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    CPU外殼以及CPU外殼的加工方法技術

    技術編號:11133045 閱讀:200 留言:0更新日期:2015-03-12 03:21
    本發明專利技術公開了一種CPU外殼的加工方法,該加工方法包括:提供一CPU外殼,其中,CPU外殼的組成材料為金屬;根據CPU外殼的預期疏水性要求,通過有機氟化物對CPU外殼進行化學氟化修飾,使CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜。本發明專利技術通過在CPU外殼表面進行有機氟化物的化學氟化修飾,能夠在CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜,從而降低CPU外殼表面的自由能,使CPU處于浸沒式液冷系統中時,強化CPU外殼表面的冷卻劑的沸騰性能,達到對CPU快速降溫的目的。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及服務器領域,具體來說,涉及一種CPU外殼以及CPU外殼的加工方法
    技術介紹
    目前的計算機大多采用風冷的方式給機器中的設備(例如CPU)降溫,但是眾所周知,水冷或液冷的降溫方式相比于風冷來說,其是有著兩大優勢的,一方面,它們是通過將冷卻劑或制冷劑直接導向熱源的方式來實現對機器的降溫,而并非是像風冷所采用的間接制冷的方式;另一方面,水冷或液冷的降溫方式中的冷卻劑或制冷劑每單位體積所傳輸的熱量(即,散熱效率)是風冷的降溫方式的約3500倍。因此,人們也極度渴望將這種降溫效率高、效果好的降溫方式(即水冷或液冷)應用于計算機中的設備(例如CPU)。以液冷的降溫方式為例,當采用直接式液冷系統來對計算機的設備(例如CPU)進行降溫時,首先需要將CPU的翅片和風扇卸下,然后將設有外罩的CPU浸泡在制冷劑中來進行冷卻降溫,在降溫過程中,隨著制冷劑的相變就可以實現對CPU的換熱,來達到對CPU冷卻降溫的目的,具體的,即利用制冷劑(液態)在CPU的高溫表面沸騰時所發生的汽化潛熱來帶走熱量,但是由于現有的CPU的金屬外罩表面普遍不易產生氣泡,也就是說,CPU的金屬外罩的沸騰性能并不好,那么,當計算機開機啟動后,由于CPU的溫度上升速度快,那么當采用這種直接浸泡式并且利用相變來對CPU降溫的液冷方式時,顯然并不能夠達到預期的降溫效果,而且還會導致CPU的穩態溫度較高,使其極容易達到極限溫度,不利于CPU的降溫。由此可見,雖然液冷或水冷的降溫方式較風冷降溫方式存在著一定的優勢,但是當采用直接浸泡和相變的方式來對CPU進行降溫時,液冷或水冷的降溫方式顯然并不能夠達到預期的降溫效果,而究其原因,還是因為CPU的金屬外罩的表面不易產生氣泡,沸騰性能差。針對相關技術中所存在的上述問題,目前尚未提出有效的解決方案。
    技術實現思路
    針對相關技術中的上述問題,本專利技術提出一種CPU外殼以及CPU外殼的加工方法,能夠在CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜,從而降低CPU外殼表面的自由能,使CPU處于浸沒式液冷系統中時,強化CPU外殼表面的冷卻劑的沸騰性能,達到對CPU快速降溫的目的。本專利技術的技術方案是這樣實現的:根據本專利技術的一個方面,提供了一種CPU外殼的加工方法。該加工方法包括:提供一CPU外殼,其中,CPU外殼的組成材料為金屬;根據CPU外殼的預期疏水性要求,通過有機氟化物對CPU外殼進行化學氟化修飾,使CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜。其中,在通過有機氟化物對CPU外殼進行化學氟化修飾時,可通過有機氟化物與CPU外殼表面發生反應,來實現對CPU外殼的化學氟化修飾。其中,該有機氟化物可包括1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基甲硅烷。此外,在對CPU外殼進行化學氟化修飾之前,該加工方法進一步包括:根據CPU外殼的預期疏水性要求,在預定的溫度下,通過無機化合物溶液對CPU外殼進行預定時間的化學刻蝕,使CPU外殼表面形成氧化膜。其中,對于該無機化合物溶液的組成成分來說,其可包括以下至少之一:氫氧化鈉溶液;過硫酸鉀溶液。此外,該CPU外殼的組成材料可包括:銅、鎳。另外,在對CPU外殼進行化學刻蝕之前,該加工方法進一步包括:通過預定的化合物溶液與CPU外殼的組成材料中的鎳發生化學反應,從而去除CPU外殼的組成材料中的鎳。根據本專利技術的另一方面,提供了一種CPU外殼。該CPU外殼包括:一殼體,殼體的組成材料為金屬,其中,殼體內設置有CPU;疏水性有機薄膜,位于殼體的表面,其中,疏水性有機薄膜用于改變殼體的表面的潤濕性。其中,該殼體的組成材料可包括:銅、鎳。此外,該疏水性有機薄膜為超疏水性有機薄膜。本專利技術通過在CPU外殼表面進行有機氟化物的化學氟化修飾,能夠在CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜,從而降低CPU外殼表面的自由能,使CPU處于浸沒式液冷系統中時,強化CPU外殼表面的冷卻劑的沸騰性能,達到對CPU快速降溫的目的。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是根據本專利技術實施例的CPU外殼的加工方法的流程圖;圖2是根據本專利技術實施例的CPU外殼的表面與水的接觸角的測量示意圖;圖3是根據本專利技術實施例的CPU外殼的俯視圖。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖,對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術保護的范圍。根據本專利技術的實施例,提供了一種CPU外殼的加工方法。如圖1所示,根據本專利技術實施例的加工方法包括:步驟S101,提供一CPU外殼,其中,CPU外殼的組成材料為金屬;步驟S103,根據CPU外殼的預期疏水性要求,通過有機氟化物對CPU外殼進行化學氟化修飾,使CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜。通過本專利技術的上述方案,能夠在CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜,從而使CPU外殼具有疏水性表面,進而降低CPU外殼表面的自由能,使CPU處于浸沒式液冷系統中時,能夠強化CPU外殼表面的冷卻劑的沸騰性能,從而達到對CPU快速降溫的目的。為了方便對本專利技術的技術效果的理解,下面引入潤濕性來對本專利技術的疏水性有機薄膜進行說明,其中,固體表面的潤濕性可以用接觸角來衡量,其中,與水的接觸角大于90度的表面為疏水表面,而接觸角小于90度的表面則為親水表面,而接觸角小于10度的表面則為超親水表面,而超疏水表面則是指與水的接觸角大于150度、滾動角小于10度的表面,例如荷葉就是一種超疏水表面,也就是說,與水的接觸角越大的表面其疏水性也越強。而疏水性表面是具有較大的接觸角和較低的自由能的,因此,具有疏水性表面的CPU外殼在采用直接浸泡且基于相變的液冷或水冷降溫方式來對CPU進行降溫時,就可以使液態的制冷劑或冷卻劑在CPU外殼的表面沸騰形成氣泡時所克服的能障更小,從而促進液態的制冷劑或冷卻劑在CPU外殼的表面沸騰換熱,從而降低CPU的溫度。那么為了更好的理解本專利技術的CPU外殼的加工方法,下面結合一具體實施例對本專利技術的上述技術方案進行詳細闡述。在本實施例中本文檔來自技高網
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    CPU外殼以及CPU外殼的加工方法

