一種柔性屏體邦定方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供的柔性屏體邦定方法，在柔性基板正面的像素區(qū)域和邦定區(qū)域分別形成若干像素單元和若干邦定引線，在柔性基板上形成覆蓋所述像素單元和所述邦定引線的封裝層；在柔性基板邦定區(qū)域各條邦定引線位置對(duì)應(yīng)的背面形成連通綁定引線的通孔；在通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將邦定引線通過通孔從柔性基板背面引出；將集成電路芯片和/或柔性線路板邦定在柔性基板背面所述通孔處，從而實(shí)現(xiàn)基于原子層沉積技術(shù)進(jìn)行封裝的柔性屏體邦定。這種技術(shù)可以在封裝工藝過中不使用掩膜(mask)等遮擋邦定電路區(qū)域，通過在基板背面對(duì)應(yīng)于引線位置打孔填充導(dǎo)電材料，進(jìn)而引出邦定引線就可以實(shí)現(xiàn)邦定，工藝簡單，生產(chǎn)成本低。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及有機(jī)光電領(lǐng)域，具體涉及一種柔性屏體邦定方法。
技術(shù)介紹
有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(英文全稱為OrganicLight-EmittingDisplay，簡稱為OLED)是一種全新的顯示技術(shù)，因其發(fā)光亮度高、色彩豐富、低壓直流驅(qū)動(dòng)、制備工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)，日益成為國際研究的熱點(diǎn)。與現(xiàn)有主流顯示器件——有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示器件相比，壽命較短仍是制約OLED商業(yè)化的重要因素之一。研究表明，空氣中的水汽和氧氣等成分對(duì)OLED的壽命影響很大，其原因主要為：OLED工作是主要從陰極注入電子，這就要求陰極材料具有極低的功函數(shù)，但是低功函數(shù)金屬(如鎂、鈣等)化學(xué)性質(zhì)活潑，易與滲透進(jìn)來的水汽和氧氣發(fā)生反應(yīng)。另外，水、氧還會(huì)影響空穴傳輸材料、電子傳輸材料等有機(jī)功能層的性能，使得器件劣化，從而影響OLED的壽命。因此，對(duì)OLED進(jìn)行有效封裝，使得OLED中的各功能層遠(yuǎn)離水汽和氧氣，就可以大大提升OLED的使用壽命。現(xiàn)有技術(shù)中，OLED的封裝方法主要有兩種。一種是，如圖1所示，在基板1的像素區(qū)域11形成各像素單元，并在邦定(bonding)區(qū)域12形成邦定引線(PIN)后，在像素區(qū)域上蓋上一蓋板2，并用環(huán)氧樹脂將基板1和蓋板2粘結(jié)在一起。對(duì)于柔性O(shè)LED來說，圖1中使用的基板1和蓋板2均為柔性聚合物，如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚苯醚砜(PES)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)以及聚酰亞胺(PI)等。然而，與玻璃襯底相比，大部分聚合物薄膜的水、氧透過率比較高，不足以保證器件的長期可靠運(yùn)行，所以通常采用雙面封裝的方式，即在柔性基板的正面和背面都進(jìn)行封裝，以保證水汽和氧氣也不會(huì)從背面透過。常見聚合物襯底的水汽、氧氣滲透速率如下表所示：目前封裝效果較好的是Barix封裝結(jié)構(gòu)，如圖2所示，即在像素單元上通過氣相沉積(CVD、PVD或PECVD)工藝形成交替設(shè)置有機(jī)平坦化層和無機(jī)水氧阻擋層，作為封裝層3直接覆蓋像素單元，以實(shí)現(xiàn)阻擋水汽和氧氣的目的。通常，為了保證成膜的平整性，需要在相鄰無機(jī)水氧阻擋層之間設(shè)置有機(jī)平坦化層；為了保證其成膜的致密性，控制膜內(nèi)缺陷的生長，一般需要設(shè)置3～5層以上的無機(jī)水氧阻擋層才能達(dá)到合適生產(chǎn)OLED的水氧阻隔能力。原子層沉積(ALD，AtomicLayerDeposition)技術(shù)對(duì)薄膜生長可精確控制，膜層厚度可達(dá)到原子層級(jí)，致密度高、平整性好，且沉積的薄膜抗彎曲能力強(qiáng)，可在較薄的封裝膜層厚度內(nèi)，達(dá)到良好的封裝效果。ALD技術(shù)也可以實(shí)現(xiàn)低溫沉積(小于100℃)，非常適用于對(duì)制備溫度敏感的OLED器件的封裝。因此，ALD工藝為進(jìn)行OLED封裝技術(shù)開辟了新路徑。然而，由于ALD的沉積過程需要在經(jīng)過活性表面處理的基底上進(jìn)行，為了保證鍍膜的致密度，這就使得無法使用掩膜(mask)，從而導(dǎo)致封裝膜3也會(huì)完全覆蓋邦定區(qū)域12，使得邦定引線無法導(dǎo)出，導(dǎo)致屏體無法邦定。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為此，本專利技術(shù)所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中基于原子層沉積工藝等無法使用掩膜的封裝方法，屏體無法從正面邦定的問題，提供一種柔性屏體邦定方法。為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案如下：本專利技術(shù)所述的一種柔性屏體邦定方法，包括如下步驟：S1、在所述柔性基板正面的像素區(qū)域和邦定區(qū)域分別形成若干像素單元和若干邦定引線，并通過原子層沉積工藝在所述柔性基板上形成覆蓋所述像素單元和所述邦定引線的封裝層；S2、在所述柔性基板邦定區(qū)域各條邦定引線位置對(duì)應(yīng)的背面形成連通綁定引線的通孔；S3、在所述通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將所述邦定引線通過所述通孔從柔性基板背面引出；S4、將集成電路芯片和/或柔性線路板邦定在所述柔性基板背面所述通孔處。