一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法技術
【技術實現步驟摘要】
一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法
本專利技術涉及一種PVT法制備半導體單晶材料的摻雜方法，特別涉及一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法。
技術介紹
物理氣相傳輸法（PVT法）制備半導體單晶材料的工藝過程是一個升華凝華過程，也是熱量、質量和動力的輸運過程，通過調節單晶爐溫場分布、生長氣壓、載氣流量等參數，降低內部缺陷和雜質元素，最終制備出高質量的半導體單晶材料。一般情況下，本征的半導體材料電學性能無法滿足器件使用要求，為了調節、控制半導體的電學性質，在半導體單晶材料的PVT法制備工藝完成以后，常常通過擴散或離子注入工藝，將特定元素摻入半導體材料體內，得到所需的電學性能的半導體單晶材料，其中采用擴散工藝制備的半導體材料，擴散濃度隨深度變化明顯，其電學均勻性不好，對工藝的控制精度要求較高，而離子注入工藝設備昂貴而復雜，注入過程中由于入射離子的碰撞易導致晶體結構的損傷，因此必須增加退火工藝進行晶體結構修復。總之，傳統的PVT法制備半導體單晶材料，把半導體單晶材料的生長工藝和摻雜工藝分別獨立實現，增加了工藝復雜性，同時，摻雜工藝存在摻雜均勻性差、易引起晶體結構損傷等問題。
技術實現思路
鑒于傳統的摻雜技術帶來的諸多問題，本專利技術提出一種PVT法單晶生長原位摻雜方法，即在PVT法晶體生長過程中，同時加入特殊物質的氣氛，特殊物質為需要摻雜的物質的單質元素或化合物，使摻雜元素伴隨晶體生長的過程進入到晶體內部格點位置，保證了摻雜均勻性和晶體結構完整性，從而實現理想摻雜效果，具體技術方案是，一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，采用兩溫區...
【技術保護點】
一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，采用兩溫區PVT晶體生長爐，步驟如下：1）、將原料、摻雜物進行工藝處理后混合一起放入兩溫區PVT晶體生長爐原料區（1）、襯底放入爐內襯底（5）位置；2）、調置PVT晶體生長爐一溫區、二溫區溫度，其溫度范圍根據原材料物理性能特點決定；?3）、待生長工藝結束后取出生長管（4），即可得到摻雜元素的單晶。
【技術特征摘要】
1.一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，采用兩溫區PVT晶體生長爐，步驟如下：1）、將原料、摻雜物進行工藝處理后混合一起放入兩溫區PVT晶體生長爐原料區（1）、襯底放入爐內襯底（5）位置；2）、調置PVT晶體生長爐一溫區、二溫區溫度，其溫度范圍根據原材料物理性能特點決定，即在PVT法晶體生長過程中，同時加入特殊物質的氣氛，特殊物質為需要摻雜的物質的單質元素或化合物，使摻雜元素伴隨晶體生長的過程進入到晶體內部格點位置，保證了摻雜均勻性和晶體結構完整性，從而實現理想摻雜效果；3）、待生長工藝結束后取出生長管（4），即可得到摻雜元素的單晶；PVT法制備摻氯元素的N型低阻硫化鎘單晶，硫化鎘單...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張穎武，程紅娟，練小正，張志鵬，李璐杰，司華青，徐永寬，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第四十六研究所，
類型：發明
國別省市：天津;12
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。