一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，包括支架本體，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定；所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的支架本體與懸浮坩堝直接相連后，實(shí)際上成為懸浮坩堝的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及懸浮坩堝
，具體涉及一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架。
技術(shù)介紹
目前的懸浮坩堝采用的支架為固定支架，固定支架上部懸掛于大堝之上，下部將懸浮堝套在其中以穩(wěn)定懸浮坩堝。固定支架能夠很好地穩(wěn)定懸浮坩堝的位置，但是由于在實(shí)際拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，懸浮坩堝隨之下降，而固定支架位置不變，這樣存在兩點(diǎn)問題：一是隨著液面下降，懸浮坩堝有可能脫離支架，二是破壞爐內(nèi)系統(tǒng)的熱場(chǎng)平衡，導(dǎo)致單晶出現(xiàn)位錯(cuò)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)目的：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提供一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，能夠控制懸浮坩堝內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩堝內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。技術(shù)方案：本技術(shù)所述的太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定。支架本體通過凹槽與懸浮坩堝相連，通過卡位結(jié)構(gòu)與大堝保持接觸以保持相對(duì)位置穩(wěn)定，即起到了穩(wěn)定懸浮坩堝的作用，又能夠控制懸浮坩堝內(nèi)的鍺熔體深度及懸浮坩堝內(nèi)的熱場(chǎng)平衡。進(jìn)一步完善上述技術(shù)方案，所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。進(jìn)一步地，所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空?qǐng)A直徑為330mm。進(jìn)一步地，所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè)，均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。進(jìn)一步地，所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。進(jìn)一步地，所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm。進(jìn)一步地，所述半圓塊的半徑為25mm。有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：通過本技術(shù)，支架本體與懸浮坩堝上沿直接相連后，實(shí)際上成為懸浮坩堝的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設(shè)計(jì)熱場(chǎng)時(shí)可以更加自由地設(shè)計(jì)懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯(cuò)鍺單晶的成功率也大大提高；支架本體和懸浮坩堝直接相連后，拉晶過程中隨著液面的下降，支架本體隨著懸浮坩堝一起下降，這樣可以保證懸浮坩堝內(nèi)的熱場(chǎng)在拉晶全程幾乎都能保持穩(wěn)定和平衡，可以使單晶拉的更長(zhǎng)，合格部分更長(zhǎng)（由以前的10cm至現(xiàn)在的60cm）。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)沿圖1中AOB向的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本技術(shù)與大堝、懸浮坩堝的連接示意圖。具體實(shí)施方式下面通過附圖對(duì)本技術(shù)技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例1：如圖1、2所示的太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，包括支架本體1，支架本體1呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，支架本體1的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁2、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽1以及凹槽中心的中空?qǐng)A5；外圍壁2的內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，凹槽1的高度為4mm，中空?qǐng)A5直徑為330mm。卡位機(jī)構(gòu)包括與支架本體相連的矩形塊3以及與矩形塊3相連的半圓塊4，矩形塊3與支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm，半圓塊4的半徑為25mm。如圖3所示，支架本體1設(shè)于懸浮坩堝2上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝2的上沿，環(huán)形凹槽外圍均勻突出四個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝3固定以保持相對(duì)位置固定。太陽(yáng)能鍺單晶的生長(zhǎng)條件極其苛刻，通過設(shè)置支架本體1，在拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，支架本體1和懸浮坩堝2一起降低，不存在脫離的風(fēng)險(xiǎn)，控制了懸浮坩堝2內(nèi)的鍺熔體深度，保證了單晶拉制過程中熱場(chǎng)的穩(wěn)定。如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本技術(shù)，但其不得解釋為對(duì)本技術(shù)自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本技術(shù)的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，包括支架本體，其特征在于：所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，包括支架本體，其特征在于：所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空?qǐng)A。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能鍺單晶生長(zhǎng)用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空?qǐng)A直徑...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陸海鳳，柯尊斌，秦瑤，席珍強(qiáng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中鍺科技有限公司，南京中鍺科技有限責(zé)任公司，
類型：新型
國(guó)別省市：江蘇;32