一種只讀存儲單元和只讀存儲器制造技術

一種只讀存儲單元和只讀存儲器，所述只讀存儲單元包括：晶體管、字線、第一位線、第二位線和差分靈敏放大器，所述字線與所述晶體管的柵端連接，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，且所述第一位線和所述第二位線還分別與所述差分靈敏放大器的正向輸入端和反向輸入端連接。上述的方案可以提高只讀存儲單元的讀取速度，且減小只讀存儲單元所占用的面積。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體
，特別是涉及一種只讀存儲單元和只讀存儲器。
技術介紹
只讀存儲器(Read-Only Memory, ROM),是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器，其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，并且資料不會因為電源關閉而丟失ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電后所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲各種固定程序和數據。現有的ROM單元通常只有一條位線，通常存在著讀取速度緩慢或者讀取精度低且占用面積大的問題。
技術實現思路
本專利技術實施例解決的是如何提高只讀存儲單元的讀取進度和速度，并減小只讀存儲單元所占用的面積。為解決上述問題，本專利技術實施例提供了一種只讀存儲單元，所述只讀存儲單元包括:晶體管、字線、第一位線、第二位線和差分靈敏放大器，所述字線與所述晶體管的柵端連接，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，且所述第一位線和所述第二位線還分別與所述差分靈敏放大器的正向輸入端和反向輸入端連接。可選地，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，包括:當所述只讀存儲單元中存儲的信息為0時，所述第一位線與所述晶體管的漏端連接當所述只讀存儲單元中存儲的信息為1時，所述第二位線與所述晶體管的漏端連接。可選地，所述晶體管為金氧半場效晶體管。本專利技術實施例還提供了一種只讀存儲器，包括只讀存儲單元，其中，所述只讀存儲單元包括:晶體管、字線、第一位線、第二位線和差分靈敏放大器，所述字線與所述晶體管的柵端連接，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，且所述第一位線和所述第二位線還分別與所述差分靈敏放大器的正向輸入端和反向輸入端連接。可選地，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，包括:當所述只讀存儲單元中存儲的信息為0時，所述第一位線與所述晶體管的漏端連接;當所述只讀存儲單元中存儲的信息為1時，將所述第二位線與所述晶體管的漏端連接。可選地。所述晶體管為金氧半場效晶體管。與現有技術相比，本專利技術的技術方案具有以下的優點:通過為只讀存儲單元設置兩條位線一第一位線和第二位線，并根據所述只讀存儲單元待發送的數據的信息，將晶體管的漏端與第一位線或者第二位線連接，且將所述第一位線和第二位線均預充電至高電平狀態，當第一位線或者第二位線與晶體管的漏端連接時，第一位線與第二位線之間便會構成相應的差分信號，輸入差分靈敏放大器進行信號的讀取，這種采用內部產生的差分信號進行只讀存儲單元的讀取方式，可以避免與相應的外部參考信號產生單元之間的匹配問題，并可以提高讀取速度，且減小只讀存儲單元所占用的面積。【附圖說明】圖1是現有技術中的一種只讀存儲單元的結構示意圖；圖2是現有技術中的另一種只讀存儲單元的結構示意圖；圖3是本專利技術實施例中的一種只讀存儲單元的結構示意圖；圖4是本專利技術實施例中的另一種只讀存儲單元的結構示意圖。【具體實施方式】現有技術中，只讀存儲單元(以下稱為ROM單元)在通常情況下具有一條位線和一條字線，其根據信息的讀取方式不同，可以采用下述的兩種結構形式:圖1示出了現有技術中的一種ROM單元的結構示意圖。如圖1所示的ROM單元可以包括:晶體管11、字線孔12、位線BL13和反相器14，其中，晶體管11的柵端與字線WL12相連接，源端與地線15連接，漏端與位線BL13，且位線BL13還與反相器14的輸入端相連接。在讀取ROM單元中存儲的數據時，字線WL12打開，由于晶體管11的漏端與位線BL13連接，使得位線BL13和地線15(VSS)相連接，使得位線BL13的電平信號被下拉至反相器14的翻轉電平以下。此時，反相器14的輸出端輸出的信號被定義為存“0”，即所述ROM單元中存儲的數據為0，反之，所述ROM單元中存儲的數據為1。上述的ROM單元在讀取數據時，由于將位線BL13下拉至翻轉電平以下需要一段時間，因此，降低了 ROM單元的讀取速度。圖2示出了現有技術中的另一種ROM單元的結構示意圖。如圖2所示的ROM單元可以包括:晶體管21、字線WL22、位線WL23、參考信號產生單元24和差分靈敏放大器25，其中，晶體管21的柵端與字線WL22相連接，源端與地線(VSS) 26連接，漏端與位線WL23連接，且位線WL23還與差分靈敏放大器25的正向輸入端連接，參考信號產生單元24的輸出的參考信號與差分靈敏放大器25的反向輸入端連接。讀取ROM單元中存儲的數據時，字線WL22打開，由于晶體管21的漏端與位線WL23連接，使得位線WL23與參考信號產生單元24輸出的參考信號之間構成差分信號，所述差分信號被差分靈敏放大器14讀取。由于不需要將位線WL23的電平下拉至翻轉電平以下，因而可以有效提升ROM單元的讀取速度。但是，由于參考信號產生單元24的存在，不僅增加了 ROM單元的面積。并且，由于參考信號產生單元24輸出的參考信號和位線WL23的電平信號之間很難做到完全匹配，導致ROM單元的讀取精度也隨之下降。為了彌補參考信號和位線WL23的電平信號不匹配而造成的讀取精度的下降的問題當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種只讀存儲單元，其特征在于，包括：晶體管、字線、第一位線、第二位線和差分靈敏放大器，所述字線與所述晶體管的柵端連接，所述晶體管的漏端根據所述只讀存儲單元中存儲的信息，與所述第一位線或者所述第二位線連接，且所述第一位線和所述第二位線還分別與所述差分靈敏放大器的正向輸入端和反向輸入端連接。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：于躍，王林，黃瑞鋒，吳守道，
申請(專利權)人：展訊通信上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31