液晶顯示器的像素陣列制造技術

本文討論了一種液晶顯示器的像素陣列。該像素陣列可以包括：第一像素，包括被充電至第一數據電壓的第一像素電極、位置與第一像素電極相對并形成電場的上部公共電極、向上部公共電極施加公共電壓的下部公共電極、以及用于在預定時段期間保持第一數據電壓的第一存儲電容器；以及第二像素，包括被充電至第二數據電壓的第二像素電極、上部公共電極、下部公共電極以及用于在預定時段期間保持第二數據電壓的第二存儲電容器。第一存儲電容器和第二存儲電容器位于在水平方向上位置彼此相鄰的第一像素與第二像素之間的存儲區域中。

【技術實現步驟摘要】
【專利說明】液晶顯示器的像素陣列本申請要求于2014年7月15日提交的第10-2014-0089363號韓國專利申請的優先權，其通過引用全部合并于此。
本專利技術的實施例涉及液晶顯示器的像素陣列。
技術介紹
顯示裝置已快速地從大型陰極射線管(CRT)變為具有剖面薄、重量輕且屏幕大的平板顯示器(FPD)。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(TOP)、有機發光二極管(0LED)顯示器以及電泳顯示器(ETO)。在平板顯示器之中，液晶顯示器通過基于數據電壓控制向液晶分子施加的電場來顯示圖像。有源矩陣液晶顯示器由于工藝技術和驅動技術的發展而降低了制造成本并改進了性能。因此，有源矩陣液晶顯示器應用于從小型移動裝置到大型電視機的許多顯示裝置并得到了廣泛使用。如圖1所示，根據現有技術的液晶顯示器包括分別形成在數據線DL與柵極線GL的交叉點處的像素。每個像素可包括像素電極UPXL、位置與像素電極UPXL相對且形成液晶驅動電場的上部公共電極UC0M、與上部公共電極UC0M接觸的下部公共電極DC0M以及響應于來自柵極線GL的柵極脈沖(或掃描脈沖)而接通在數據線DL與像素電極UPXL之間流動的電流的薄膜晶體管(TFT)。數據電壓被施加至數據線DL，以及公共電壓被施加至下部公共電極DC0M。像素電極UPXL通過接觸孔CT連接至TFT的漏電極(或源電極)，并且接收通過TFT施加的數據線DL上的數據電壓。上部公共電極UC0M通過接觸孔(未示出)連接至下部公共電極DC0M并且從下部公共電極DC0M接收公共電壓。每個TFT僅在一幀的一部分(例如，一個水平時段)(下文中稱為“充電時段”)期間保持接通狀態，并且在該一幀的剩余時段期間保持關斷狀態。因而，每個像素包括存儲電容器，使得在剩余時段期間保持在充電時段期間充電至像素電極UPXL的數據電壓。存儲電容器的一個電極必須連接至像素電極UPXL，并且存儲電容器的另一電極必須連接至上部公共電極UC0M或下部公共電極DC0M，以保持數據電壓。為此，如圖1和圖2所示，在現有技術的液晶顯示器中，使用連接至像素電極UPXL的TFT的漏電極MPXL作為一個電極以及使用下部公共電極DC0M作為另一電極的存儲電容器Cst形成在柵極線GL附近。在圖2中，“GLS”表示基板，“GI”表示柵極絕緣層，以及“PAS”表示無機絕緣層。存儲電容器Cst的電容與構成存儲電容器Cst的兩個電極之間的重疊區域成比例，并且與存儲電容器Cst的兩個電極之間的間隔距離成反比。存儲電容器Cst的電容可能根據在存儲電容器Cst的工藝中必定產生的寄生電容而變化。在該示例中，在構成存儲電容器Cst的兩個電極與不用于構成存儲電容器Cst的另一電極之間產生寄生電容。例如，在柵極線GL與TFT的漏電極MPXL之間存在寄生電容Cgd，在柵極線GL與TFT的源電極之間存在寄生電容Cgs等。由于當寄生電容的影響增加時存儲電容器Cst的電壓保持強度降低，因此存儲電容器Cst的面積必須增大以便獲得期望的電壓保持強度。由于現有技術的液晶顯示器包括形成在柵極線GL附近的存儲電容器Cst，因此存儲電容器Cst的電壓保持強度由于柵極線GL而降低?，F有技術的液晶顯示器包括以大面積形成以補償電壓保持強度的降低的存儲電容器Cst，但這導致顯示器的開口率減小。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供了能夠最小化由存儲電容器導致的開口率的減小的液晶顯示器的像素陣列。在一個方面，存在一種液晶顯示器的像素陣列，其包括:第一像素，包括被充電至第一數據電壓的第一像素電極、位置與第一像素電極相對并形成電場的上部公共電極、向上部公共電極施加公共電壓的下部公共電極、以及用于在預定時段期間保持第一數據電壓的第一存儲電容器；以及第二像素，包括被充電至第二數據電壓的第二像素電極、位置與第二像素電極相對并形成電場的上部公共電極、向上部公共電極施加公共電壓的下部公共電極、以及用于在預定時段期間保持第二數據電壓的第二存儲電容器，其中，第一存儲電容器和第二存儲電容器位于在水平方向上位置彼此相鄰的第一像素與第二像素之間的存儲區域中，并且其中，用于驅動第一像素和第二像素的柵極線和數據線位于除了存儲區域外的區域中?！