【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及激光醫療領域,特別涉及一種激光器裝置以及獲得多種波長激光的方法。
技術介紹
激光是20世紀人類偉大技術之一,并且廣泛應用在很多領域。低強度激光照射治療的臨床價值國內外已經肯定。主要應用在治療腦部疾病、心血管疾病、糖尿病、惡性腫瘤、白血病、精神科疾病、銀屑病、鼻炎等癥。根據健康醫學發現,低強度激光在心腦血管病發病前期預防及發病后的恢復期都具有較好的療效,對于健康及抑制人體衰老具有一定的作用。此外,激光技術還在生化檢驗、血液分析等方面有廣泛的應用,大功率激光器還可以用于外科手術。以鈥激光治療儀為例,鈥激光治療儀是一種應用于激光醫療領域的新型激光器裝置,其核心部件是一種固體激光器,由晶體、氙燈以及容納晶體和和匯聚光的諧振腔組成。氙燈脈沖式發光以激勵鈥晶體形成脈沖式激光,所述脈沖式激光經由各種光學鏡片系統形成的諧振腔,以形成可以實際應用的鈥激光。由調節激光電源給氙燈提供控制電壓以給氙燈進行脈沖式供電,使氙燈脈沖式發光,激勵鈥晶體形成脈沖式激光。在醫療應用領域,針對不同待治療部位、或者針對不同的治療目的,采用的激光的波長不同。現有提供的激光器治療儀提供的激光波長的種類單一,限制了激光治療儀的使用范圍。
技術實現思路
本專利技術解決的問題是提供一種激光器裝置以及獲得多種波長激光的方法,提供的激光器裝置能夠輸出多種波長的激光,使用者根據需求選擇合適波長的激光,從而提高了激光器裝置的使用范圍。為解決上述問題,本專利技術提供一種激光器裝置,包括:第一激光器,所述第一激光器用于輸出具有第一波長的第一激光;位于所述第一激光的光路上的全反鏡,所述全反鏡 ...
【技術保護點】
一種激光器裝置,其特征在于,包括:第一激光器,所述第一激光器用于輸出具有第一波長的第一激光;位于所述第一激光的光路上的全反鏡,所述全反鏡適于使第一激光發生反射形成第一反射激光;位于所述第一激光器與所述全反鏡之間的可移動的倍頻晶體,所述可移動的倍頻晶體適于移動至第一激光的光路上或適于從第一激光的光路上移出;第二激光器,所述第二激光器用于輸出具有第二波長的第二激光;位于所述第二激光的光路上的半反半透鏡,所述半反半透鏡還位于第一反射激光的光路上;光纖,所述光纖位于所述第二激光的光路上,且所述半反半透鏡位于所述光纖和第二激光器之間,其中,所述光纖還位于第一反射激光經由半反半透鏡后形成的第二反射激光的光路上。
【技術特征摘要】
1.一種激光器裝置,其特征在于,包括:第一激光器,所述第一激光器用于輸出具有第一波長的第一激光;位于所述第一激光的光路上的全反鏡,所述全反鏡適于使第一激光發生反射形成第一反射激光;位于所述第一激光器與所述全反鏡之間的可移動的倍頻晶體,所述可移動的倍頻晶體適于移動至第一激光的光路上或適于從第一激光的光路上移出;第二激光器,所述第二激光器用于輸出具有第二波長的第二激光;位于所述第二激光的光路上的半反半透鏡,所述半反半透鏡還位于第一反射激光的光路上;光纖,所述光纖位于所述第二激光的光路上,且所述半反半透鏡位于所述光纖和第二激光器之間,其中,所述光纖還位于第一反射激光經由半反半透鏡后形成的第二反射激光的光路上。2.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述激光器裝置還包括,位于所述第一激光器與全反鏡之間的第一控制電機,所述第一控制電機與所述倍頻晶體相連,還與第一空心孔結構相連;其中,所述第一控制電機適于使倍頻晶體或第一空心孔結構移動至第一激光的光路上。3.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述激光器裝置還包括,位于所述第二激光器與光纖之間的第二控制電機,所述第二控制電機與所述半反半透鏡相連,還與第二空心孔結構相連;其中,所述第二控制電機適于使半反半透鏡或第二空心孔結構移動至第二激光的光路上,所述第二控制電機還適于使半反半透鏡位于第一反射激光的光路上。4.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述激光器裝置還包括,位于所述半反半透鏡與所述光纖之間的耦合鏡,所述耦合鏡位于第二激光的光路上,所述耦合鏡還位于第一反射激光經由半反半透鏡后形成的第二反射激光的光路上。5.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述激光器裝置還包括:
\t控制系統,所述控制系統用于控制所述第一激光器是否輸出第一激光,所述控制系統還用于控制第二激光器是否輸出第二激光。6.如權利要求5所述的激光器裝置,其特征在于,所述控制系統還用于控制所述倍頻晶體是否位于第一激光的光路上;還用于控制所述半反半透鏡是否位于第一反射激光的光路上。7.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述第一激光器為釔石榴石固體激光器;所述第一波長為1064nm。8.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述倍頻晶體為N倍頻晶體,其中,N為大于等于2。9.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述倍頻晶體為二倍頻晶體。10.如權利要求9所述的激光器裝置,其特征在于,所述倍頻晶體包括磷酸二氫鉀晶體、三硼酸鋰晶體、磷酸鈦氧鉀晶體或偏硼酸鋇晶體、周期性極化磷酸氧鈦鉀晶體或硼酸銫鋰晶體。11.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述第二激光器為摻銩光纖激光器;所述第二波長為1600nm~2200nm。12.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述第一激光與所述全反鏡之間的入射角為45度。13.如權利要求1所述的激光器裝置,其特征在于,所述半反半透鏡中,第一反射激光入射面的光反射率為100%。14.一種采用如權利要求1-13任一項所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員:夏術階,羅嬌林,呂望,張琳瑯,余思,李兵,李義,王援柱,
申請(專利權)人:上海瑞柯恩激光技術有限公司,
類型:發明
國別省市:上海;31
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