【技術實現(xiàn)步驟摘要】
抗蝕劑用聚合物以及含有該聚合物的抗蝕劑組合物
本專利技術涉及利用光刻技術形成圖案而有用的抗蝕劑用聚合物以及含有該聚合物的抗蝕劑組合物。
技術介紹
近來,光刻(lithography)技術正在積極進行采用ArF浸沒式光刻技術(immersion)的大批量制造(HVM、high volumn manufacturing),主要進行實現(xiàn) 50nm 以下線寬的技術開發(fā)。特別是,作為用于實現(xiàn)30nm線寬的接觸孔(contact hole)圖案的方法,正在積極進行反轉(zhuǎn)顯影(NTD、negative-tone development)研究。反轉(zhuǎn)顯影(NTD、negative-tone development)是為了印刷臨界暗場層,通過光掩模(bright fileld mask)得到優(yōu)良的圖像品質(zhì)的圖像反轉(zhuǎn)技術。NTD抗蝕劑通常利用含有酸不穩(wěn)定性基團(acid-labile group)和光酸發(fā)生劑(photoacid generator)的樹脂。NTD抗蝕劑在光化福射(actinic radiation)下曝光,則光酸發(fā)生劑形成酸,曝光后烘焙期間該酸阻斷酸不穩(wěn)定性基團,因此導致曝光區(qū)域的極性轉(zhuǎn)換。其結(jié)果,抗蝕劑的曝光區(qū)域與未曝光區(qū)域之間溶解度存在差異,抗蝕劑未曝光區(qū)域被特定有機顯像劑如酮類、酯類或者醚類有機顯影劑消除,因此,保留了由于不溶性曝光區(qū)域而生成的圖案。由于這種特定的作用機理,將常規(guī)的193nm光致抗蝕劑適用于NTD抗蝕劑的情況,會引發(fā)特定的問題。作為其一例,顯影后的光致抗蝕劑圖案,相比于曝光前抗蝕劑層,其厚度損失很多,因而,在后續(xù)蝕刻的時候,抗蝕劑圖 ...
【技術保護點】
一種抗蝕劑用聚合物,其為含有羥基的金剛烷基(甲基)丙烯酸酯的均聚物,上述均聚物中羥基部分或全部被縮醛基取代。
【技術特征摘要】
2013.02.22 KR 10-2013-00191861.一種抗蝕劑用聚合物,其為含有羥基的金剛烷基(甲基)丙烯酸酯的均聚物,上述均聚物中羥基部分或全部被縮醛基取代。2.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕劑用聚合物,其中, 上述抗蝕劑用聚合物具有下述化學式I的結(jié)構: [化學式I] 3.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕劑用聚合物,其中, 上述抗蝕劑用聚合物選自由下述化學式Ia至Ie的化合物所組成的組中, 4.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕劑用聚合物,其中, 上述抗蝕劑用聚合物通過凝膠滲透色譜法(gel permeation chromatography:GPC)聚苯乙烯換算的重均分子量為1000~100000g/mol。5.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕劑用聚合物,其中, 上述抗蝕劑用聚合物的分子量分布,即重均分子量與...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:朱炫相,金三珉,裴昌完,任鉉淳,
申請(專利權)人:錦湖石油化學株式會社,
類型:發(fā)明
國別省市:韓國;KR
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