靖綀D說明】為了提供對本專利技術的進一步理解而包括并且并入且構成本說明書的一部分的附圖示出了本專利技術的實施例，并且連同說明書一起用來說明本專利技術的原理。在附圖中:圖1示出了在現有技術的液晶顯示器中的一個像素的平面陣列；圖2是沿圖1的線1-1’得到的橫截面圖；圖3示出了根據本專利技術的實施例的液晶顯示器；圖4示出了根據本專利技術的實施例的存儲電容器的形成區域；圖5A和圖5B示出了根據本專利技術的實施例的形成用作存儲電容器的一個電極的分支像素電極的示例；圖6至圖8示出了其中形成有根據本專利技術的實施例的存儲電容器的像素陣列的示例；圖9示出了圖6的部分XY的具體平面陣列；圖10是沿圖9的線11-11’得到的橫截面圖；圖11A至圖11C示出了根據本專利技術的實施例的劃分用于調整存儲電容器的電容的電極的示例；圖12示出了其中形成有根據本專利技術的實施例的存儲電容器的像素陣列的另一示例；圖13示出了圖12的部分XY的具體平面陣列的示例；圖14是沿圖13的線II1-1II’得到的橫截面圖；圖15示出了根據本專利技術的實施例的圖13的變型示例；以及圖16是沿圖15的線II1-1II’得到的橫截面圖?！揪唧w實施方式】現在，將詳細地參照本專利技術的實施例，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，在全部附圖中相同的附圖標記將用來指代相同或類似部分。應注意，如果已知的技術會導致誤解本專利技術的實施例，則將省略這些技術的詳細描述。圖3示出了根據本專利技術的實施例的液晶顯示器。圖4示出了根據本專利技術的實施例的存儲電容器的形成區域。圖5A和圖5B示出了形成用作存儲電容器的一個電極的分支像素電極的示例。參照圖3和圖4，根據本專利技術的實施例的液晶顯不器包括:液晶顯不面板10、定時控制器11、數據驅動電路12和柵極驅動電路13。在本實施例和其他實施例中的液晶顯示器的所有部分被可操作地耦合且配置。可在任何已知的液晶模式下實現根據本專利技術的實施例的液晶顯示器，該已知的液晶模式包括扭曲向列(TN)模式、垂直配向(VA)模式、平面切換(IPS)模式、邊緣場切換(FFS)模式等。根據本專利技術的實施例的液晶顯示器可被實現為包括透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器等的任何類型的液晶顯示器。液晶顯示面板10包括彼此位置相對的上部基板和下部基板，其中液晶單元Clc置于上部基板與下部基板之間。視頻數據顯示在包括以矩陣形式布置的像素的液晶顯示面板10的像素陣列上。像素陣列包括形成在液晶顯示面板10的下部基板上的薄膜晶體管(TFT)陣列以及形成在液晶顯示面板10的上部基板上的濾色器陣列?？墒褂肅OT (TFT上濾色器)工藝將濾色器形成在下部基板的TFT陣列上。TFT陣列包括垂直線和水平線。垂直線沿著液晶顯示面板10的垂直方向(S卩，圖3的Y軸方向)形成。水平線沿著液晶顯示面板10的水平方向(S卩，圖3的X軸方向)形成并且垂直于垂直線。垂直線包括數據線DL，以及水平線包括柵極線GL。薄膜晶體管(TFT)形成在TFT陣列的數據線DL與柵極線GL的每個交叉點處。TFT本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種液晶顯示器的像素陣列，所述像素陣列包括：第一像素，包括被充電至第一數據電壓的第一像素電極、位置與所述第一像素電極相對并形成電場的上部公共電極、向所述上部公共電極施加公共電壓的下部公共電極、以及用于在預定時段期間保持所述第一數據電壓的第一存儲電容器；以及第二像素，包括被充電至第二數據電壓的第二像素電極、位置與所述第二像素電極相對并形成電場的上部公共電極、向所述上部公共電極施加公共電壓的下部公共電極、以及用于在預定時段期間保持所述第二數據電壓的第二存儲電容器，其中，所述第一存儲電容器和所述第二存儲電容器位于在水平方向上位置彼此相鄰的所述第一像素與所述第二像素之間的存儲區域中，并且其中，用于驅動所述第一像素和所述第二像素的柵極線和數據線位于除了所述存儲區域外的區域中。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭英敃，李源鎬，
申請(專利權)人：樂金顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR