可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路制造技術

本實用新型專利技術公開了可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路，包括電壓跟隨器、電容和電壓比較電路。電壓跟隨器包括NMOS管、第一電阻和第二電阻；NMOS管的柵極與第一電阻的一端連接，NMOS管的源極與第二電阻串聯后接地。電容與第二電阻并聯連接。電壓比較電路的第一輸入端連接于NMOS管的柵極與第一電阻的共接點，電壓比較電路的第二輸入端連接于NMOS管的源極、第二電阻及電容的共接點；該電壓比較電路用于將第一輸入端的電壓和第二輸入端的電壓進行比較，并在第二輸入端的電壓大于第一輸入端的電壓時輸出觸發電平信號。本實用新型專利技術能夠檢測出電壓跟隨器的輸入信號在工作時是否受到噪聲干擾，以便進行進一步處理。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電壓跟隨器電路。
技術介紹
目前，移動終端的功放電路的輸出級多采用電壓跟隨器，電壓跟隨器具有負載能力強等特點。圖1示出了現有電壓跟隨器的電路結構示意圖，該電壓跟隨器主要由NMOS管Q1、第一電阻R1、第二電阻R2構成。NMOS管Q1的柵極與第一電阻R1的一端連接，NMOS管Q1的源極與第二電阻R2串聯后接地。第一電阻R1的另一端與電壓跟隨器的信號輸入端IN連接，信號輸入端IN在實際應用中可與功放電路或隔離電路連接。NMOS管Q1的源極與第二電阻R2的共接點連接于電壓跟隨器的信號輸出端OUT1。功放電路的輸出級電路的電流往往都是比較大的。現有的電壓跟隨器電路在其輸入信號受到噪聲干擾時無法檢測出來，進而不能采取進一步的調整措施，從而影響功放電路的增益的穩定性以及隔離電路的隔離效果。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題在于提供一種能夠檢測出電壓跟隨器的輸入信號在工作時是否受到噪聲干擾的電壓跟隨器電路，其可在電壓跟隨器受到噪聲干擾時向外部發出提示信號。為解決上述技術問題，本技術所采取的技術方案是：可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路，包括電壓跟隨器，電壓跟隨器包括NMOS管、第一電阻和第二電阻；NMOS管的柵極與第一電阻的一端連接，NMOS管的源極與第二電阻串聯后接地；其特點在于，電壓跟隨器電路還包括電容和電壓比較電路；電容與第二電阻并聯連接；電壓比較電路的第一輸入端連接于NMOS管的柵極與第一電阻的共接點，電壓比較電路的第二輸入端連接于NMOS管的源極、第二電阻及電容的共接點；該電壓比較電路用于將第一輸入端的電壓和第二輸入端的電壓進行比較，并在第二輸入端的電壓大于第一輸入端的電壓時輸出觸發電平信號。采用上述技術方案后，本技術至少達到以下的有益效果之一：本技術實施例的電壓比較電路在其第二輸入端的電壓大于第一輸入端的電壓時會向外界發出觸發電平信號，提示電壓跟隨器的輸入信號受到了噪聲干擾，從而便于外部人員采取進一步的措施，對與該電壓跟隨器相連的功放電路或隔離電路進行維護和控制，從而改善功放電路的增益的穩定性以及隔離電路的隔離效果。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1示出了現有的電壓跟隨器電路的電路原理圖。圖2示出了根據本技術一實施例的可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路的電路原理圖。圖3示出了根據本技術一實施例的電壓跟隨器的輸入信號和輸出信號在沒有受到噪聲干擾時的波形示意圖。圖4示出了根據本技術一實施例的電壓跟隨器在其輸入信號受到噪聲干擾時的輸入信號和輸出信號的波形示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本技術做出進一步說明。圖1示出了根據本技術一實施例的可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路的電路原理圖，該電壓跟隨器電路包括電壓跟隨器、電容C1和電壓比較電路Q2。