本發(fā)明專利技術(shù)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種量子點電致發(fā)光器件及其空穴傳輸方法和顯示裝置。該量子點電致發(fā)光器件包括第一電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和第二電極；量子點發(fā)光層位于電子傳輸層和空穴傳輸層之間；量子點發(fā)光層包括基材層和分散于基材層內(nèi)的量子點發(fā)光材料，并且基材層的最高已占軌道能級位于空穴傳輸層的最高已占軌道能級和量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間。該量子點電致發(fā)光器件能夠提高空穴從空穴傳輸層注入量子點發(fā)光層的注入效率，使空穴遷移容易，進而提高發(fā)光效率。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及顯示
，特別涉及一種量子點電致發(fā)光器件及其空穴傳輸方法和顯示裝置。
技術(shù)介紹
目前，一般的有機電致發(fā)光器件(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)包括空穴傳輸層和發(fā)光層；空穴傳輸層的最高已占軌道(HighestOccupiedMolecularOrbital，HOMO)能級為5.0ev～5.3ev，發(fā)光層材料的HOMO能級為5.0ev～5.5ev；空穴傳輸層材料的最高已占軌道能級與發(fā)光層材料的最高已占軌道能級之間的微小差異，有利于提高空穴傳輸能力，進而提高有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。但是，在將有機電致發(fā)光器件中的空穴傳輸層材料應(yīng)用于量子點電致發(fā)光器件時，由于量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級為6.8ev，而空穴傳輸層材料具有較低的最高已占軌道能級，因此，空穴傳輸層材料與量子點發(fā)光材料之間較大的頻帶偏移會降低空穴從空穴傳輸層注入量子點發(fā)光層的注入效率，造成空穴遷移困難，進而降低量子點電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種量子點電致發(fā)光器件及其空穴傳輸方法和顯示裝置，該量子點電致發(fā)光器件能夠提高空穴從空穴傳輸層注入量子點發(fā)光層的注入效率，使空穴遷移容易，進而提高發(fā)光效率。為達到上述目的，本專利技術(shù)提供以下技術(shù)方案：一種量子點電致發(fā)光器件，包括第一電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和第二電極；所述量子點發(fā)光層位于所述電子傳輸層和空穴傳輸層之間；所述量子點發(fā)光層包括基材層和分散于所述基材層內(nèi)的量子點發(fā)光材料，并且所述基材層的最高已占軌道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能級和所述量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間。上述量子點電致發(fā)光器件中，由于基材層介于空穴傳輸層和量子點發(fā)光材料之間，又由于基材層的最高已占軌道能級位于空穴傳輸層的最高已占軌道能級和量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間，在空穴從空穴傳輸層注入到量子點發(fā)光層時，基材層與空穴傳輸層和量子點發(fā)光材料的能級匹配度較好，使基材層成為空穴從空穴傳輸層傳輸?shù)搅孔狱c發(fā)光材料的過渡層，所以空穴傳輸層中的空穴能夠經(jīng)過基材層容易地注入到量子點發(fā)光材料，使量子點電致發(fā)光器件能夠提高空穴從空穴傳輸層注入量子點發(fā)光層的注入效率，使空穴遷移容易，進而提高發(fā)光效率?？蛇x地，所述基材層的最高已占軌道能級為5.4ev～6.8ev。可選地，所述基材層的最高已占軌道能級為5.8ev～6.2ev。可選地，所述基材層為用于所述量子點發(fā)光材料的包覆劑或分散劑?？蛇x地，所述基材層為有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的復合物。可選地，所述基材層為由基礎(chǔ)材料和摻雜于所述基礎(chǔ)材料內(nèi)的能級過渡材料形成的基材層，或者所述基材層為由能級過渡材料制備的基材層，所述能級過渡材料的最高已占軌道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能級和所述量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間。可選地，所述能級過渡材料包括下述三類有機材料中的至少一類：磷酸根類有機化合物；巰基類有機化合物；羧酸類有機化合物?？蛇x地，當所述能級過渡材料包括磷酸根類有機化合物、巰基類有機化合物以及羧酸類有機化合物三類材料中的至少兩類材料時，所述能級過渡材料為由所述至少兩類材料聚合形成的材料。可選地，所述量子點發(fā)光層的厚度為10～450nm?？蛇x地，所述量子點發(fā)光層的厚度為55～400nm?？蛇x地，所述量子點發(fā)光材料包括紅色量子點材料、綠色量子點材料和藍色量子點材料中的至少一種?？蛇x地，所述第一電極所在一側(cè)用于出射所述量子點發(fā)光層產(chǎn)生的光線，且所述第一電極背離所述量子點發(fā)光層的一側(cè)設(shè)有透明防護層；和/或，所述第二電極所在一側(cè)用于出射所述量子點發(fā)光層產(chǎn)生的光線，且所述第二電極背離所述量子點發(fā)光層的一側(cè)設(shè)有透明防護層。。本專利技術(shù)還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述技術(shù)方案提供的任意一種量子點電致發(fā)光器件。