一種鋁硅殼體加工方法技術

本發明專利技術提供一種鋁硅殼體加工方法，包括如下步驟：(1)銑外形；(2)銑矩形臺階孔；(3)銑圓形臺階孔；(4)銑內腔。本發明專利技術通過使用硬度高、耐磨性好的合金涂層立銑刀，能夠長時間保持刀刃鋒利，有效避免鋁硅復合材料機械加工過程中帶來的崩邊、裂紋等缺陷；同時，由于加工方式為干切，消除了切削液、冷卻液對殼體的污染，有效提高殼體后道涂覆層質量；采用本發明專利技術提供的方法進行鋁硅殼體加工，效率高、可操作性強，加工出的產品質量一致性好。

【技術實現步驟摘要】
【專利說明】_種鍋娃殼體加工方法
本專利技術涉及電子元器件封裝領域，具體涉及。
技術介紹
電子器件特別是高端器件正在向小型化、輕量化、高功率密度、多功能和高可靠性等方向發展，對作為其核心組成部分的氣密性金屬封裝外殼在散熱、重量、膨脹系數匹配等方面的要求也越來越高。鋁硅作為一種新型的復合材料，具有以下優點:1)熱膨脹系數在6-17范圍之內可調，能夠滿足于殼體內部陶瓷基板、芯片等組裝熱膨脹系數匹配要求；2)密度在2.3-2.7g/cm3之間，重量輕；3)熱導率彡120w/m*K，散熱快，是一種理想的封裝外殼基體材料，受到封裝外殼行業的廣泛青睞。鋁硅復合材料硅含量一般在22%-50%之間，脆性大，采用傳統加機械加工工藝進行加工，容易出現崩邊、裂紋、掉角等缺陷，制約了其在封裝外殼領域中的大面積推廣和應用。
技術實現思路
本專利技術提供，能夠有效解決鋁硅封裝外殼在機械加工過程出現的裂紋、崩邊、掉角等問題，同時，能夠提高后道涂覆層質量，通過本專利技術的實施，可以實現鋁硅封裝外殼的批量加工制備。為解決上述技術問題，本專利技術采用如下技術方案: ，包括如下步驟: (1)銑外形:使用Φ6或Φ8合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對殼體頂面、底面及四周進行銑削，其中殼體左側銑削出第一凸臺，殼體右側銑削出第二凸臺； (2)銑矩形臺階孔:使用Φ1.5合金涂層立銑刀，轉速設定在5500-6000 RPM范圍之內，進給設定在50-200 mm/min范圍之內，殼體左側的第一凸臺銑削出矩形臺階孔； (3)銑圓形臺階孔:使用同步驟2的刀具及參數對殼體右側的第二凸臺銑削出陣列圓形臺階孔； (4)銑內腔:內腔銑削分為粗銑和精銑兩步，先使用Φ6合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500 RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對內腔進行粗加工；然后使用Φ 3合金涂層立銑刀，轉速設定在4500-5500 RPM范圍之內，進給設定在50-150 mm/min范圍之內，對內腔進行精加工，鋁硅殼體加工完成。鋁硅復合材料是鋁和硅之間形成的“假合金”，顯微組織結構上可以看到大量的硅顆粒，加工過程中如果冷卻液或切削液滲入顆粒之間的孔隙中，不容易去除，影響后道殼體涂覆層質量。進一步地，銑加工方式為干切，切削過程中不使用冷卻液和切削液，避免了對殼體鍍層質量造成影響。優選地，所述鋁硅殼體中硅含量在22%_50%之間，對其他規格的鋁硅稍加優化一下工藝流程及參數后具有同等效果。由以上技術方案可知，本專利技術通過使用硬度高、耐磨性好的合金涂層立銑刀，能夠長時間保持刀刃鋒利，有效避免鋁硅復合材料機械加工過程中帶來的崩邊、裂紋等缺陷；同時，由于加工方式為干切，消除了切削液、冷卻液對殼體的污染，有效提高殼體后道涂覆層質量；采用本專利技術提供的方法進行鋁硅殼體加工，效率高、可操作性強，加工出的產品質量一致性好。【附圖說明】圖1為本專利技術中鋁硅殼體的加工完成圖； 圖2為本專利技術加工方法中步驟I的加工結構圖； 圖3為本專利技術加工方法中步驟2的加工結構圖； 圖4為本專利技術加工方法中步驟3的加工結構圖； 圖5為本專利技術加工方法中步驟4的加工結構圖。圖中:1、第一凸臺，2、第二凸臺，3、矩形臺階孔，4、圓形臺階孔，5、內腔。【具體實施方式】下面結合附圖對本專利技術的一種優選實施方式作詳細的說明。如圖1所示，所述鋁硅殼體具有開口向上的用于放置電子元器件的內腔5，殼體的左側設置有第一凸臺1，殼體右側設置有第二凸臺2，所述第一凸臺上開設有用于連通內腔的矩形臺階孔3，所述第二凸臺上沿其長度方向依次開設有多個圓形臺階孔4。本專利技術鋁硅殼體加工方法的具體步驟包括如下: 步驟1:使用Φ6或Φ8合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500 RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對殼體外形進行銑削，外形包括頂面、底面和四周，其中殼體左側銑削出第一凸臺1，殼體右側銑削出第二凸臺2，參照圖2。