應用于觸控技術的金屬網格結構、其制作方法及導電膜技術

本發明專利技術提供了一種應用于觸控技術的金屬網格結構、其制作方法及導電膜，其中，金屬網格結構包括由導電金屬形成的金屬網格導線和位于所述金屬網格導線表層的金屬氧化物絕緣層，所述金屬氧化物絕緣層和所述金屬網格導線包括有相同金屬元素。本發明專利技術通過在金屬網格導線表面覆蓋由該導電金屬與氧氣反應產生的導電金屬氧化物作為絕緣層，并且可以通過在玻璃基片的燒結制程中氧化導電金屬，從而解決了現有的金屬網格導線的制程流程長，成本高的問題。

【技術實現步驟摘要】
應用于觸控技術的金屬網格結構、其制作方法及導電膜
本專利技術涉及觸摸屏
，具體涉及一種應用于觸控技術的金屬網格結構、其制作方法及導電膜。
技術介紹
電容式觸摸屏是利用人體的電流感應進行工作的，是一種通過電極和人體特性結合來感應觸摸信號的觸摸屏。傳統技術采用透明導電薄膜圖案化作為導電線路，但在向中大尺寸(≥6inch)拓展時會存在感應電流通過透明導電層的線阻過大，這樣電容式觸摸屏與人體手指之間所產生的微弱電流也就很難快而準確地傳輸到IC芯片，很難適用于觸摸屏的使用要求。由于金屬導線的金屬網格技術能夠降低電阻，增加觸摸響應速度；且在搭配柔性屏時，金屬網格技術更適應彎折等技術要求，因此，現在普遍采用金屬網格技術作為線柵陣列。在開發應用于AMOLED的觸摸屏時，一般采用oncell(觸摸屏嵌入)結構；一般的制程先是形成金屬網格，接著在金屬網格上沿圖案化一方向的金屬后再覆蓋整面SiOx；再沿圖案化另一方向的金屬后覆蓋整面的SiOx；由此可以看出現有的金屬網格導線的制程流程長，成本高。
技術實現思路
為克服現有技術所存在的缺陷，現提供一種應用于觸控技術的金屬網格結構、其制作方法及導電膜，以解決現有的金屬網格導線的制程流程長，成本高的問題。為實現上述目的，一種應用于觸控技術的金屬網格結構，包括由導電金屬形成的金屬網格導線和位于所述金屬網格導線表層的金屬氧化物絕緣層，所述金屬氧化物絕緣層和所述金屬網格導線包括有相同金屬元素。本專利技術金屬網格結構的進一步改進在于，所述金屬網格導線包括第一方向導線和與所述第一方向導線交叉設置的第二方向導線。本專利技術金屬網格結構的進一步改進在于，所述導電金屬為鈦金屬，所述金屬氧化物絕緣層為二氧化鈦。本專利技術還提供一種導電膜，包括基片、以及設于所述基片表面的導電層，所述導電層包括上述的金屬網格結構。本專利技術導電膜的進一步改進在于，所述基片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對設置；所述導電層設于所述基片的第一表面。本專利技術導電膜的進一步改進在于，所述基片的第一表面設有基質層，所述導電層嵌設于所述基質層中。本專利技術還提供一種應用于觸控技術的金屬網格結構的制造方法，包括：利用導電金屬形成金屬網格導線；進行氧化處理，使得所述金屬網格導線中的導電金屬與氧氣反應后在表面形成金屬氧化物絕緣層。本專利技術制造方法的進一步改進在于，利用導電金屬形成金屬網格導線進一步包括：沿第一方向形成第一方向導線；沿第二方向形成第二方向導線，所述第二方向導線與所述第一方向導線交叉設置。本專利技術制造方法的進一步改進在于，形成金屬氧化物絕緣層進一步包括以下步驟：在沿所述第一方向形成所述第一方向導線之后且沿所述第二方向形成所述第二方向導電金屬之前，氧化所述第一方向導線，使得所述第一方向導線的表面氧化形成所述金屬氧化物絕緣層；在沿所述第二方向形成所述第二方向導線之后，氧化所述第二方向導線，使得所述第二方向導線的表面氧化形成所述金屬氧化物絕緣層。本專利技術制造方法的進一步改進在于，氧化形成金屬氧化物絕緣層進一步包括以下步驟：提供空氣氧化爐；在所述空氣氧化爐內對所述金屬網格導線進行氧化；通過調節所述空氣氧化爐內的氧氣含量控制所述金屬氧化物絕緣層的厚度。本專利技術的有益效果在于，在金屬網格導線表面覆蓋由該導電金屬與氧氣反應產生的導電金屬氧化物作為絕緣層，從而不用覆蓋其它如SiOx等材料作為絕緣層，并且可以通過在玻璃基片的燒結制程中氧化導電金屬，從而降低了成本，簡化了金屬網格導線的制程流程。附圖說明圖1為本專利技術金屬網格結構示意圖；圖2為圖1中A-A位置的金屬網格結構剖視圖；圖3為本專利技術導電膜結構示意圖；圖4為圖3中B-B位置的導電膜剖視圖；圖5為本專利技術金屬網格結構的制造方法流程圖。具體實施方式為利于對本專利技術的結構的了解，以下結合附圖及實施例進行說明。請參考圖1和圖2，圖1為本專利技術金屬網格結構示意圖，圖2為圖1中A-A位置的金屬網格結構剖視圖。如圖1和圖2所示，一種應用于觸控技術的金屬網格結構，包括由導電金屬形成的金屬網格導線10和位于金屬網格導線10表層的金屬氧化物絕緣層20，金屬氧化物絕緣層20和金屬網格導線10包括有相同金屬元素。其中，金屬網格導線10包括第一方向導線11和與第一方向導線11交叉設置的第二方向導線12，第一方向導線11與第二方向導線12構成金屬網格101；由于本實施例中的金屬網格101為長方形，所以在本實施例中，可以以平面直角坐標系為參考方向，第一方向X軸方向，第二方向為Y軸方向。在本施例中，導電金屬為鈦金屬，金屬氧化物絕緣層20為二氧化鈦，當然，在其他的實施例中，導電金屬可以為金、銀、銅、鋁和鋅中的其中一種或者至少兩種的合金。金屬網格101在本實施例中為長方形網格，當然，在其他的實施例中，也可以為菱形、正方形、矩形等形狀。絕緣層20可以是如圖2所示，絕緣層20只覆蓋金屬網格導線10的一側面。本專利技術還提供一種導電膜，請參考圖3與圖4，圖3為本專利技術導電膜結構示意圖，圖4為圖3中B-B位置的導電膜剖視圖。如圖3與圖4所示，一種導電膜，包括基片30和導電層31，基片30包括第一表面301和第二表面302，第一表面301和第二表面302相對設置。導電層31設于基片30的第一表面301，導電層31包括圖1和圖2中的金屬網格結構。基片30的第一表面設有基質層32，導電層31嵌設于基質層32中。在本實施例中，基片30的材料為玻璃，在其它的實施例中，該基片30還可以為其它材質，例如對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚碳酸酯塑料等，以透明絕緣材料為佳。基質層32為透明絕緣材料且異于基片30，用于金屬網格101成型。本專利技術還提供一種應用于觸控技術的金屬網格結構的制造方法，請參考圖1、圖2和圖5所示，該方法包括以下步驟：步驟S1，利用導電金屬形成金屬網格導線10。導電金屬可以為鈦金屬，也可以為金、銀、銅、鋁和鋅中的其中一種或者至少兩種的合金。步驟S1具體包括以下步驟：步驟S11，沿第一方向形成第一方向導線11；步驟S22，沿第二方向形成第二方向導線12，第二方向導線12與第一方向導線11交叉設置。第二方向導線12與第一方向導線11構成金屬網格101；金屬網格101可以為長方形網格，也可以為菱形、正方形、矩形等形狀。步驟S2，進行氧化處理，使得金屬網格導線10中的導電金屬與氧氣反應后在表面形成金屬氧化物絕緣層20。該金屬氧化物絕緣層20可以是二氧化鈦，也可以是其它的金屬氧化物。步驟S2進一步包括以下步驟：在步驟S11之后且在步驟S12之前，執行步驟S21，氧化第一方向導線11，使得第一方向導線11的表面氧化形成金屬氧化物絕緣層20；在步驟S12之后，執行步驟S22，氧化第二方向導線12，使得第二方向導線12的表面氧化形成金屬氧化物絕緣層20。其中，氧化形成金屬氧化物絕緣層20進一步包括以下步驟：提供空氣氧化爐，該空氣氧化爐可以是由導電膜中的玻璃基片30的燒結制程中提供的氧化爐；在空氣氧化爐內對金屬網格導線10進行氧化；通過調節空氣氧化爐內的氧氣含量控制金屬氧化物絕緣層20的厚度。通過控制金屬氧化物絕緣層20的厚度，從而進一步地控制金屬網格導線10的電阻。本專利技術的有益效果在于：在金屬網格導線表面覆蓋由該導電金屬與氧氣反本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種應用于觸控技術的金屬網格結構，其特征在于，包括由導電金屬形成的金屬網格導線和位于所述金屬網格導線表層的金屬氧化物絕緣層，所述金屬氧化物絕緣層和所述金屬網格導線包括有相同金屬元素。

