用于高溫應用的無電涂覆磁盤及其制造方法技術

本發(fā)明專利技術涉及用于高溫應用的無電涂覆磁盤及其制造方法。本發(fā)明專利技術提供一種用于硬盤驅動器的磁盤。該磁盤包括含有鋁的襯底以及設置在該襯底上的涂層。該涂層包括Ni、X1和X2的合金，其中X1包括從由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括B或P，且其中X1和X2不包括相同的元素。

【技術實現步驟摘要】
【專利說明】本申請是申請日為2011年8月2日、名稱為“”的中國專利申請201110224268.X的分案申請。
本專利技術一般涉及硬盤驅動器，并且特別涉及。
技術介紹
硬盤驅動器媒介中所用的磁盤通常包括鋁-鎂(AlMg)襯底，該襯底被鍍覆諸如鎳-磷(NiP)等材料以提供光滑表面，在該光滑表面上沉積磁記錄層，數據可以被存儲在該磁記錄層上。為了適應對增加的數據存儲空間的增長需求，未來的硬盤驅動器可以利用例如EAMR(能量輔助磁記錄)等技術，該技術需要具有高磁各向異性(Ku)的磁記錄層。這種磁記錄層可以包括需要超過300°C的沉積溫度的合金。然而，當前用于提供在其上沉積磁記錄層的光滑表面的N1-P涂料不能在不顯著地增加表面粗糙度的情況下承受如此熱的溫度。
技術實現思路
本專利技術的各個實施例通過提供具有涂層的鋁質磁盤來解決上述問題，該涂層具有增加的熱穩(wěn)定性以便用于高Ku的磁記錄層。根據主題公開的一個方面，一種用于硬盤驅動器的磁盤包括含有鋁的襯底以及設置在該襯底上的涂層。該涂層包括N1、XJP X 2的合金，其中X 1包括從由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括B或P，且其中X JP X 2不包括相同的元素。根據主題公開的另一個方面，一種形成用于硬盤驅動器的磁盤的方法包括以下步驟:提供含有鋁的襯底；在該襯底上設置鋅酸鹽層；以及在該鋅酸鹽層上無電鍍覆涂層(化學鍍覆涂層)。該涂層包括N1、XjP X 2的合金，其中X 1包括從由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括B或P，且其中X X2不包括相同的元素。應該理解本專利技術的前述概要以及以下詳細描述是示例性和解釋性的，并且意欲提供對要求保護的本專利技術的進一步解釋。【附圖說明】附圖被包括在說明書中以提供對本專利技術的進一步理解，并且被合并到說明書中以構成該說明書的一部分，這些附圖圖示說明本專利技術的實施例并且與說明書一起用于解釋本專利技術的原理。在附圖中:圖1圖示說明根據主題公開的一個方面用在硬盤驅動器中的磁盤。圖2是流程圖，其圖示說明根據主題公開的一個方面形成用于硬盤驅動器的磁盤的方法。【具體實施方式】在以下詳細描述中，闡述大量具體細節(jié)以提供對本專利技術的完整理解。然而，對本領域技術人員來說顯而易見的是本專利技術可以在沒有這些具體細節(jié)中的一些的情況下被實施。在其他示例中，眾所周知的結構和技術未被詳細顯示以避免不必要地使本專利技術不清楚。圖1圖示說明根據主題公開的一個方面用在硬盤驅動器中的磁盤100，其包括含有鋁的襯底101以及設置在該襯底上的涂層103。襯底101可以包括例如鋁(A1)和鎂(Mg)的合金。涂層103包括N1、XjPX2的合金，其中Xi包括從由銀(Ag)、金(Au)、硼(B)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎵(Ga)、銦(In)、錳(Mn)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鉛(Pb)、銻(Sb)、砸(Se)、錫(Sn)、碲(Te)、鎢(W)、鋅(Zn)和鋯(Zr)構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括硼(B)或磷(P)，且其中XjPX2不包括相同的元素。根據主題公開的一個方面，涂層的厚度可以在大約1至20 μηι(微米)之間。根據主題公開的一個方面，磁盤100可以進一步包括設置在襯底101與涂層103之間的鋅酸鹽層102。鋅酸鹽層102提供可有助于防止鋁襯底101被氧化的屏障。根據主題公開的另一個方面，磁盤100可以還包括設置在涂層103上的磁記錄層104。