一種大功率激光器的驅(qū)動(dòng)電路制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)的激光器驅(qū)動(dòng)電路采用了兩路功能相同的電路相串聯(lián)的形式，對(duì)于高功率激光器來說，所需驅(qū)動(dòng)電壓往往較高，變壓器不易設(shè)計(jì)，次級(jí)器件不容易選取，本實(shí)用新型專利技術(shù)采用前級(jí)采用兩級(jí)獨(dú)立的電路，次級(jí)串聯(lián)，那么每個(gè)次級(jí)電壓相對(duì)較低，有利于變壓器設(shè)計(jì)，有利于次級(jí)器件選取。兩路電路的輸入可以為同一直流電壓輸入，也可以為不同直流電壓輸入，輸入電壓可以相同，也可以不同，方便電源的選取。兩路電路單獨(dú)控制，其控制相位互差180度，有利于次級(jí)濾波，后面有三個(gè)電壓傳感器，分別檢測(cè)各路輸出的電壓和總體輸出電壓，若一路損壞，不影響另一路輸出。

Driving circuit of high power laser

The utility model of the laser drive circuit uses two circuit function in the same series form for high power laser, the driving voltage is high, the transformer is not easy, not easy to select the secondary device, the utility model adopts the front stage circuit, two independent secondary series, then each secondary voltage low, is conducive to the design of the transformer, is conducive to the selection of secondary devices. The input of the two circuits can be the same DC voltage input, can also be used for different DC voltage input, the input voltage can be the same, can also be different, to facilitate the selection of power supply. Two separate control circuit, the control phase difference of 180 degrees to the secondary filter, three voltage sensors behind the detection voltage and the overall output of each output voltage respectively, if a road damage, does not affect the other output.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種激光器的驅(qū)動(dòng)電路，屬于光電子

技術(shù)介紹
激光器的種類有很多種，像固體激光器，氣體激光器，半導(dǎo)體激光器，光纖激光器等等。在這些激光器當(dāng)中，除部分半導(dǎo)體激光器屬于直接電流泵浦之外，其余激光器基本上都是通過泵浦源進(jìn)行泵浦的，特別是對(duì)于大功率的激光器，需要使用大功率的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)泵浦源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而產(chǎn)生大功率的泵浦光，但是現(xiàn)有技術(shù)中一般是針對(duì)不同的激光器設(shè)計(jì)不同的驅(qū)動(dòng)電路，一般的驅(qū)動(dòng)電路很少通過簡(jiǎn)單改變即可適用到其它激光器上。并且，對(duì)于大功率激光器的驅(qū)動(dòng)電路來說，高功率激光器一般需要的驅(qū)動(dòng)電壓也比較高，此時(shí)，變壓器不易設(shè)計(jì)，主要體現(xiàn)在絕緣不好，寄生電容大，漏感大等問題，再者這樣電路中變壓器的次級(jí)器件不容易選取。本技術(shù)正是針對(duì)上述問題而提出來的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
根據(jù)本技術(shù)的一實(shí)施例，提供了一種激光器驅(qū)動(dòng)電路，包括第一和第二輸入端，其中第一輸入端包括正輸入端vin1+和負(fù)輸入端vin1-，第二輸入端包括正輸入端vin2+和負(fù)輸入端vin2-，正輸入端vin1+連接變壓器T1的初級(jí)兩個(gè)繞組的中點(diǎn)，該中點(diǎn)為初級(jí)第一和第二繞組的異名端連接點(diǎn)，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos1和mos2的漏極，電阻R6和電容C3串聯(lián)后并聯(lián)在MOS1的漏極和源極兩端作為mos1的吸收回路，電阻R7和電容C4串聯(lián)后并聯(lián)在MOS2的漏極和源極兩端作為mos2的吸收回路，mos1和mos2的源極都連接到負(fù)輸入端vin1-，mos1和mos2的門極分別通過電阻R10和R11連接到微處理器MCU。變壓器T1的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D1的陽(yáng)極和二級(jí)管D3陰極，另外一端連接二極管D2的陽(yáng)極和二極管D4的陰極，二極管D1和D2的陰極共同連接到電感L1的一端，二極管D3和D4的陽(yáng)極共同連接到電容C1的一端以及電阻R3的一端，電感L1的另外一端與電容C1的另外一端連接后再共同連接到電阻R2的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的一個(gè)輸入端以及晶閘管THY1的陽(yáng)極，晶閘管THY1的陰極連接負(fù)載，電阻R2的另外一端與電阻R3的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN2與電阻R3并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN1和VSEN2的輸出端分別連接微處理器MCU；正輸入端vin2+連接變壓器T2的初級(jí)兩個(gè)繞組的中點(diǎn)，該中點(diǎn)為初級(jí)第一和第二繞組的異名端連接點(diǎn)，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos3和mos4的漏極，電阻R8和電容C5串聯(lián)后并聯(lián)在MOS3的漏極和源極兩端作為mos3的吸收回路，電阻R9和電容C6串聯(lián)后并聯(lián)在MOS4的漏極和源極兩端作為mos4的吸收回路，mos3和mos4的源極都連接到負(fù)輸入端vin2-，mos3和mos4的門極分別通過電阻R12和R13連接到微處理器MCU。變壓器T2的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D5的陽(yáng)極和二級(jí)管D7陰極，另外一端連接二極管D6的陽(yáng)極和二極管D8的陰極，二極管D5和D7的陰極共同連接到電感L2的一端，二極管D6和D8的陽(yáng)極共同連接到電容C2的一端以及電阻R4的一端，電感L2的另外一端與電容C2的另外一端連接后再共同連接到電阻R4的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的另外一個(gè)輸入端以及負(fù)載，電阻R4的另外一端與電阻R5的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN3與電阻R5并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN3的輸出端連接微處理器MCU，同時(shí)，電容C1和C2串聯(lián)連接。附圖說明附圖1是本技術(shù)的激光器驅(qū)動(dòng)電路的示意圖。具體實(shí)施方式下面將在結(jié)合附圖的基礎(chǔ)上詳細(xì)描述本技術(shù)的激光器驅(qū)動(dòng)電路。本技術(shù)的激光器驅(qū)動(dòng)電路具體組成如下：包括第一和第二輸入端，其中第一輸入端包括正輸入端vin1+和負(fù)輸入端vin1-，第二輸入端包括正輸入端vin2+和負(fù)輸入端vin2-，正輸入端vin1+連接變壓器T1的初級(jí)兩個(gè)繞組的中點(diǎn)，該中點(diǎn)為初級(jí)第一和第二繞組的異名端連接點(diǎn)，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos1和mos2的漏極，電阻R6和電容C3串聯(lián)后并聯(lián)在MOS1的漏極和源極兩端作為mos1的吸收回路，電阻R7和電容C4串聯(lián)后并聯(lián)在MOS2的漏極和源極兩端作為mos2的吸收回路，mos1和mos2的源極都連接到負(fù)輸入端vin1-，mos1和mos2的門極分別通過電阻R10和R11連接到微處理器MCU。變壓器T1的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D1的陽(yáng)極和二級(jí)管D3陰極，另外一端連接二極管D2的陽(yáng)極和二極管D4的陰極，二極管D1和D2的陰極共同連接到電感L1的一端，二極管D3和D4的陽(yáng)極共同連接到電容C1的一端以及電阻R3的一端，電感L1的另外一端與電容C1的另外一端連接后再共同連接到電阻R2的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的一個(gè)輸入端以及晶閘管THY1的陽(yáng)極，晶閘管THY1的陰極連接負(fù)載，電阻R2的另外一端與電阻R3的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN2與電阻R3并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN1和VSEN2的輸出端分別連接微處理器MCU。正輸入端vin2+連接變壓器T2的初級(jí)兩個(gè)繞組的中點(diǎn)，該中點(diǎn)為初級(jí)第一和第二繞組的異名端連接點(diǎn)，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos3和mos4的漏極，電阻R8和電容C5串聯(lián)后并聯(lián)在MOS3的漏極和源極兩端作為mos3的吸收回路，電阻R9和電容C6串聯(lián)后并聯(lián)在MOS4的漏極和源極兩端作為mos4的吸收回路，mos3和mos4的源極都連接到負(fù)輸入端vin2-，mos3和mos4的門極分別通過電阻R12和R13連接到微處理器MCU。變壓器T2的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D5的陽(yáng)極和二級(jí)管D7陰極，另外一端連接二極管D6的陽(yáng)極和二極管D8的陰極，二極管D5和D7的陰極共同連接到電感L2的一端，二極管D6和D8的陽(yáng)極共同連接到電容C2的一端以及電阻R4的一端，電感L2的另外一端與電容C2的另外一端連接后再共同連接到電阻R4的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的另外一個(gè)輸入端以及負(fù)載，電阻R4的另外一端與電阻R5的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN3與電阻R5并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN3的輸出端連接微處理器MCU，同時(shí)，電容C1和C2串聯(lián)連接。