電壓跟隨器包括NMOS管Q1、第一電阻R1和第二電阻R2。NMOS管Q1的柵極與第一電阻R1的一端連接，NMOS管Q1的源極與第二電阻R2串聯后接地，NMOS管的漏極與第一電壓源VCCD1連接。第一電阻R1的另一端與電壓跟隨器的信號輸入端IN連接，信號輸入端IN在實際應用中可與功放電路或隔離電路連接。在本實施例中，NMOS管Q1為溝道增強型NMOS管。電容C1與第二電阻R2并聯連接。NMOS管Q1的源極、第二電阻R2及電容C1的共接點連接于電壓跟隨器的信號輸出端OUT1。電壓比較電路Q2的第一輸入端連接于NMOS管Q1的柵極與第一電阻R1的共接點，電壓比較電路Q2的第二輸入端連接于NMOS管Q1的源極、第二電阻R2及電容C1的共接點；該電壓比較電路Q2用于將第一輸入端的電壓和第二輸入端的電壓進行比較，并在第二輸入端的電壓大于第一輸入端的電壓時輸出觸發電平信號。在本實施例中，電壓比較電路Q2由運放比較電路構成；電壓比較電路Q2的第一輸入端為運放比較電路的反相端，電壓比較電路Q2的第二輸入端為運放比較電路的同相端。圖3示出了根據本技術一實施例的電壓跟隨器的輸入信號和輸出信號在沒有受到噪聲干擾時的波形示意圖。由于NMOS管Q1的柵極與源極之間具有一定的管壓降，因此在電壓跟隨器的輸入信號沒有受到噪聲干擾時，電壓跟隨器的輸入信號f（a）是大于輸出信號f（b）的。在本實施例中，運放比較電路Q2的反相端電壓大于同相端電壓，運放比較電路Q2的輸出端OUT2此時輸出的是低電平信號。圖3和圖4中的橫坐標代表時間，縱坐標代表電壓幅度。當電壓跟隨器的輸入信號f（a）受到噪聲干擾時，如圖4中所示的噪聲1和噪聲2處，輸入信號f（a）的電壓幅度會下降。而對于輸出信號f（b）而言，由于NMOS管Q1的柵極到源極的信號具有單向性，在柵極側的輸入信號f（a）受到干擾時，位于源極側的輸出信號f（b）也會受到影響，而且由于電容C1具有電壓不會突變的特性，輸入信號f（a）中的噪聲干擾信號在輸出信號f（b）中會延遲并變平緩，從而使得輸入信號f（a）小于輸出信號f（b）。在本實施例中，當輸入信號f（a）受到噪聲干擾時，運放比較電路Q2的同相端電壓大于反相端電壓，運放比較電路Q2的輸出端OUT2會輸出高電平信號，該高電平信號作為觸發電平信號可以輸送到控制器，由控制器進行相應的處理，從而改善與該電壓跟隨器相連的功放電路的增益的穩定性以及隔離電路的隔離效果。顯然，本領域的技術人員可以對本技術進行各種改動和變型而不脫離本技術的精神和范圍。這樣，倘若本技術的這些修改和變型屬于本技術權利要求及其等同技術的范圍之內，則本技術也意圖包含這些改動和變型在內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路，包括電壓跟隨器，所述電壓跟隨器包括NMOS管、第一電阻和第二電阻；所述NMOS管的柵極與所述第一電阻的一端連接，所述NMOS管的源極與所述第二電阻串聯后接地；其特征在于，所述電壓跟隨器電路還包括電容和電壓比較電路；所述電容與所述第二電阻并聯連接；所述電壓比較電路的第一輸入端連接于所述NMOS管的柵極與所述第一電阻的共接點，所述電壓比較電路的第二輸入端連接于所述NMOS管的源極、所述第二電阻及所述電容的共接點；該電壓比較電路用于將所述第一輸入端的電壓和所述第二輸入端的電壓進行比較，并在第二輸入端的電壓大于第一輸入端的電壓時輸出觸發電平信號。

【技術特征摘要】
1.可檢測噪聲干擾的電壓跟隨器電路，包括電壓跟隨器，所述電壓跟隨器包括NMOS管、第一電阻和第二電阻；所述NMOS管的柵極與所述第一電阻的一端連接，所述NMOS管的源極與所述第二電阻串聯后接地；其特征在于，所述電壓跟隨器電路還包括電容和電壓比較電路；所述電容與所述第二電阻并聯連接；所述電壓比較電路的第一輸入端連接于所述NMOS管的柵極與所述第一電阻的共接點，所述電壓比較電路的第二輸入端連接于所述NMOS管的源極、所述第二電阻及所述電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：馮吉春，
申請(專利權)人：上海鼎為通訊電子有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31