本發明專利技術公開了一種所占空間較小的基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線。該天線通過饋電單元給第一耦合輻射縫、第二耦合輻射縫饋電，通過調節第一耦合輻射縫、第二耦合輻射縫的寬度、長度和第一接地片、第二接地片、第四接地片的位置，可以得到所需要的寬頻帶(824-960MHZ和1690-2690MHZ)來覆蓋終端天線所需要的七頻段，通過對第一接地片、第二接地片、第三接地片、第四接地片的位置進行優化設計，利用金屬邊框和金屬地的間距形成的縫來增加輻射縫的尺寸，大大縮小了微帶饋線的平面縫隙天線所占的空間，在極小的空間內實現七頻智能手機天線的設計。適合在終端天線技術領域推廣應用。
【技術實現步驟摘要】
基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線
本專利技術涉及終端天線
，具體涉及一種基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線。
技術介紹
金屬邊框使手機充滿金屬質感并且可以增加手機的結構強度，因此許多的手機制造商都很青睞于用金屬邊框來增加手機外觀的美感。但是，金屬邊框對手機天線的輻射性能影響很大，傳統的手機天線設計很難滿足金屬邊框手機的應用需求，所以具有金屬邊框的手機成為手機制造商所面臨的一大難題。目前具有金屬邊框的手機為了消除金屬邊框對天線性能的影響，一般采用以下方法:一，將金屬邊框開縫和接地并加載集總元件消除環的影響。二，將天線所在區域的金屬邊框改為塑料材料或者將金屬邊框分成多個部分，使分段的部分金屬邊框作為天線的一部分來設計。三，采用微帶線饋電的平面縫隙天線來進行設計，如專利申請號CN201120421743.8所示。上述技術有以下幾個弊端:一，開縫和接地破壞了金屬邊框的連續性，影響手機的整體美感，同時天線設計所需要的空間比傳統天線所需要的大；二，部分金屬邊框作為天線的一部分參與輻射。當手或者其他導體握住邊框上的縫時，天線的性能會急劇惡化，造成收發不良。三，采用微帶線饋電的平面縫隙天線來進行設計，但所占的空間太大,難以有實際應用價值。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種所占空間較小的基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線。本專利技術解決上述技術問題所采用的技術方案是:該基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線，包括介質基板、金屬邊框，所述介質基板的下表面設置有金屬地板，所述金屬地板的上部設置有第一彎折縫、第二直縫、第三彎折縫，所述第一彎折縫包括第一水平段與位于第一水平段右端的第一豎直段，所述第一豎直段向上延伸至金屬地板邊緣，所述第二直縫平行于第一彎折縫的第一水平段且位于第一彎折縫下方，第二直縫的右端延伸至金屬地板的邊緣，所述第三彎折縫位于第二直縫下方，所述第三彎折縫包括第三水平段和位于第三水平段左端的第三豎直段，所述第三豎直段向上延伸至金屬地板的邊緣，所述介質基板位于金屬邊框內，所述金屬地板的側面與金屬邊框之間存在間隙，所述介質基板的頂部設置有第一接地片和第二接地片，第一接地片位于第三豎直段的外側，第二接地片位于第一豎直段的外側，介質基板的左側設置有第三接地片，右側設置有第四接地片，所述第一彎折縫、第一接地片與第二接地片之間的間隙以及第三彎折縫共同構成第一耦合輻射縫，所述第二直縫和第二直縫的右端與第四接地片之間的間隙共同構成第二耦合輻射縫，所述介質基板的上表面設置有給第一耦合輻射縫、第二耦合輻射縫饋電的饋電單元。進一步的是，所述金屬邊框為一體式結構。進一步的是，所述第一耦合輻射縫的長度為低頻GSM/850的二分之一波長，所述第二耦合輻射縫的長度為低頻GSM/900的二分之一波長。進一步的是，所述饋電單元由兩個饋電片及50歐姆的微帶饋線組成，兩個饋電片均與微帶饋線垂直設置且兩個饋電片均設置在微帶饋線的同側。