另外，本專利技術(shù)還提供了一種如上述技術(shù)方案提供的任意一種量子點電致發(fā)光器件的空穴傳輸方法，包括：將空穴傳輸層中的空穴傳遞至量子點發(fā)光層的基材層中，其中所述基材層的最高已占軌道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能級和所述量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間；將基材層內(nèi)的空穴傳遞至所述量子點發(fā)光層內(nèi)的量子點發(fā)光材料中。附圖說明圖1為本專利技術(shù)一種實施例提供的量子點電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A部分的工作原理示意圖；圖3為圖1中的量子點電致發(fā)光器件的工作原理示意圖；圖4為本專利技術(shù)一種實施例提供的量子點電致發(fā)光器件的空穴傳輸方法的流程圖。具體實施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。本專利技術(shù)實施例提供了一種量子點電致發(fā)光器件及其空穴傳輸方法和顯示裝置，該顯示裝置包括量子點電致發(fā)光器件；該量子點電致發(fā)光器件能夠提高空穴從空穴傳輸層注入量子點發(fā)光層的注入效率，使空穴遷移容易，進而提高發(fā)光效率。其中，請參考圖1，本專利技術(shù)一種實施例提供的量子點電致發(fā)光器件，包括第一電極1、電子傳輸層2、量子點發(fā)光層3、空穴傳輸層4和第二電極5；量子點發(fā)光層3位于電子傳輸層2和空穴傳輸層4之間；量子點發(fā)光層3包括基材層31和分散于基材層31內(nèi)的量子點發(fā)光材料32，并且基材層31的最高已占軌道能級位于空穴傳輸層4的最高已占軌道能級和量子點發(fā)光材料32的最高已占軌道能級之間。如圖2和圖3所示，上述量子點電致發(fā)光器件的量子點發(fā)光材料32的發(fā)光原理為：第一電極1和第二電極5中的一個電極的空穴h注入到空穴傳輸層4的最高已占軌道能級，電子e注入到電子傳輸層2的最低已占軌道能級；電子e和空穴h同時向量子點發(fā)光層3遷移，由于空穴傳輸層4的最高已占軌道能級與量子點發(fā)光層3的基材層31的最高已占軌道能級相近，所以空穴h優(yōu)先占據(jù)基材層31的最高已占軌道能級；空穴h再由基材層31的最高已占軌道能級注入到量子點發(fā)光材料32；空穴h與電子e在量子點發(fā)光材料32中復合形成激子，空穴h在得到電子e的同時能量hv增加，并從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)；激子在量子點發(fā)光材料32中不斷的做自由擴散運動，并以輻射或無輻射的方式失活；當激子以輻射躍遷的方式從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)就可以本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種量子點電致發(fā)光器件，包括第一電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和第二電極；所述量子點發(fā)光層位于所述電子傳輸層和空穴傳輸層之間；其特征在于，所述量子點發(fā)光層包括基材層和分散于所述基材層內(nèi)的量子點發(fā)光材料，并且所述基材層的最高已占軌道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能級和所述量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種量子點電致發(fā)光器件，包括第一電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光
層、空穴傳輸層和第二電極；所述量子點發(fā)光層位于所述電子傳輸層和空穴傳
輸層之間；其特征在于，
所述量子點發(fā)光層包括基材層和分散于所述基材層內(nèi)的量子點發(fā)光材料，
并且所述基材層的最高已占軌道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能
級和所述量子點發(fā)光材料的最高已占軌道能級之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基材
層的最高已占軌道能級為5.4ev～6.8ev。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基材
層的最高已占軌道能級為5.8ev～6.2ev。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基材
層為用于所述量子點發(fā)光材料的包覆劑或分散劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基材
層為有機材料、無機材料或有機材料和無機材料的復合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述基材
層為由基礎(chǔ)材料和摻雜于所述基礎(chǔ)材料內(nèi)的能級過渡材料形成的基材層，或者
所述基材層為由能級過渡材料制備的基材層；所述能級過渡材料的最高已占軌
道能級位于所述空穴傳輸層的最高已占軌道能級和所述量子點發(fā)光材料的最
高已占軌道能級之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點電致發(fā)光器件，其特征在于，所述能級
過渡材料包括下述三類有機材料中的至少一類：
磷酸根類有機化合物；
巰基類有機化合物；
羧酸類有機化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點電致發(fā)光器...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：郝學光，程鴻飛，喬勇，吳新銀，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11
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