一種高頻微帶基片式隔離器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種高頻微帶基片式隔離器，屬于微波通信技術領域，包括底座、尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、環行器微帶電路、S形微帶線和永磁體，本實用新型專利技術具有結構簡單、體積小、重量輕，適用頻率更高，適合表面貼裝和微電路集成等特點。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種微波通信
的信號隔離器，尤其涉及一種高頻微帶基片式隔離器。
技術介紹
微波通訊在日常生活、教育生產、軍事活動中的地位非常重要，而隨之而來需求對微波電子設備的發展有著極大的推動，更小型化、集成化的理念也對其中的鐵氧體隔離器產業產生影響，傳統的嵌入式隔離器已經基本不能滿足系統貼片的需求，同時嵌入式隔離器適用的頻率范圍較低，不能滿足高頻范圍的需求，微帶基片式隔離器逐漸成為高頻段微小型的主流選擇，目前較為常見的微帶基片式隔離器的工作頻率都在20-40GHz左右，無法滿足更高頻率的需求。
技術實現思路
本技術針對現有技術的不足，旨在提供一種結構簡單、適用于表面貼裝和微電路集成、并且滿足更高頻率范圍的工作要求，主要為50-70GHz頻率段的微帶基片式隔離器，解決了在50-70GHz的高頻頻率進行微帶基片式隔離的技術難題，并縮小了隔離器的體積，使其可以在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發單元。為實現上述目的，本技術采用以下技術方案：一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、環行器微帶電路、S形微帶線和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設置有電阻膜層和環行器微帶電路，所述環行器微帶電路的一只引腳與S形微帶線連接，S形微帶線設置在電阻膜層上，所述環行器微帶電路上設置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上,所述S形微帶線的長度為8～10mm。所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.15-0.2mm。所述環行器微帶電路通過光刻技術電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片上表面。所述電阻膜層通過薄膜工藝設置在所述尖晶石鐵氧體基片上。所述尖晶石鐵氧體基片通過焊錫焊接在底座上。所述永磁體通過環氧樹脂膠合在所述環行器微帶電路上。所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.15mm。本技術所述的一種高頻微帶基片式隔離器，實現了永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數相當，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導致尖晶石鐵氧體基片開裂的風險，提高了產品的可靠性，本技術的尖晶石鐵氧體基片上表面采取拋光處理，利用化學方法去油污以及雜質粒子，物理方法對表面進行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力，本技術的高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術，并通過金絲鍵合技術與微波電路相連接，本技術與現有技術相比，采用長度為8～10mm的S形微帶線結構，可以更有效的匹配微波電路，提高隔離效果，并且S形微帶線結構的尺寸小，具有在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發單元的優點。附圖說明圖1為本技術的結構示意圖；圖2為本技術組裝后的示意圖。其中：1、底座，2、電阻膜層，3、環行器微帶電路，4、尖晶石鐵氧體基片，5、永磁體，6、S形微帶線。具體實施方式如圖1-2所示的一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座1、尖晶石鐵氧體基片4、電阻膜層2、環行器微帶電路3、S形微帶線6和永磁體5，所述尖晶石鐵氧體基片4的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設置有電阻膜層2和環行器微帶電路3，所述環行器微帶電路3的一只引腳與S形微帶線6連接，S形微帶線6設置在電阻膜層2上，所述環行器微帶電路3上設置有永磁體5，所述尖晶石鐵氧體基片4固定在底座1上,所述S形微帶線6的長度為8～10mm。所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.15-0.2mm。所述環行器微帶電路3通過光刻技術電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面。所述電阻膜層2通過薄膜工藝設置在所述尖晶石鐵氧體基片4上。所述尖晶石鐵氧體基片4通過焊錫焊接在底座1上。所述永磁體5通過環氧樹脂膠合在所述環行器微帶電路3上。所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.15mm。工作時，所述飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片4居里溫度高，溫度穩定性好，同時減薄基片的厚度能夠隔離器在更高頻范圍內工作；本技術采用長度為8～10mm的S形微帶線6來衰減微波信號，可以很好的匹配環行器微帶電路3，使其適用于50-70GHz的高頻頻率。本技術所述的適用于50-70GHz的高頻微帶基片式隔離器，適用于表面貼裝技術，并通過金絲鍵合技術與微波電路相連接。本技術的主要技術指標如下：頻率范圍：50-70GHz正向損耗：≤1.2dB反向隔離：≥18dB駐波系數：≤1.6溫度范圍：-30℃～+70℃接頭形式：W→W外形尺寸：5.5×2×3.5mm本技術所述的一種高頻微帶基片式隔離器，實現了永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數相當，能夠在焊接時保護尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導致尖晶石鐵氧體基片開裂的風險，提高了產品的可靠性，本技術的尖晶石鐵氧體基片上表面采取拋光處理，利用化學方法去油污以及雜質粒子，物理方法對表面進行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力，本技術的高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術，并通過金絲鍵合技術與微波電路相連接，本技術與現有技術相比，采用長度為8～10mm的S形微帶線結構，可以更有效的匹配微波電路，提高隔離效果，并且S形微帶線結構的尺寸小，具有在有源相控陣雷達的一個陣面上放置更多的天線收發單元的優點。如上所述，盡管參照特定的優選實施例已經表示和表述了本技術，但其不得解釋為對本技術自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本技術的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細節上作出各種變化。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石鐵氧體基片(4)、電阻膜層(2)、環行器微帶電路(3)、S形微帶線(6)和永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設置有電阻膜層(2)和環行器微帶電路(3)，所述環行器微帶電路(3)的一只引腳與S形微帶線(6)連接，S形微帶線(6)設置在電阻膜層(2)上，所述環行器微帶電路(3)上設置有永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微帶線(6)的長度為8～10mm。

【技術特征摘要】
1.一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：包括底座(1)、尖晶石鐵氧體基片(4)、電阻膜層(2)、環行器微帶電路(3)、S形微帶線(6)和永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)的飽和磁矩為5000Gs，其上表面設置有電阻膜層(2)和環行器微帶電路(3)，所述環行器微帶電路(3)的一只引腳與S形微帶線(6)連接，S形微帶線(6)設置在電阻膜層(2)上，所述環行器微帶電路(3)上設置有永磁體(5)，所述尖晶石鐵氧體基片(4)固定在底座(1)上,所述S形微帶線(6)的長度為8～10mm。2.根據權利要求1所述的一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于：所述尖晶石鐵氧體基片(4)的厚度為0.15-0.2mm。3.根據權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉曠希，
申請(專利權)人：南京廣順電子技術研究所，
類型：新型
國別省市：江蘇;32