進一步的是，所述第一接地片、第二接地片、第三接地片、第四接地片均為金屬塊。進一步的是，所述金屬地板的側面與金屬邊框之間的間隙為2mm。本專利技術的有益效果:本專利技術所述基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線通過饋電單元給第一耦合輻射縫、第二耦合輻射縫饋電，通過調節第一耦合輻射縫的寬度、長度和第一接地片、第二接地片的位置，可以得到第一耦合輻射縫在800MHZ產生一個二分之一波長的諧振，在1460MHz產生一個一個波長的諧振，在2230MHZ產生一個二分之三波長的諧振；通過調節第二耦合輻射縫的寬度、長度和第四接地片的位置，可以在930MHZ產生一個二分之一波長的諧振同時產生兩個高次諧振模，分別是在1760MHz產生一個一個波長的諧振，在2590MHz產生一個二分之三波長的諧振，其他由第三接地片、金屬地板、金屬邊框形成的縫隙，主要起到阻抗匹配的作用，由以上的諧振模式可以得到所需要的寬頻帶(824-960MHZ和1690-2690MHZ)來覆蓋終端天線所需要的七頻段，通過對第一接地片、第二接地片、第三接地片、第四接地片的位置進行優化設計，利用金屬邊框和金屬地的間距形成的縫來增加輻射縫的尺寸，大大縮小了微帶饋線的平面縫隙天線所占的空間，在極小的空間內實現七頻智能手機天線的設計?！靖綀D說明】圖1是本專利技術所述的基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線的結構示意圖；圖2為本專利技術基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線的反射系數(S-parameter)曲線示意圖；圖中標記說明:介質基板1、金屬邊框2、金屬地板3、第一彎折縫4、第一水平段401、第一豎直段402、第二直縫5、第三彎折縫6、第三水平段601、第三豎直段602、第一接地片7、第二接地片8、第三接地片9、第四接地片10、第一耦合輻射縫11、第二耦合輻射縫12、饋電單元13、饋電片131、微帶饋線132?！揪唧w實施方式】下面結合附圖對本專利技術的【具體實施方式】作進一步的說明。如圖1所示，該基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線，包括介質基板1、金屬邊框2，所述介質基板I的下表面設置有金屬地板3，所述金屬地板3的上部設置有第一彎折縫4、第二直縫5、第三彎折縫6，所述第一彎折縫4包括第一水平段401與位于第一水平段401右端的第一豎直段402，所述第一豎直段402向上延伸至金屬地板3邊緣，所述第二直縫5平行于第一彎折縫4的第一水平段401且位于第一彎折縫4下方，第二直縫5的右端延伸至金屬地板3的邊緣，所述第三彎折縫6位于第二直縫5下方，所述第三彎折縫6包括第三水平段601和位于第三水平段601左端的第三豎直段602，所述第三豎直段602向上延伸至金屬地板3邊緣，所述介質基板I位于金屬邊框2內，所述金屬地板3的側面與金屬邊框2之間存在間隙，所述介質基板I的頂部設置有第一接地片7和第二接地片8，第一接地片7位于第三豎直段602的外側，第二接地片8位于第一豎直段402的外側，介質基板I的左側設置有第三接地片9，右側設置有第四接地片10，所述第一彎折縫4、第一接地片7與第二接地片8之間的間隙以及第三彎折縫6共同構成第一耦合輻射縫11，所述第二直縫5和第二直縫5的右端與第四接地片10之間的間隙共同構成第二耦合輻射縫12，所述介質基板I的上表面設置有給第一耦合輻射縫11、第二耦合輻射縫12饋電的饋電單元13。