述反射波電壓的時間微分值的第二輸入部，上...

【專利技術屬性】
技術研發人員：古屋敦城，樋川和志，
申請(專利權)人：東京毅力科創株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP