本實用新型專利技術(shù)披露一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括電源模塊、整流模塊、調(diào)光模塊和恒流模塊，電源模塊用以提供一輸入電壓，調(diào)光模塊與電源模塊電連接，調(diào)光模塊用于將電源模塊輸出給整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實現(xiàn)調(diào)光，整流模塊與調(diào)光模塊電連接，整流模塊用于將調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，恒流模塊與整流模塊電連接，用于驅(qū)動負(fù)載，并且使得流過負(fù)載的電流為恒定值；所述可控硅調(diào)光電路還包括：一泄放模塊，與整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)泄放模塊的電流或關(guān)斷泄放模塊，以使流過泄放模塊的電流與流過恒流模塊的電流之和大于等于調(diào)光模塊工作的最小維持電流。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及電子
，尤其特別地，涉及一種可控硅調(diào)光電路。
技術(shù)介紹
可控硅調(diào)光類LED驅(qū)動芯片是為了兼容電子可控硅調(diào)光器的LED驅(qū)動電源。目前現(xiàn)有方法是基于開關(guān)電源的調(diào)光方案，然而，開關(guān)電源會存在如下缺陷：1）器件較多，較難做到小體積；2）傳導(dǎo)輻射不容易達(dá)到要求；3）成本高、性價比低；4）泄放器的溫度不受控，容易引起故障，進(jìn)而導(dǎo)致整個系統(tǒng)無法正常工作。因此，亟需一種新型的可控硅調(diào)光電路以解決上述問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于，針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供一種可控硅調(diào)光電路，其通過提供可控硅的導(dǎo)通電流且結(jié)合外圍電路以實現(xiàn)動態(tài)調(diào)整可控硅的維持電路，從而獲得更低的驅(qū)動成本，更好的兼容性。且，具有可靠、穩(wěn)定和高性價比的特點。為了實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括一電源模塊、一整流模塊、一調(diào)光模塊和一恒流模塊，所述電源模塊用以提供一輸入電壓，所述調(diào)光模塊與所述電源模塊電連接，所述調(diào)光模塊用于將所述電源模塊輸出給所述整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實現(xiàn)調(diào)光，所述整流模塊與所述調(diào)光模塊電連接，所述整流模塊用于將所述調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，所述恒流模塊與所述整流模塊電連接，用于驅(qū)動負(fù)載，并且使得流過負(fù)載的電流為恒定值；所述可控硅調(diào)光電路包括：一泄放模塊，分別與所述整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊的電流或關(guān)斷所述泄放模塊，以使流過所述泄放模塊的電流與流過所述恒流模塊的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊工作的最小維持電流。在本技術(shù)的一實施例中，所述恒流模塊通過一第一電阻電連接至所述泄放模塊。在本技術(shù)的一實施例中，所述泄放模塊包括：一MOS晶體管和一運算放大器；所述MOS晶體管的柵極電連接至所述運算放大器的輸出端，所述MOS晶體管的源極電連接至所述運算放大器的正極輸入端，所述MOS晶體管的漏極電連接至所述整流模塊；所述運算放大器的負(fù)極輸入端接一基準(zhǔn)電壓。在本技術(shù)的一實施例中，所述MOS晶體管的漏極通過一第二電阻電連接至所述整流模塊。在本技術(shù)的一實施例中，所述泄放模塊進(jìn)一步包括一過溫保護(hù)單元，所述過溫保護(hù)單元電連接至所述泄放模塊的運算放大器的負(fù)極輸入端，所述過溫保護(hù)單元用以檢測所述泄放模塊的溫度，并當(dāng)所述泄放模塊的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時發(fā)送一過溫保護(hù)信號至泄放模塊。在本技術(shù)的一實施例中，所述過溫保護(hù)單元包括一電流源，所述電流源與所述運算放大器的負(fù)極輸入端電連接，所述電流源用于當(dāng)所述泄放模塊的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時，所述電流源提供一電流至所述運算放大器的負(fù)極輸入端。在本技術(shù)的一實施例中，所述恒流模塊和所述泄放模塊設(shè)置在同一芯片。在本技術(shù)的一實施例中，所述恒流模塊和所述泄放模塊分別設(shè)置在不同的芯片。附圖說明圖1是本技術(shù)所述的可控硅調(diào)光電路的框架圖；圖2是本技術(shù)所述的可控硅調(diào)光電路的電路連接示意圖。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本技術(shù)提供的可控硅調(diào)光電路的具體實施方式做詳細(xì)說明。參見圖1所示，本技術(shù)提供一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括一電源模塊10、一整流模塊30、一調(diào)光模塊20和一恒流模塊40。所述電源模塊10包括一交流電源，所述電源模塊10用以提供一輸入電壓。所述調(diào)光模塊20與所述電源模塊10電連接，所述調(diào)光模塊20包括一可控硅調(diào)光器21，所述可控硅調(diào)光器21用于將所述電源模塊10輸出給所述整流模塊30的輸入電壓進(jìn)行切相以實現(xiàn)調(diào)光。所述整流模塊30與所述調(diào)光模塊20電連接，所述整流模塊30用于將所述調(diào)光模塊20輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓。在本實施例中，所述整流模塊30包括一整流橋，其中所述整流橋包括一第一二極管D1、一第二二極管D2、一第三二極管D3和一第四二極管D4；所述第一二極管D1的負(fù)極與所述第二二極管D2的負(fù)極電連接，所述第二二極管D2的正極與所述第三二極管D3的負(fù)極電連接，所述第三二極管D3的正極與所述第四二極管D4的正極電連接，所述第四二極管D4的負(fù)極與所述第一二極管D1的正極電連接。所述恒流模塊40與所述整流模塊30電連接，用于驅(qū)動負(fù)載，并且使得流過負(fù)載的電流為恒定值。所述可控硅調(diào)光電路包括：一泄放模塊50，分別與所述整流模塊30和恒流模塊40電連接，所述泄放模塊50用于根據(jù)流過恒流模塊40的電流大小調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊50的電流或關(guān)斷所述泄放模塊50，以使流過所述泄放模塊50的電流與流過所述恒流模塊40的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流。以下將具體說明可控硅調(diào)光電路的電路連接關(guān)系和工作原理。參見圖2并結(jié)合圖1所示，在本實施例中，所述恒流模塊40通過一第一電阻R1電連接至所述泄放模塊50。所述泄放模塊50包括：一MOS晶體管M1和一運算放大器OP1。所述MOS晶體管M1的柵極電連接至所述運算放大器OP1的輸出端，所述MOS晶體管M1的源極電連接至所述運算放大器OP1的正極輸入端，所述MOS晶體管M1的漏極通過一第二電阻R2電連接至所述整流模塊30。當(dāng)然，在其他部分實施例中，所述MOS晶體管M1的漏極也可以直接電連接至所述整流模塊30。所述運算放大器OP1的負(fù)極輸入端接一基準(zhǔn)電壓Vref。所述運算放大器OP1的正極輸入端通過所述第一電阻R1電連接至所述恒流模塊40。可選的，所述泄放模塊50進(jìn)一步包括一過溫保護(hù)單元51，所述過溫保護(hù)單元51電連接至所述泄放模塊50的運算放大器OP1的負(fù)極輸入端，所述過溫保護(hù)單元51用以檢測所述泄放模塊50的溫度，并當(dāng)所述泄放模塊50的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時發(fā)送一過溫保護(hù)信號至泄放模塊50。可選地，過溫保護(hù)單元51也可以設(shè)置在所述泄放模塊5的外部。進(jìn)一步而言，所述過溫保護(hù)單元51包括一電流源（圖中未示），所述電流源與所述運算放大器OP1的負(fù)極輸入端電連接，所述電流源用于當(dāng)所述泄放模塊50的溫度大于一設(shè)定溫度閾值時，所述電流源提供一電流至所述運算放大器OP1的負(fù)極輸入端。以下將具體說明可控硅調(diào)光電路的工作原理：所述泄放模塊50的運算放大器OP1的正極輸入端通過第一電阻R1電連接至所述恒流模塊40。所述運算放大器OP1的負(fù)極輸入端連接一基準(zhǔn)電壓Vref。所述運算放大器OP1根據(jù)流過恒流模塊40的電流大小而獲得第一電阻R1的兩端電壓，并且經(jīng)過運算放大后，提供至所述MOS晶體管M1的柵極，于是流過所述MOS晶體管M1的電流隨著所述運算放大器OP1的輸出電壓的變化而變化，從而使得流過所述泄放模塊50的電流與流過所述恒流模塊40的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊20工作的最小維持電流。當(dāng)所述調(diào)光模塊20中的可控硅調(diào)光器21的調(diào)光角度較小（LED燈較暗）時，流過所述恒流模塊40的電流較小，所述恒流模塊40提供給所述第一電阻R1的浮動電壓降低。因為所述運算放大器OP1的基準(zhǔn)電壓Vref恒定，而要使所述運算放大器OP1的正負(fù)輸入端電壓本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括一電源模塊、一整流模塊、一調(diào)光模塊和一恒流模塊，所述電源模塊用以提供一輸入電壓，所述調(diào)光模塊與所述電源模塊電連接，所述調(diào)光模塊用于將所述電源模塊輸出給所述整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實現(xiàn)調(diào)光，所述整流模塊與所述調(diào)光模塊電連接，所述整流模塊用于將所述調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，所述恒流模塊與所述整流模塊電連接，用于驅(qū)動負(fù)載，并且使得流過負(fù)載的電流為恒定值，其特征在于，所述可控硅調(diào)光電路包括：一泄放模塊，分別與所述整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊的電流或關(guān)斷所述泄放模塊，以使流過所述泄放模塊的電流與流過所述恒流模塊的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊工作的最小維持電流。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種可控硅調(diào)光電路，所述可控硅調(diào)光電路包括一電源模塊、一整流模塊、一調(diào)光模塊和一恒流模塊，所述電源模塊用以提供一輸入電壓，所述調(diào)光模塊與所述電源模塊電連接，所述調(diào)光模塊用于將所述電源模塊輸出給所述整流模塊的輸入電壓進(jìn)行切相以實現(xiàn)調(diào)光，所述整流模塊與所述調(diào)光模塊電連接，所述整流模塊用于將所述調(diào)光模塊輸出的電壓進(jìn)行整流以輸出整流電壓，所述恒流模塊與所述整流模塊電連接，用于驅(qū)動負(fù)載，并且使得流過負(fù)載的電流為恒定值，其特征在于，所述可控硅調(diào)光電路包括：
一泄放模塊，分別與所述整流模塊和恒流模塊電連接，所述泄放模塊用于根據(jù)流過恒流模塊的電流大小調(diào)整流經(jīng)所述泄放模塊的電流或關(guān)斷所述泄放模塊，以使流過所述泄放模塊的電流與流過所述恒流模塊的電流之和大于等于所述調(diào)光模塊工作的最小維持電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述恒流模塊通過一第一電阻R1電連接至所述泄放模塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅調(diào)光電路，其特征在于，所述泄放模塊包括：一MOS晶體管和一運算放大器；所述MOS晶體管的柵極電連接至所述運算放大器的輸出端，所述MOS晶體管的源...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王剛，張松，
申請(專利權(quán))人：上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31
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