包括開關(guān)元件、整流元件和電荷存儲(chǔ)元件的電路制造技術(shù)

技術(shù)編號(hào)：10588384 閱讀：133 留言：0更新日期：2014-10-29 16:28

一種包括開關(guān)元件、整流元件和電荷存儲(chǔ)元件的電路可包括一對(duì)開關(guān)元件，所述開關(guān)元件具有電連接到電源端子的端子，且具有電連接到輸出端子的其它端子。所述電路可包括整流元件和一個(gè)或多個(gè)電荷存儲(chǔ)元件。所述電路可用作降壓轉(zhuǎn)換器。所述整流元件和電荷存儲(chǔ)元件可幫助減少在正常操作期間所述電路的輸出端子處的振鈴，且減小在開關(guān)操作期間超過所述電路內(nèi)的開關(guān)元件的載流電極之間的擊穿電壓的可能性。（*該技術(shù)在2024年保護(hù)過期，可自由使用*）

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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及包括開關(guān)元件、整流元件和電荷存儲(chǔ)元件的電路。
技術(shù)介紹
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（IGFET）是常見類型的功率開關(guān)設(shè)備。IGFET可被連接以提供開關(guān)電路，如圖1中的開關(guān)電路100，其允許輸出電壓大體上處在電源102的較高電壓或較低電壓。兩個(gè)n溝道IGFET122和124被連接使得IGFET122的漏極電連接到電源102的正極端子，且IGFET124的源極被電連接到電源102的負(fù)極端子。IGFET122的源極和IGFET124的漏極電連接到提供Vout的輸出端子。IGFET122和124的柵極電連接到提供Vin1和Vin2的輸入端子。輸入端子控制開關(guān)電路100。理想地，當(dāng)IGFET122和124的狀態(tài)被切換使得IGFET122開啟且IGFET124關(guān)閉時(shí)，在輸出端子處沒有任何電壓過沖，電壓下沖，或振鈴（過沖電壓與下沖電壓之間振蕩）的情況下，Vout將立即為電源102的正極端子的電壓。理想地，當(dāng)IGFET122與124的狀態(tài)被切換使得IGFET122關(guān)閉且IGFET124開啟時(shí)，在輸出端子處沒有任何電壓過沖、電壓下沖或振鈴（過沖電壓與下沖電壓之間振蕩）的情況下，Vout將立即為電源102的負(fù)極端子的電壓。切換電路100不是理想的且在IGFET122的源極、IGFET124的漏極與輸出端子Vout之間具有寄生特性，雖然這三者彼此電連接。寄生特性可被模擬為寄生元件，如寄生電阻和寄生電感...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種電路，其特征在于包括：?第一開關(guān)元件，其具有第一載流電極和第二載流電極；?第二開關(guān)元件，其具有第一載流電極和第二載流電極，其中所述第二開關(guān)元件的所述第一載流電極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第二載流電極；?第一整流元件，其具有陽極和陰極，其中所述第一整流元件的所述陽極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第二載流電極，且所述第一整流元件的所述陰極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第一載流電極；?第二整流元件，其具有陽極和陰極，其中所述第二整流元件的所述陽極耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第二載流電極，且所述第二整流元件的所述陰極耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第一載流電極；和?第一電荷存儲(chǔ)元件，其具有第一端子和第二端子，其中所述第一電荷存儲(chǔ)元件的所述第一端子耦接到所述第一整流元件的所述陰極，且所述第一電荷存儲(chǔ)元件的所述第二端子耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第二載流電極。

【技術(shù)特征摘要】
2013.03.11 US 13/794,0381.一種電路，其特征在于包括：?
第一開關(guān)元件，其具有第一載流電極和第二載流電極；?
第二開關(guān)元件，其具有第一載流電極和第二載流電極，其中所述第二開關(guān)元件的所述第一載流電極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第二載流電極；?
第一整流元件，其具有陽極和陰極，其中所述第一整流元件的所述陽極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第二載流電極，且所述第一整流元件的所述陰極耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第一載流電極；?
第二整流元件，其具有陽極和陰極，其中所述第二整流元件的所述陽極耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第二載流電極，且所述第二整流元件的所述陰極耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第一載流電極；和?
第一電荷存儲(chǔ)元件，其具有第一端子和第二端子，其中所述第一電荷存儲(chǔ)元件的所述第一端子耦接到所述第一整流元件的所述陰極，且所述第一電荷存儲(chǔ)元件的所述第二端子耦接到所述第二開關(guān)元件的所述第二載流電極。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于進(jìn)一步包括：?
第二電荷存儲(chǔ)元件，其具有第一端子和第二端子，?
其中所述第二電荷存儲(chǔ)元件的所述第一端子耦接到所述第一開關(guān)元件的所述第一載流電極，且其中所述第二電荷存儲(chǔ)元件的所述第二端子耦接到所述第二整流元件的所述陽極。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于所述第一整流元件、?所述第二整流元件或所述第一整流元件和第二整流元件的每個(gè)包括肖特基二極管或pn結(jié)二極管。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電路，其特征在于：?
所述第一整流元件、所述第二整流元件或所述第一整流元件和第二整流元件的每個(gè)包括并聯(lián)電連接的肖特基二極管和pn結(jié)二極管；?
所述第一整流元件具有不大于所述第一開關(guān)元件的漏極到源極擊穿電壓2.0倍的擊穿電壓；且?
所述第二整流元件具有不大于所述第二開關(guān)元件的漏極到源極擊穿電壓2.0倍的擊穿電壓。?
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的電路，其特征在于：?
所述第一開關(guān)元件是包括柵極的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述第一開關(guān)元件的所述第一載流電極是漏極，且所述第一開關(guān)元件的所述第二載流電極是源極；且?
所述第二開關(guān)元件是包括柵極的另一絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中所述第二開關(guān)元件的所述第一載流電極是漏極，且所述第二開關(guān)元件的所述第二載流電極是源極。?
6.一種電路，其特征在于包括：?
高側(cè)晶體管，其具有第一載流電極和第二載流電極；?
低側(cè)晶體管，其具有第一載流電極和第二載流電極，其中所述低側(cè)晶體管的所述第一載流電極耦接到所述高側(cè)晶體管的所述第二載流電極；?<...