提高三極管可靠性的驅動結構制造技術

本實用新型專利技術涉及一種提高三極管可靠性的驅動結構，包括電容C1、變壓器線圈T、三極管Q和電阻R，其特征是：所述電容C1的一端、變壓器線圈T的一端接供電電壓Vin，電容C1的另一端接地，變壓器線圈T的另一端接三極管Q的集電極，三極管Q的發射極接電阻R的一端，電阻R的另一端接地，三極管Q的基極分別接控制芯片U的電流驅動器和電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端接地。所述電阻Rb設置為10K以下阻值電阻。本實用新型專利技術所述提高三極管可靠性的驅動結構，能夠提升三極管CE端的擊穿電壓，提高三極管驅動的可靠性。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種驅動結構，尤其是一種提高三極管可靠性的驅動結構。
技術介紹
在開關電源系統中，驅動雙極型三極管時，如果驅動不當或者三極管存在制造缺陷，很容易造成二次擊穿而燒毀三極管。近年來，三極管的制造工藝已經有了很大的提升，但是如果驅動不當，仍然會造成部分三極管的二次擊穿。三極管的二次擊穿是當三極管的基極懸空時，當CE端的電壓超過三極管的CE耐壓時，三極管發生擊穿之后，CE電壓迅速下降，電流突然增大的一種現象。如果此時Ice電流無窮大的話，會造成三極管的損壞。
技術實現思路
本技術的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種提高三極管可靠性的驅動結構，提升三極管CE端的擊穿電壓，提高三極管驅動的可靠性。按照本技術提供的技術方案，所述提高三極管可靠性的驅動結構，包括電容C1、變壓器線圈T、三極管Q和電阻R，其特征是：所述電容C1的一端、變壓器線圈T的一端接供電電壓Vin，電容C1的另一端接地，變壓器線圈T的另一端接三極管Q的集電極，三極管Q的發射極接電阻R的一端，電阻R的另一端接地，三極管Q的基極分別接控制芯片U的電流驅動器和電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端接地。進一步的，所述電阻Rb設置為10K以下阻值電阻。本技術所述提高三極管可靠性的驅動結構，能夠提升三極管CE端的擊穿電壓，提高三極管驅動的可靠性。附圖說明圖1為本技術所述提高三極管可靠性的驅動結構的示意圖。具體實施方式下面結合具體附圖對本技術作進一步說明。如圖1所示，本技術所述提高三極管可靠性的驅動結構，包括電容C1、變壓器線圈T、三極管Q和電阻R，電容C1的一端、變壓器線圈T的一端接供電電壓Vin，電容C1的另一端接地，變壓器線圈T的另一端接三極管Q的集電極，三極管Q的發射極接電阻R的一端，電阻R的另一端接地，三極管Q的基極分別接控制芯片U的電流驅動器和電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端接地。本技術主要在于提升三極管驅動的可靠性，在相同的三極管情況下，提升了CE的擊穿電壓，使控制芯片U未上電時，三極管的CE耐壓從BVceo提升到BVcer。一般來說，三極管的耐壓特性有以下幾種，按照BV電壓從低到高的排列順序依次為：BVcez<BVceo<BVcer<BVces<BVcbo<BVcex，其中以上名詞的定義如表1所示。表1名稱描述BVcezB、E之間有正向偏置電源BVceoB端開路BVcerB、E之間存在電阻連接BVcesB、E短接BVcexB、E之間存在負向的偏置電源BVcboE開路，C、B之間的擊穿電壓表1中B代表三極管的基有，C代表三極管的集電極，E代表三極管的發射極。其中通用型高耐壓三極管的BVceo一般為400V左右，如果輸入線電壓高的時候，易擊穿BVceo而發生二次擊穿現象。本技術在驅動結構上做出了優化，通過在三極管的基極和三極管的射極之間并聯一個電阻來提升CE耐壓。本技術中的電阻Rb一般設置為10K以下阻值電阻，調整的BVcer基本接近高耐壓的Bvcbo，從而提升了三極管驅動的可靠性。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種提高三極管可靠性的驅動結構，包括電容C1、變壓器線圈T、三極管Q和電阻R，其特征是：所述電容C1的一端、變壓器線圈T的一端接供電電壓Vin，電容C1的另一端接地，變壓器線圈T的另一端接三極管Q的集電極，三極管Q的發射極接電阻R的一端，電阻R的另一端接地，三極管Q的基極分別接控制芯片U的電流驅動器和電阻Rb的一端，電阻Rb的另一端接地。

【技術特征摘要】
1.一種提高三極管可靠性的驅動結構，包括電容C1、變壓器線圈T、三極管Q和電阻R，其特征是：所述電容C1的一端、變壓器線圈T的一端接供電電壓Vin，電容C1的另一端接地，變壓器線圈T的另一端接三極管Q的集電極，三極管Q的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：龍波，趙鑫，宗強，吳壽化，殷忠，管磊，
申請(專利權)人：無錫市芯茂微電子有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32