步驟2:使用Φ 1.5合金涂層立銑刀，轉速設定在5500-6000 RPM范圍之內，進給設定在50-200 mm/min范圍之內，殼體左側的第一凸臺I銑削出矩形臺階孔3，參照圖3。步驟3:用同步驟2的刀具及參數對殼體右側的第二凸臺2銑削出陣列圓形臺階孔4，參照圖4。步驟4:內腔5銑削分為粗銑和精銑兩步，先使用Φ6合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500 RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對內腔進行粗加工；然后使用Φ 3合金涂層立銑刀，轉速設定在4500-5500 RPM范圍之內，進給設定在50-150mm/min范圍之內，對內腔進行精加工，參照圖5，至此，鋁硅殼體加工完成。以上所述實施方式僅僅是對本專利技術的優選實施方式進行描述，并非對本專利技術的范圍進行限定，在不脫離本專利技術設計精神的前提下，本領域普通技術人員對本專利技術的技術方案作出的各種變形和改進，均應落入本專利技術的權利要求書確定的保護范圍內。【主權項】1.，其特征在于，包括如下步驟: (1)銑外形:使用Φ6或Φ8合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對殼體頂面、底面及四周進行銑削，其中殼體左側銑削出第一凸臺，殼體右側銑削出第二凸臺； (2)銑矩形臺階孔:使用Φ1.5合金涂層立銑刀，轉速設定在5500-6000 RPM范圍之內，進給設定在50-200 mm/min范圍之內，殼體左側的第一凸臺銑削出矩形臺階孔； (3)銑圓形臺階孔:使用同步驟2的刀具及參數對殼體右側的第二凸臺銑削出陣列圓形臺階孔； (4)銑內腔:內腔銑削分為粗銑和精銑兩步，先使用Φ6合金涂層立銑刀，轉速設定在3500-4500 RPM范圍之內，進給設定在450-550 mm/min范圍之內，對內腔進行粗加工；然后使用Φ 3合金涂層立銑刀，轉速設定在4500-5500 RPM范圍之內，進給設定在50-150 mm/min范圍之內，對內腔進行精加工，鋁硅殼體加工完成。2.根據權利要求1所述的鋁硅殼體加工方法，其特征在于，銑加工方式為干切，切削過程中不使用冷卻液和切削液。3.根據權利要求1所述的鋁硅殼體加工方法，其特征在于，所述鋁硅殼體中硅含量在22%-50% 之間 ο【專利摘要】本專利技術提供，包括如下步驟：(1)銑外形；(2)銑矩形臺階孔；(3)銑圓形臺階孔；(4)銑內腔。本專利技術通過使用硬度高、耐磨性好的合金涂層立銑刀，能夠長時間保持刀刃鋒利，有效避免鋁硅復合材料機械加工過程中帶來的崩邊、裂紋等缺陷；同時，由于加工方式為干切，消除了切削液、冷卻液對殼體的污染，有效提高殼體后道涂覆層質量；采用本專利技術提供的方法進行鋁硅殼體加工，效率高、可操作性強，加工出的產品質量一致性好。【IPC分類】B23C5/16, B23C3/00【公開號】CN104923839【申請號】CN201510356828【專利技術人】趙飛, 黃志剛, 朱小軍 【申請人】合肥圣達電子科技實業公司【公開日】2015年9月23日【申請日】2015年6月25日本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鋁硅殼體加工方法，其特征在于，包括如下步驟：（1）銑外形：使用φ6或φ8合金涂層立銑刀，轉速設定在3500?4500?RPM范圍之內，進給設定在450?550?mm/min范圍之內，對殼體頂面、底面及四周進行銑削，其中殼體左側銑削出第一凸臺，殼體右側銑削出第二凸臺；（2）銑矩形臺階孔：使用φ1.5合金涂層立銑刀，轉速設定在5500?6000?RPM范圍之內，進給設定在50?200?mm/min范圍之內，殼體左側的第一凸臺銑削出矩形臺階孔；（3）銑圓形臺階孔：使用同步驟2的刀具及參數對殼體右側的第二凸臺銑削出陣列圓形臺階孔；（4）銑內腔：內腔銑削分為粗銑和精銑兩步，先使用φ6合金涂層立銑刀，轉速設定在3500?4500?RPM范圍之內，進給設定在450?550?mm/min范圍之內,對內腔進行粗加工；然后使用φ3合金涂層立銑刀，轉速設定在4500?5500?RPM范圍之內，進給設定在50?150?mm/min范圍之內,對內腔進行精加工，鋁硅殼體加工完成。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙飛，黃志剛，朱小軍，
申請(專利權)人：合肥圣達電子科技實業公司，
類型：發明
國別省市：安徽;34