本實用新型專利技術公開了一種磁流變阻尼器，包括上下相連的阻尼缸和補償缸。阻尼缸包括外筒，外筒內設內筒，內筒外壁交替套有磁軛環、永磁環，相鄰磁軛環與其間永磁環形成的環形槽內繞有勵磁線圈，磁軛環與勵磁線圈外交替套有導磁套環、隔磁套環，導磁套環和隔磁套環與外筒內壁間形成環形阻尼通道，外筒上下端口安裝上下端蓋，內筒設有將其內阻尼腔室分為上下腔室的阻尼活塞，上下腔室與阻尼通道連通。補償缸包括筒體，筒體上端口與下端蓋相接，筒體下端口安裝端蓋，筒體內形成補償腔室，筒體設有將補償腔室分為液氣室的浮動活塞，液室與下腔室連通。本實用新型專利技術解決了已有磁流變阻尼器可調阻尼力與可調倍數相矛盾等問題，特別適用于沖擊性振動系統的半主動控制。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種用于結構振動半主動控制的雙筒式磁流變阻尼器，屬于磁流 變阻尼器設計領域。
技術介紹
磁流變阻尼器是一種以智能材料一一磁流變液為工作介質，通過加載磁場改變磁 流變液的粘度而實現阻尼力可調的減振耗能器件，其突出的特點主要是可控性好、結構簡 單、能耗低，是實現結構振動半主動控制的理想器件，目前已廣泛應用于各個領域。然而，在 不同的應用領域，磁流變阻尼器的工作條件存在著巨大的差異。例如在土木工程、醫療等應 用領域，磁流變阻尼器的活塞運動速度低，磁流變液一般處于低流速狀態，因而在感應通道 中的駐留時間足夠長，不需要考慮磁流變液的流變響應時間對阻尼力可控性的影響。但對 于沖擊性振動系統，如在某些工程機械、武器系統、航空航天等應用領域的隔振裝置中，磁 流變阻尼器遭受的是高速或沖擊性載荷，磁流變液的流速高，在感應通道中的駐留時間極 短，磁流變液甚至來不及充分發生流變效應就被沖出感應通道，因而磁流變阻尼器表現為 可控性下降甚至不可控。由上可見，應用于沖擊性振動系統的磁流變阻尼器需要滿足更為 嚴格、苛刻的要求。 已有的磁流變阻尼器如圖1所示，其包括缸體11，缸體11內滑動設有活塞12,活 塞12-端固接有活塞桿13,活塞桿13從缸體11 一端開口伸出，其中：活塞12包括鐵芯 121，鐵芯121側壁上凹設有至少一圈環形線槽122(圖1所示為設計有一圈環形線槽122 的情形），各環形線槽122內纏繞有勵磁線圈14,勵磁線圈14經導線16與電控系統（圖中 未示出）連接，勵磁線圈14和鐵芯121與缸體11內壁之間存在縫隙，縫隙形成環形阻尼通 道15。目前，當將已有的磁流變阻尼器應用于沖擊性振動系統的半主動控制時，其存在以下 幾個問題： 第一，可調倍數與可調阻尼力矛盾。 圖1所示典型的磁流變阻尼器的阻尼力可以近似表示為：【主權項】1. 一種雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于：它包括阻尼缸，阻尼缸底部連接有補償缸， 其中：阻尼缸包括導磁外筒，外筒內設有非導磁內筒，內筒外壁上交替套設有磁軛環、永磁 環，上下相鄰的兩個磁軛環與其之間的永磁環形成的環形槽內纏繞有勵磁線圈，磁軛環與 勵磁線圈外交替套設有導磁套環、隔磁套環，導磁套環、隔磁套環分別與磁軛環、勵磁線圈 相對應設置，導磁套環和隔磁套環與外筒內壁之間形成環形阻尼通道，外筒上、下端口分別 安裝有上、下端蓋，上、下端蓋使內筒固定且內筒內形成阻尼腔室以及使環形阻尼通道的厚 度保持均勻，內筒內設有將阻尼腔室分隔為上、下腔室的阻尼活塞，阻尼活塞上連接有伸出 上端蓋的活塞桿，上、下腔室分別經由上端蓋上的導流槽、下端蓋上的導流槽而與環形阻尼 通道連通；補償缸包括導磁筒體，筒體上端口與下端蓋相接，筒體下端口安裝端蓋，以使筒 體內形成補償腔室，筒體內設有將補償腔室分隔為液室、氣室的導磁浮動活塞，液室經下端 蓋上的聯通孔與下腔室連通。2. 如權利要求1所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述內筒外壁的最上面和最下面均為所述磁軛環，最上面和最下面的所述磁軛環的高 度介于其余所述磁軛環高度的〇. 5倍~1倍之間。3. 