步驟S2中，所述通孔的孔徑小于或者等于所述邦定引線的寬度。步驟S3中，所述導(dǎo)電材料選自但不限于鋁、銅、鈦、鎳、銀、金中的一種或多種的組合。步驟S3中，所述導(dǎo)電材料通過化學(xué)或物理氣相沉積，或注入填充在所述通孔中。步驟S1中，各所述邦定引線對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)通孔。步驟S1中，所述封裝層的厚度為10nm～500nm。步驟S1中，所述封裝層為氧化鋁層、氧化硅層、氮化硅層、氧化鈦層、氧化鋯層、氮氧化鋁層、氮氧化硅層、氮化鈦中的一層或者多層疊加。本專利技術(shù)的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：本專利技術(shù)提供的柔性屏體邦定方法，在所述柔性基板邦定區(qū)域各條邦定引線位置對(duì)應(yīng)的背面形成連通至引線的通孔，再在所述通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，在所述通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將所述邦定引線通過所述通孔從柔性基板背面引出，從而實(shí)現(xiàn)基于原子層沉積技術(shù)進(jìn)行封裝的柔性屏體邦定。對(duì)于常用的柔性基板來說，基板材料易于打孔，從而從基板的背面打孔連接引線解決了ALD技術(shù)不便使用掩膜而導(dǎo)致無法從背面邦定的技術(shù)難題。附圖說明為了使本專利技術(shù)的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本專利技術(shù)的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖1是現(xiàn)有技術(shù)中OLED蓋板封裝技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中OLEDBarix封裝技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本專利技術(shù)所述的柔性屏體邦定方法中所述通孔開設(shè)位置示意圖；圖4是本專利技術(shù)所述的柔性屏體邦定方法中IC(集成電路)芯片和/或FPC(柔性線路板)邦定時(shí)與基板的相對(duì)位置關(guān)系圖。圖中附圖標(biāo)記表示為：1-基板、11-像素區(qū)域、12-邦定區(qū)域、2-蓋板、3-封裝膜、4-通孔、5-集成電路芯片、6-柔性線路板。具體實(shí)施方式為使本專利技術(shù)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。本實(shí)施例提供一種柔性屏體邦定方法，包括如下步驟：S1、如圖2所示，在所述柔性基板1正面的像素區(qū)域11和邦定區(qū)域12分別形成若干像素單元和若干邦定引線，并通過原子層沉積工藝在所述柔性基板1上形成覆蓋所述像素單元和所述邦定引線121的封裝層3。S2、如圖3所示，在柔性基板1邦定區(qū)域12各條邦定引線121對(duì)應(yīng)的背面形成連通綁定引線121的通孔4。S3、如圖4所示，在所述通孔4內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將所述邦定引線121通過所述通孔4從柔性基板背面引出。S4、如圖4所示，將集成電路芯片5和/或柔性線路板6邦定在所述柔性基板1背面所述通孔處。所述所述柔性基板1還可以選自但不限于聚乙烯(PE)基板、聚丙烯(PP)基板、聚苯乙烯(PS)基板、聚苯醚砜(PES)基板、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)基板等基本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種柔性屏體邦定方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、在所述柔性基板正面的像素區(qū)域和邦定區(qū)域分別形成若干像素單元和若干邦定引線，在所述柔性基板上形成覆蓋所述像素單元和所述邦定引線的封裝層；S2、在所述柔性基板邦定區(qū)域各條邦定引線位置對(duì)應(yīng)的背面形成連通綁定引線的通孔；S3、在所述通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將所述邦定引線通過所述通孔從柔性基板背面引出；S4、將集成電路芯片和/或柔性線路板邦定在所述柔性基板背面所述通孔處。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種柔性屏體邦定方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、在所述柔性基板正面的像素區(qū)域和邦定區(qū)域分別形成若干像素單元
和若干邦定引線，在所述柔性基板上形成覆蓋所述像素單元和所述邦定引線
的封裝層；
S2、在所述柔性基板邦定區(qū)域各條邦定引線位置對(duì)應(yīng)的背面形成連通綁
定引線的通孔；
S3、在所述通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料，將所述邦定引線通過所述通孔從柔性
基板背面引出；
S4、將集成電路芯片和/或柔性線路板邦定在所述柔性基板背面所述通孔
處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性屏體邦定方法，其特征在于，步驟S2中，
所述通孔的孔徑小于或者等于所述邦定引線的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于原子層沉積技術(shù)的柔性屏體邦定方法，其特

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉勝芳，柳冬冬，劉雪洲，林立，平山秀雄，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司，昆山國顯光電有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇;32