磁記錄層104可以包括一種材料，該材料可能需要高溫(例如300°C以上)沉積工藝，其包括例如Fe、Pt、Sm和Co中的一種或多于一種。根據主題公開的某些方面，經拋光的AlMg/N1-XfXg磁盤與常規(guī)NiP涂覆的AlMg磁盤相比更易具有增加的熱穩(wěn)定性。例如，將Cu添加到NiP涂層合金有助于遏止Ni的磁性，該磁性由于Ni的結晶化和晶體成長而在高溫(例如高于340°C)下的常規(guī)NiP涂層中形成。在這方面，根據主題公開的一個方面，&可以包括Cu和另一種元素如從由B、In、Mo、Sn和W構成的組中選擇的元素。相應地，根據主題公開的某些方面，例如該合金可以是四元合金如N1-Cu-1n-P (即此處Xi包括Cu和In且X 2包括P)、N1-Cu-Mo-P (即此處X丨包括Cu和Mo且X2包括P)或者N1-Cu-B-P (即此處X !包括Cu和B且X 2包括P)。根據主題公開的一個方面，該合金可以包括重量百分比在大約30%和大約70%之間的Ni以及重量百分比在大約3%和大約11%之間的X2。&的每種組分可以表示重量百分比在大約1.5%和大約42%之間的合金。根據主題公開的一個方面，該涂層被拋光后在用原子力顯微鏡測量時可具有小于大約0.5nm(納米)的粗糙度Ra。根據主題公開的一個方面，因為涂層的改進的熱穩(wěn)定性，它在被加熱到大約450°C之后用原子力顯微鏡測量時維持小于大約1.0nm的粗糙度Ra。圖2是流程圖，其圖示說明根據主題公開的一個方面形成用于硬盤驅動器的磁盤的方法。該方法開始于步驟201，其中提供含有鋁的襯底。在步驟202中，在襯底上設置鋅酸鹽層。根據主題公開的一個方面，該鋅酸鹽層可以在高Ph值條件下在堿性水浴中被沉積。作為替代，該鋅酸鹽層可以通過酸性鋅沉浸工藝而被沉積。在步驟203中，通過無電鍍膜法/化學鍍膜法在鋅酸鹽層上提供涂層。該涂層包括 N1.X^P X 2的合金，其中 X:包括從由 Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括B或P，且其中X:和x2不包括相同的元素。無電鍍覆該涂層的步驟可以包括將襯底置于鍍液中，該鍍液包含:Ni和&中的每一種的一種或多于一種金屬源；用于還原該一種或多于一種金屬源的還原劑，該還原劑包括X2;減少金屬沉淀的一種或多于一種絡合劑(complexor)種或多于一種穩(wěn)定劑；以及一種或多于一種pH值調節(jié)添加劑。根據主題公開的一個方面，該鍍液可以具有在大約5與大約9之間的pH值。這一 pH值范圍可以允許實現&的每種組分在大約1.5%的重量百分比和大約42%的重量百分比之間。根據主題公開的另一個方面，當襯底被置于鍍液中時該鍍液可以被保持在大約160° F與大約195° F之間的溫度下。根據主題公開的一個方面，該鍍液可以具有小于6的金屬循環(huán)(ΜΤ0)(金屬開缸量，metal turn over)。例如，根據主題公開的一個方面，鍍液的ΜΤ0可以被保持在大約2.0與4.5之間。將ΜΤ0保持在這些水平可允許實現經濟的鍍覆性能和持續(xù)可復制的鍍覆結果。在鍍液的壽命期間，鍍液中亞磷酸鹽的離析可以被用于保持穩(wěn)定的亞磷酸鹽濃度。根據主題公開的一個方面，Ni的一種或多于一種金屬源可以包括硫酸鎳、氨基磺酸鎳、醋酸鎳、氯化鎳、次亞磷酸鎳和氟硼酸鎳中的一種或多于一種。根據主題公開的另一個方面，X:的一種或多于一種金屬源可以包括硫酸銅、碘酸銅、碘化銅、氯化銅、檸本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種形成用于硬盤驅動器的磁盤的方法，所述方法包括以下步驟：提供含有鋁的襯底；在所述襯底上設置鋅酸鹽層；以及在所述鋅酸鹽層上無電鍍覆涂層，所述涂層包括Ni、X1和X2的合金，其中X1包括從由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr構成的組中選擇的一種或多于一種元素，且其中X2包括B或P，且其中X1和X2不包括相同的元素。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：A·J·魯菲尼，L·A·漢密爾頓，D·布切爾里默，J·M·拉普蘭提，A·謝弗，F·K·洛斯，
申請(專利權)人：西部數據傳媒公司，
類型：發(fā)明
國別省市：美國;US