如權利要求1或2所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述導磁套環的高度大于所述磁軛環的高度。4. 如權利要求3所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述導磁套環、所述隔磁套環的上、下端部均加工有用于定位和裝配的臺階結構，其 中：臺階結構使所述導磁套環朝向所述環形阻尼通道的一側高度大于未朝向所述環形阻尼 通道的一側高度。5. 如權利要求1所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述永磁環軸向充磁，上下相鄰的兩個所述永磁環的極性相反； 上下相鄰的兩個所述勵磁線圈所通入的電流方向或繞線方向相反，以使上下相鄰的兩 個所述勵磁線圈所產生的磁極方向相反。6. 如權利要求1所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述浮動活塞朝向所述下端蓋的一側設有圓盤形凹槽，凹槽內安裝有永磁餅。7. 如權利要求6所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述永磁餅軸向充磁。8. 如權利要求6所述的雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于： 所述下端蓋朝向所述浮動活塞的一側設有與所述聯通孔相通的圓盤形防吸槽。【專利摘要】本技術公開了一種磁流變阻尼器，包括上下相連的阻尼缸和補償缸。阻尼缸包括外筒，外筒內設內筒，內筒外壁交替套有磁軛環、永磁環，相鄰磁軛環與其間永磁環形成的環形槽內繞有勵磁線圈，磁軛環與勵磁線圈外交替套有導磁套環、隔磁套環，導磁套環和隔磁套環與外筒內壁間形成環形阻尼通道，外筒上下端口安裝上下端蓋，內筒設有將其內阻尼腔室分為上下腔室的阻尼活塞，上下腔室與阻尼通道連通。補償缸包括筒體，筒體上端口與下端蓋相接，筒體下端口安裝端蓋，筒體內形成補償腔室，筒體設有將補償腔室分為液氣室的浮動活塞，液室與下腔室連通。本技術解決了已有磁流變阻尼器可調阻尼力與可調倍數相矛盾等問題，特別適用于沖擊性振動系統的半主動控制。【IPC分類】F16F9-53【公開號】CN204553671【申請號】CN201520239474【專利技術人】彭志召, 張進秋, 劉峻巖, 張詠清, 滕濤, 王興野, 彭虎, 姚軍, 魏立剛 【申請人】中國人民解放軍裝甲兵工程學院【公開日】2015年8月12日【申請日】2015年4月20日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種雙筒式磁流變阻尼器，其特征在于：它包括阻尼缸，阻尼缸底部連接有補償缸，其中：阻尼缸包括導磁外筒，外筒內設有非導磁內筒，內筒外壁上交替套設有磁軛環、永磁環，上下相鄰的兩個磁軛環與其之間的永磁環形成的環形槽內纏繞有勵磁線圈，磁軛環與勵磁線圈外交替套設有導磁套環、隔磁套環，導磁套環、隔磁套環分別與磁軛環、勵磁線圈相對應設置，導磁套環和隔磁套環與外筒內壁之間形成環形阻尼通道，外筒上、下端口分別安裝有上、下端蓋，上、下端蓋使內筒固定且內筒內形成阻尼腔室以及使環形阻尼通道的厚度保持均勻，內筒內設有將阻尼腔室分隔為上、下腔室的阻尼活塞，阻尼活塞上連接有伸出上端蓋的活塞桿，上、下腔室分別經由上端蓋上的導流槽、下端蓋上的導流槽而與環形阻尼通道連通；補償缸包括導磁筒體，筒體上端口與下端蓋相接，筒體下端口安裝端蓋，以使筒體內形成補償腔室，筒體內設有將補償腔室分隔為液室、氣室的導磁浮動活塞，液室經下端蓋上的聯通孔與下腔室連通。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：彭志召，張進秋，劉峻巖，張詠清，滕濤，王興野，彭虎，姚軍，魏立剛，
申請(專利權)人：中國人民解放軍裝甲兵工程學院，
類型：新型
國別省市：北京;11
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