【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于輻射監測
,具體涉及一種基于雙半球碲鋅鎘探測器及雙前置放大器的劑量率儀。
技術介紹
國內外將碲鋅鎘(以下簡稱CZT)晶體用于輻射監測方面的技術比較成熟,目前已經公開了平面型、混合手持型、弗里希柵型以及半球型碲鋅鎘探測器等,其中半球型CZT探測器形狀一般為長方體形,電場為類半球型,因此本領域技術人員一般稱之為半球型CZT探測器。王瑩等2014年公開了《基于半球型碲鋅鎘探測器的多功能劑量率儀適用性研究》這一文獻,并從能量范圍、能量分辨率、環境適應性和角響應等方面闡述了基于半球型CZT探測器作為多功能劑量率儀的適用性,該文獻是利用兩個半球型CZT探測器共陽極合并成一個類球型CZT探測器,但是該文獻公開的探測器仍然存在探測效率和能量分辨率較低的問題。
技術實現思路
(一)專利技術目的根據現有技術所存在的問題,本專利技術提供了一種能量分辨率高、探測效率高的劑量率儀。(二)技術方案為了解決現有技術所存在的問題,本專利技術提供的技術方案如下:一種基于雙半球碲鋅鎘探測器及雙前置放大器的劑量率儀,該劑量率儀包括探測器系統、信號處理系統和控制電路系統;所述探測器系統包括兩個半球型CZT晶體、前置放大器及電路板,兩個半球型CZT晶體的形狀、結構和尺寸完全相同,均為長方體形;所述每個半球型CZT晶體面積最大的一個面接正高壓,為陽極,其他5面接地為陰極;該兩個晶體采用左右擺放的方式安裝在電路板上,電路板下方對應每個CZT晶體處都設置有一個前置放大器,X、γ射線在CZT晶體上產生的信號傳輸至前置放大器上;該兩個晶體面積最大的陰極面為左右相鄰面,且該兩個相鄰面緊密貼合 ...
【技術保護點】
一種基于雙半球碲鋅鎘探測器及雙前置放大器的劑量率儀,其特征在于,該劑量率儀包括探測器系統、信號處理系統和控制電路系統;所述探測器系統包括兩個半球型CZT晶體、前置放大器及電路板,兩個半球型CZT晶體的形狀、結構和尺寸完全相同,均為長方體形;所述每個半球型CZT晶體面積最大的一個面接正高壓,為陽極,其他5面接地為陰極;該兩個晶體采用左右擺放的方式安裝在電路板上,電路板下方對應每個CZT晶體處都設置有一個前置放大器,X、γ射線在半球型CZT晶體上產生的信號傳輸至前置放大器上;該兩個晶體面積最大的陰極面為左右相鄰面,且該兩個相鄰面緊密貼合;該兩個晶體、電路板及前置放大器位于一個圓筒形外殼內,兩個晶體的正中位置處于圓筒的徑向中心線上且陽極面對著筒壁;所述控制電路系統包括高壓電源模塊、低壓電源模塊、便攜式模組電源及電池管理芯片,其中高壓電源模塊、低壓電源模塊分別通過線路與前置放大器連接,且線路與圓筒形外殼之間密封處理;高壓電源模塊為兩個半球型CZT晶體提供高壓,低壓電源模塊為前置放大器提供±12V的工作電壓;所述信號處理系統包括雙通道數字多道、信號處理軟件、液晶觸摸屏和計算機,從前置放大器出來的 ...
【技術特征摘要】
1.一種基于雙半球碲鋅鎘探測器及雙前置放大器的劑量率儀,其特征在于,該劑量率儀包括探測器系統、信號處理系統和控制電路系統;所述探測器系統包括兩個半球型CZT晶體、前置放大器及電路板,兩個半球型CZT晶體的形狀、結構和尺寸完全相同,均為長方體形;所述每個半球型CZT晶體面積最大的一個面接正高壓,為陽極,其他5面接地為陰極;該兩個晶體采用左右擺放的方式安裝在電路板上,電路板下方對應每個CZT晶體處都設置有一個前置放大器,X、γ射線在半球型CZT晶體上產生的信號傳輸至前置放大器上;該兩個晶體面積最大的陰極面為左右相鄰面,且該兩個相鄰面緊密貼合;該兩個晶體、電路板及前置放大器位于一個圓筒形外殼內,兩個晶體的正中位置處于圓筒的徑向中心線上且陽極面對著筒壁;所述控制電路系統包括高壓電源模塊、低壓電源模塊、便攜式模組電源及電池管理芯片,其中高壓電源模塊、低壓電源模塊分別通過線路與前置放大器連接,且線路與圓筒形外殼之間密封處理;高壓電源模塊為兩個半球型CZT晶體提供高壓,低壓電源模塊為前置放大器提供±12V的工作電壓;所述信號處理系統包括雙通道數字多道、信號處理軟件、液晶觸摸屏...
【專利技術屬性】
技術研發人員:王瑩,陳凌,駱志平,黃金峰,熊文俊,龐洪超,劉陽,
申請(專利權)人:中國原子能科學研究院,
類型:發明
國別省市:北京;11
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