一種超疏水微坑陣列芯片及其制備方法與應用技術

本發明專利技術公開了一種超疏水微坑陣列芯片及其制備方法與應用。該超疏水微坑陣列芯片包括微坑陣列層，所述微坑陣列層上除微坑或微坑底部以外的表面為超疏水表面。所述超疏水微坑陣列芯片可為：1)微坑以外的表面為超疏水表面，超疏水微坑陣列芯片包括微坑陣列層和貼合在微坑陣列層表面上的超疏水層；2)微坑底部以外的表面為超疏水面，微坑陣列層包括基底層和貼合在基底表面的微孔陣列層，微孔陣列層是由超疏水材料制作的。本發明專利技術微坑陣列芯片在構建細胞微陣列過程中可以很低的成本實現細胞微陣列間的完全隔絕，避免細胞陣列之間交叉污染的發生，并且還保證了很好的生物相容性，對各種細胞的正常生長沒有明顯的影響，適宜于高通量細胞檢測和分析。

【技術實現步驟摘要】
201610232372

【技術保護點】
一種超疏水微坑陣列芯片，它包括微坑陣列層，其特征在于：所述微坑陣列層上設有微坑的表面上除微坑或微坑底部以外的表面為超疏水表面。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉鵬，張鵬飛，張健雄，邊升太，程一淳，
申請(專利權)人：清華大學，
類型：發明
國別省市：北京;11