根據(jù)上述的電路設(shè)計(jì)，可以看出，本技術(shù)的激光器驅(qū)動(dòng)電路采用了兩路功能相同的電路相串聯(lián)的形式，對(duì)于高功率激光器來說，所需驅(qū)動(dòng)電壓往往較高，變壓器不易設(shè)計(jì)，次級(jí)器件不容易選取，本技術(shù)采用前級(jí)采用兩級(jí)獨(dú)立的電路，次級(jí)串聯(lián)，那么每個(gè)次級(jí)電壓相對(duì)較低，有利于變壓器設(shè)計(jì)，有利于次級(jí)器件選取。兩路電路的輸入可以為同一直流電壓輸入，也可以為不同直流電壓輸入，輸入電壓可以相同，也可以不同，方便電源的選取。兩路電路單獨(dú)控制，其控制相位互差180度，有利于次級(jí)濾波，后面有三個(gè)電壓傳感器，分別檢測(cè)各路輸出的電壓和總體輸出電壓，若一路損壞，不影響另一路輸出。其工作過程大致如下：對(duì)于其中一個(gè)電路而言，mos3和mos4交替導(dǎo)通，MCU檢測(cè)輸出電壓，然后根據(jù)檢測(cè)電壓調(diào)節(jié)mos管的驅(qū)動(dòng)脈沖寬度，從而達(dá)到調(diào)節(jié)輸出電壓的目的，構(gòu)成反饋電路。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種激光器驅(qū)動(dòng)電路，包括第一和第二輸入端，其中第一輸入端包括正輸入端vin1+和負(fù)輸入端vin1?，第二輸入端包括正輸入端vin2+和負(fù)輸入端vin2?，正輸入端vin1+連接變壓器T1的初級(jí)兩個(gè)繞組，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos1和mos2的漏極，電阻R6和電容C3串聯(lián)后并聯(lián)在MOS1的漏極和源極兩端作為mos1的吸收回路，電阻R7和電容C4串聯(lián)后并聯(lián)在MOS2的漏極和源極兩端作為mos2的吸收回路，mos1和mos2的源極都連接到負(fù)輸入端vin1?，mos1和mos2的門極分別通過電阻R10和R11連接到微處理器MCU，變壓器T1的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D1的陽(yáng)極和二級(jí)管D3陰極，另外一端連接二極管D2的陽(yáng)極和二極管D4的陰極，二極管D1和D2的陰極共同連接到電感L1的一端，二極管D3和D4的陽(yáng)極共同連接到電容C1的一端以及電阻R3的一端，電感L1的另外一端與電容C1的另外一端連接后再共同連接到電阻R2的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的一個(gè)輸入端以及晶閘管THY1的陽(yáng)極，晶閘管THY1的陰極連接負(fù)載，電阻R2的另外一端與電阻R3的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN2與電阻R3并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN1和VSEN2的輸出端分別連接微處理器MCU；正輸入端vin2+連接變壓器T2的初級(jí)兩個(gè)繞組，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos3和mos4的漏極，電阻R8和電容C5串聯(lián)后并聯(lián)在MOS3的漏極和源極兩端作為mos3的吸收回路，電阻R9和電容C6串聯(lián)后并聯(lián)在MOS4的漏極和源極兩端作為mos4的吸收回路，mos3和mos4的源極都連接到負(fù)輸入端vin2?，mos3和mos4的門極分別通過電阻R12和R13連接到微處理器MCU，變壓器T2的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D5的陽(yáng)極和二級(jí)管D7陰極，另外一端連接二極管D6的陽(yáng)極和二極管D8的陰極，二極管D5和D7的陰極共同連接到電感L2的一端，二極管D6和D8的陽(yáng)極共同連接到電容C2的一端以及電阻R4的一端，電感L2的另外一端與電容C2的另外一端連接后再共同連接到電阻R4的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的另外一個(gè)輸入端以及負(fù)載，電阻R4的另外一端與電阻R5的另外一端連接，隔離電壓傳感器VSEN3與電阻R5并聯(lián)，隔離電壓傳感器VSEN3的輸出端連接微處理器MCU，同時(shí)，電容C1和C2串聯(lián)連接。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種激光器驅(qū)動(dòng)電路，包括第一和第二輸入端，其中第一輸入端包括正輸入端vin1+和負(fù)輸入端vin1-，第二輸入端包括正輸入端vin2+和負(fù)輸入端vin2-，正輸入端vin1+連接變壓器T1的初級(jí)兩個(gè)繞組，初級(jí)第一繞組和第二繞組的另外一端分別連接場(chǎng)效應(yīng)管mos1和mos2的漏極，電阻R6和電容C3串聯(lián)后并聯(lián)在MOS1的漏極和源極兩端作為mos1的吸收回路，電阻R7和電容C4串聯(lián)后并聯(lián)在MOS2的漏極和源極兩端作為mos2的吸收回路，mos1和mos2的源極都連接到負(fù)輸入端vin1-，mos1和mos2的門極分別通過電阻R10和R11連接到微處理器MCU，變壓器T1的次級(jí)具有兩個(gè)輸出端，其中一個(gè)輸出端連接二極管D1的陽(yáng)極和二級(jí)管D3陰極，另外一端連接二極管D2的陽(yáng)極和二極管D4的陰極，二極管D1和D2的陰極共同連接到電感L1的一端，二極管D3和D4的陽(yáng)極共同連接到電容C1的一端以及電阻R3的一端，電感L1的另外一端與電容C1的另外一端連接后再共同連接到電阻R2的一端、隔離電壓傳感器VSEN1的一個(gè)輸入端以及晶閘管THY1的陽(yáng)極，晶閘管THY1的陰極連接負(fù)載，電阻R2的另外一端與電阻R3的另外一端連接，隔離電壓傳感器...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙一名，李松濤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華北電力大學(xué)保定，
類型：新型
國(guó)別省市：河北;13