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    應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑及超聲清洗方法技術

    技術編號:13646045 閱讀:97 留言:0更新日期:2016-09-04 10:29
    本發明專利技術公開了應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑,水基清洗劑的配方包括:氫氧化鈉2?30g/l,烷基酚聚氧乙烯醚0.5?10g/l,葡萄糖酸鈉1?20g/l,烷基聚氧乙烯硫酸酯鹽0.1?2g/l,碳酸鈉5?50g/l。本發明專利技術的水基清洗劑有效的克服了有機溶劑成本高、對人畜有害的缺陷,工藝簡單、易于管理,環保無污染、效率高,清洗溫度在30?60℃,能耗低,采用Ramis?CIA清潔度檢查系統對清洗效果進行評價對比,檢測快速靈敏;并且,清洗液經過濾后可重復使用,延長使用壽命。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電化學拋光工藝領域,具體涉及一種應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑及超聲清洗方法
    技術介紹
    C-276哈氏合金帶材因其優異的耐高溫和抗腐蝕性能,被用來作為第二代高溫超導材料的金屬基底,在高溫超導的領域得到了廣泛應用。第二代高溫超導線材是以ReBCO(其中Re=Y,或稀土元素,B=Ba,C=Cu)為基礎的金屬氧化物,具有臨界電流溫度高于液氮溫度的特性。眾所周知,ReBCO具有高溫超導特性的基本要求是ReBCO必須形成雙軸定向生長的晶體結構,從而也就要求用于生長ReBCO高溫超導材料的襯底必須具有相同的晶體結構。Iijima等在1993年首先提出了采用IBAD(ion-beam assisted deposition,離子輔助沉積)方法制備具有雙軸定向生長結構的MgO薄膜晶體(IEEE Transactions on Applied Superconductivity vol.3,No.1,Pt.3,pp.1510-1515,March,1993)。在此基礎上,再采用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition,金屬有機化學氣相沉積)或PLD(pulsed laser deposition,脈沖激光沉積)工藝,就可以制備具有高臨界電流特性的高溫超導線材。然而,采用IBAD工藝制備具有雙軸定向生長結構的MgO薄膜晶體的首要條件是必須采用表面粗糙度RMS<1nm的襯底材料,也就是說,廣泛應用于第二代高溫超導材料的哈氏合金基帶,其表面必須極為平整,在原子力顯微鏡的測定下,表面粗糙度RMS<1nm。為了得到表面極為平整的哈氏合金基帶,對目前市場供應的最高質量的哈氏合金基帶必須進行表面處理,最為有效的可以滿足工業化制備產能的方法是電化學拋光工藝。C-276合金帶材在制造加工過程中,表面氧化層、油脂、碳質膜或其它殘留化學膜、污物、粒子、金屬屑、灰塵,或其它非揮發性沉淀物都可能會影響到基帶的表面電化學拋光處理,還可能毒化拋光液。因此,其表面的清洗是必須的。現在常用的清洗方法種類繁多,或多或少存在一些缺陷:例如,蒸汽脫脂法成本高、能耗高、蒸汽對人畜有害;硝酸-氫氟酸清洗,腐蝕性強、操作不安全、廢水處理困難,不易管理;浸洗、噴洗、機械清洗等方法,效率低,不能滿足下道工序要求;化學清洗工藝,水沖洗-脫脂-水沖洗-酸洗-水沖洗-鈍化-水沖洗-干燥,該工藝繁瑣,其中含有磷酸、Na3PO4、Na2Cr2O7等造成水體富營養化、重金屬鉻污染等,廢水處理困難,不環保,而且化學清洗工藝的操作溫度高,80-90℃,清洗時間長,4-8小時,遠不能滿足工業化要求。目前的普通清洗劑殘留較多,難以滿足洗凈率的要求。并且,傳統的有機溶劑清洗劑還有易燃,有毒,價格高等缺點。所以,研制一種無毒、環保、安全、高效的水基清洗劑就尤為重要。
    技術實現思路
    本專利技術的目的在于克服現有技術存在的以上問題,提供應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑及超聲清洗方法,本專利技術的水基清洗劑主要由NaOH、OP-10、C6H11NaO7、AES、NaCO3按一定比例復配而成,在頻率1KHz的超聲波場中震蕩1分鐘,即可有效去除表面的油污,清洗后的哈氏合金帶材表面具有良好的潤濕性。本專利技術的水基清洗劑有效的克服了有機溶劑成本高、對人畜有害的缺陷,工藝簡單、易于管理,環保無污染、效率高,清洗溫度在30-60℃,能耗低,采用Ramis CIA清潔度檢查系統對清洗效果進行評價對比,檢測快速靈敏;并且,清洗液經過濾后可重復使用,延長使用壽命。