    【技術保護點】
    一種CPU外殼的加工方法,其特征在于,包括:提供一CPU外殼,其中,所述CPU外殼的組成材料為金屬;根據所述CPU外殼的預期疏水性要求,通過有機氟化物對所述CPU外殼進行化學氟化修飾,使所述CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜。

    【技術特征摘要】
    1.一種CPU外殼的加工方法,其特征在于,包括:
    提供一CPU外殼,其中,所述CPU外殼的組成材料為金屬;
    根據所述CPU外殼的預期疏水性要求,通過有機氟化物對所述CPU
    外殼進行化學氟化修飾,使所述CPU外殼表面形成疏水性有機薄膜。
    2.根據權利要求1所述的加工方法,其特征在于,通過有機氟化物對
    所述CPU外殼進行化學氟化修飾包括:
    通過所述有機氟化物與所述CPU外殼表面發生反應,實現對所述CPU
    外殼的化學氟化修飾。
    3.根據權利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述有機氟化物包
    括1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基甲硅烷。
    4.根據權利要求1所述的加工方法,其特征在于,在對所述CPU外殼
    進行化學氟化修飾之前,所述加工方法進一步包括:
    根據所述CPU外殼的預期疏水性要求,在預定的溫度下,通過無機化
    合物溶液對所述CPU外殼進行預定時間的化學刻蝕,使所述CPU外殼表
    面形成氧化膜。
    5.根...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王晨范娟劉廣輝吳宏杰童中原張衛平孟祥浩孫振崔新濤
    申請(專利權)人:曙光信息產業北京有限公司
    類型:發明
    國別省市:北京;11

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