本專利技術所述基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線通過饋電單元13給第一耦合輻射縫11、第二耦合輻射縫12饋電，通過調節第一耦合輻射縫11的寬度、長度和第一接地片7、第二接地片8的位置，可以得到第一耦合輻射縫11在800MHZ產生一個二分之一波長的諧振，在1460MHz產生一個一個波長的諧振，在2230MHZ產生一個二分之三波長的諧振；通過調節第二耦合輻射縫12的寬度、長度和第四接地片10的位置，可以在930MHZ產生一個二分之一波長的諧振同時產生兩個高次諧振模，分別是在1760MHz產生一個一個波長的諧振，在2590MHz產生一個二分之三波長的諧振，其他由第三接地片9、金屬地板3、金屬邊框2形成的縫隙，主要起到阻抗匹配的作用，由以上的諧振模式可以得到所需要的寬頻帶824-960MHZ和1690-2690MHZ來覆蓋終端天線所需要的七頻段，通過對第一接地片7、第二接地片8、第三接地片9、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線，其特征在于：包括介質基板(1)、金屬邊框(2)，所述介質基板(1)的下表面設置有金屬地板(3)，所述金屬地板(3)的上部設置有第一彎折縫(4)、第二直縫(5)、第三彎折縫(6)，所述第一彎折縫(4)包括第一水平段(401)與位于第一水平段(401)右端的第一豎直段(402)，所述第一豎直段(402)向上延伸至金屬地板(3)邊緣，所述第二直縫(5)平行于第一彎折縫(4)的第一水平段(401)且位于第一彎折縫(4)下方，第二直縫(5)的右端延伸至金屬地板(3)的邊緣，所述第三彎折縫(6)位于第二直縫(5)下方，所述第三彎折縫(6)包括第三水平段(601)和位于第三水平段(601)左端的第三豎直段(602)，所述第三豎直段(602)向上延伸至金屬地板(3)的邊緣，所述介質基板(1)位于金屬邊框(2)內，所述金屬地板(3)的側面與金屬邊框(2)之間存在間隙，所述介質基板(1)的頂部設置有第一接地片(7)和第二接地片(8)，第一接地片(7)位于第三豎直段(602)的外側，第二接地片(8)位于第一豎直段(402)的外側，介質基板(1)的左側設置有第三接地片(9)，右側設置有第四接地片(10)，所述第一彎折縫(4)、第一接地片(7)與第二接地片(8)之間的間隙以及第三彎折縫(6)共同構成第一耦合輻射縫(11)，所述第二直縫(5)和第二直縫(5)的右端與第四接地片(10)之間的間隙共同構成第二耦合輻射縫(12)，所述介質基板(1)的上表面設置有給第一耦合輻射縫(11)、第二耦合輻射縫(12)饋電的饋電單元(13)。...
【技術特征摘要】
1.基于全金屬邊框的七頻段智能手機天線，其特征在于:包括介質基板(I)、金屬邊框(2)，所述介質基板(I)的下表面設置有金屬地板(3)，所述金屬地板(3)的上部設置有第一彎折縫(4)、第二直縫(5)、第三彎折縫(6)，所述第一彎折縫(4)包括第一水平段(401)與位于第一水平段(401)右端的第一豎直段(402)，所述第一豎直段(402)向上延伸至金屬地板(3)邊緣，所述第二直縫(5)平行于第一彎折縫(4)的第一水平段(401)且位于第一彎折縫(4)下方，第二直縫(5)的右端延伸至金屬地板(3)的邊緣，所述第三彎折縫(6)位于第二直縫(5)下方，所述第三彎折縫(6)包括第三水平段(601)和位于第三水平段(601)左端的第三豎直段(602)，所述第三豎直段(602)向上延伸至金屬地板(3)的邊緣，所述介質基板(I)位于金屬邊框(2)內，所述金屬地板(3)的側面與金屬邊框(2)之間存在間隙，所述介質基板(I)的頂部設置有第一接地片(7)和第二接地片(8)，第一接地片(7)位于第三豎直段(602)的外側，第二接地 片(8)位于第一豎直段(402)的外側，介質基板(I)的左側設置有第三接地片(9)，右側設置有第四接地片(10)，所述第一彎折縫(4)、第一接地片(7)與第二接地片(8)之間的間隙...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李鵬鵬，張李彎，強云飛，陳忠祥，劉曦陽，班永靈，
申請(專利權)人：電子科技大學，
類型：發明
國別省市：四川;51
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