【技術特征摘要】
1.一種應用于觸控技術的金屬網格結構，其特征在于，包括由導電金屬形成的金屬網格導線和位于所述金屬網格導線表層的金屬氧化物絕緣層，所述金屬氧化物絕緣層和所述金屬網格導線包括有相同金屬元素；所述金屬網格導線中的導電金屬與氧氣在空氣氧化爐中反應后在表面形成所述金屬氧化物絕緣層；其中，所述金屬網格導線包括第一方向導線和與所述第一方向導線交叉設置的第二方向導線，所述第一方向導線的表面氧化形成金屬氧化物絕緣層，所述第二方向導線的表面氧化形成金屬氧化物絕緣層。2.根據權利要求1所述的金屬網格結構，其特征在于，所述導電金屬為鈦金屬，所述金屬氧化物絕緣層為二氧化鈦。3.一種導電膜，其特征在于，包括基片、以及設于所述基片表面的導電層，所述導電層包括權利要求1至2中任一項所述的金屬網格結構；在基片的燒結制程中提供的空氣氧化爐內對金屬網格導線進行氧化，形成金屬氧化物絕緣層。4.根據權利要求3所述的導電膜，其特征在于，所述基片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對設置；所述導電層設于所述基片的第一表面。5.根據權利要求...

【專利技術屬性】
技術研發人員：魯佳浩，寇浩，亢澎濤，
申請(專利權)人：上海和輝光電有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31