控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，包括：第一步驟：建立密封的反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的表面的各個(gè)距離處，反應(yīng)腔側(cè)壁上生成的SiO2Cl4析出的氧離子濃度與反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)之間的第一關(guān)系；第二步驟：建立氧離子濃度和關(guān)鍵尺寸的第二關(guān)系；第三步驟：利用化學(xué)氣相沉積在反應(yīng)腔側(cè)壁上生成預(yù)定厚度的SiO2Cl4；第四步驟：將晶圓置于托盤之上；第五步驟：根據(jù)建立的所述第一關(guān)系和所述第二關(guān)系，基于期望得到的多晶硅柵極尺寸以及使用的反應(yīng)腔的反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)，設(shè)置反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的不同區(qū)域的溫度；第六步驟：在設(shè)置的溫度下，對(duì)晶圓進(jìn)行多晶硅刻蝕。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201610173911

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于包括：第一步驟：建立密封的反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的表面的各個(gè)距離處，反應(yīng)腔側(cè)壁上生成的SiO2Cl4析出的氧離子濃度與反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)之間的第一關(guān)系；第二步驟：建立氧離子濃度和關(guān)鍵尺寸的第二關(guān)系；第三步驟：利用化學(xué)氣相沉積在反應(yīng)腔側(cè)壁上生成預(yù)定厚度的SiO2Cl4；第四步驟：將晶圓置于托盤之上；第五步驟：根據(jù)建立的所述第一關(guān)系和所述第二關(guān)系，基于期望得到的多晶硅柵極尺寸以及使用的反應(yīng)腔的反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)，設(shè)置反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的不同區(qū)域的溫度；第六步驟：在設(shè)置的溫度下，對(duì)晶圓進(jìn)行多晶硅刻蝕。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于包括：
第一步驟：建立密封的反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的表面的各個(gè)距離處，反應(yīng)腔側(cè)壁上生成的SiO2Cl4析出的氧離子濃度與反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)之間的第一關(guān)系；
第二步驟：建立氧離子濃度和關(guān)鍵尺寸的第二關(guān)系；
第三步驟：利用化學(xué)氣相沉積在反應(yīng)腔側(cè)壁上生成預(yù)定厚度的SiO2Cl4；
第四步驟：將晶圓置于托盤之上；
第五步驟：根據(jù)建立的所述第一關(guān)系和所述第二關(guān)系，基于期望得到的多晶硅柵極尺寸以及使用的反應(yīng)腔的反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)，設(shè)置反應(yīng)腔體內(nèi)的托盤的不同區(qū)域的溫度；
第六步驟：在設(shè)置的溫度下，對(duì)晶圓進(jìn)行多晶硅刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，在第一步驟中，通過數(shù)據(jù)采集建立所述關(guān)系。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的控制多晶硅柵極關(guān)鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述關(guān)系反映了不同反應(yīng)腔側(cè)壁使用時(shí)數(shù)下，多晶硅...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：許進(jìn)，唐在峰，陳敏杰，任昱，呂煜坤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海;31