為實現上述技術目的,達到上述技術效果,本專利技術通過以下技術方案實現:應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑,水基清洗劑的配方包括:優選地,所述水基清洗劑的配方包括:優選地,一種超聲清洗方法,包括以下步驟:步驟一、按照所述水基清洗劑配方配置1000ml溶液,溶液中的各個組分完全溶解,并且過濾除去溶液中的污物和雜質;步驟二、裁剪哈氏合金帶材C-276的基帶30cm,將基帶對折后放入盛有清洗液的清洗皿中,并且加蓋濾紙防塵;步驟三、將清洗皿放置在超聲波清洗器中,調節溫度為30-60℃,1KHz的頻率下超聲1-3min,冷卻;步驟四、使用微孔過濾膜,減壓過濾,濾液能夠二次使用;步驟五、將微孔過濾膜用濾紙夾具固定,然后放在烘箱中100℃烘干,烘干15min,冷卻后在顯微鏡載物臺中心位置檢測。優選地,步驟三中,將清洗皿放置在超聲波清洗器中,調節溫度為60℃,1KHz的頻率下超聲1min,冷卻;優選地,步驟四中所述的微孔過濾膜的孔徑為0.45μm,減壓至0.1MPa進行過濾。本專利技術的有益效果是:其一、本專利技術的水基清洗劑無有機溶劑加入,制備簡單,各個組分價格相對便宜,成本較低,并且對人畜無害,清洗劑中無硝酸-氫氟酸等強腐蝕性
    酸,操作安全、廢水處理簡單,易于管理。其二、使用本專利技術的水基清洗劑進行超聲波清洗,在超聲震蕩中進行皂化、乳化、滲透反應,水洗后可以直接進入下一道工序,在超聲波裝置中清洗一分鐘完成,效率較高,滿足工業化生產要求,并且清洗溫度為30-60℃,溫度相對較低,能耗低。其三、本專利技術的清洗方法簡單,并且清洗劑中不含磷酸、Na3PO4、Na2Cr2O7,不會造成水體富營養化、重金屬鉻污染,對環境友好,廢液過濾后可重復使用,節約資源。其四、本專利技術在清洗后,利用光學顯微鏡Ramis CIA清潔度檢查系統進行全自動檢驗分析,自動掃描整個濾膜,自動拍照,顆粒自動識別、統計、分析,自動檢查清潔度,自動生成專業的清潔度評級和分析報告,檢測手段靈敏快速。上述說明僅是本專利技術技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本專利技術的技術手段,并可依照說明書的內容予以實施,以下以本專利技術的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本專利技術的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例技術中的技術方案,下面將對實施例技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術顯微鏡下清洗前后的效果對比圖(200倍);其中,(a)、(c)清洗前圖片,分別對應帶材的中部、邊緣;(b)、(d)清洗后圖片,分別對應(a)、(c)相同部位。圖2是本專利技術清洗前后潤濕性對比圖;其中,(a)清洗前潤濕性,(b)清洗后潤濕性。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖,對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術保護的范圍。實施例1實施例1中公開了一種水基清洗劑的配方,該水基清洗劑可以用于超聲場環境中清洗哈氏合金帶材,該配方中包含以下組分:氫氧化鈉(NaOH):2g/l,烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10):0.5g/l,葡萄糖酸鈉(C6H11NaO7):20g/l,烷基聚氧乙烯硫酸酯鹽(AES):2g/l,碳酸鈉(NaCO3):50g/l。本實施例中的水基清洗劑清洗帶材,具體方法步驟如下:步驟一、按照上述水基本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑,其特征在于,水基清洗劑的配方包括:

    【技術特征摘要】
    1.應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑,其特征在于,水基清洗劑的配方包括:2.根據權利要求1所述的應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑,其特征在于,所述水基清洗劑的配方包括:3.一種使用權利要求1或2所述的應用于清洗哈氏合金帶材的水基清洗劑的超聲清洗方法,其特征在于,包括以下步驟:步驟一、按照所述水基清洗劑配方配置1000ml溶液,溶液中的各個組分完全溶解,并且過濾除去溶液中的污物和雜質;步驟二、裁剪哈氏合金帶材C-276的基帶30cm,將基帶對折后放入盛有清洗液的清洗皿中,并且加蓋濾紙防塵;步驟三、將清洗皿放置...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:胡宗林陸玲莊維偉張國棟賀昱旻
    申請(專利權)人:蘇州新材料研究所有限公司
    類型:發明
    國別省市:江蘇;32

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