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    一種光接收器的光路結構制造技術

    技術編號:15156940 閱讀:192 留言:0更新日期:2017-04-12 00:16
    本實用新型專利技術提供一種光接收器的光路結構,包括:陶瓷插芯、透鏡、熱沉、解復用器、透鏡陣列、棱鏡和光電二極管陣列,所述解復用器、透鏡陣列和棱鏡分別設置于所述熱沉上,所述透鏡設置于所述解復用器遠離透鏡陣列的一側,所述陶瓷插芯設置于所述透鏡遠離解復用器的一側,所述棱鏡設置于所述透鏡陣列遠離解復用器的一側,所述光電二極管陣列為背照式的光電二極管陣列,所述光電二極管陣列設置于所述棱鏡的上方。本實用新型專利技術通過背照式的光電二極管陣列使得光路的光是從其下表面入射,所以在光路中棱鏡將光向上折射,使得光從背照式的光電二極管陣列的下表面垂直入射,進而改變了光路結構,能夠使得產品工藝變得簡單。

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及一種接收器,尤其涉及一種工藝簡單的光接收器。
    技術介紹
    以視頻、云計算、物聯網為代表的新興業務對帶寬需求劇增,推動光傳輸網絡沿著40G、100G的路線快速升級,100G光通信網絡產品和技術已經逐漸成熟。作為100GLR4模塊中的關鍵器件之一,其光接收組件中實現分光的元件稱為DEMUX(De-Multiplexer),即解復用器或分路器,DEMUX主要有兩種方案,一種是AWGPLC(PlanarLightwaveCircuit)是用波導結構把輸入的四種波長的混合光按波長分為四路。另外一種是采用玻璃Block-filter,四個filter每個filter都是針四個波長段定制的透射率和反射率,通過四塊不同的filter把四種波長的光分開?,F有的光接收器采用的是正照式的光電二極管陣列,那么,必然存在這么幾個問題:第一、正照式光電二極管陣列的光敏面小一般只有20um,耦合工藝難度高;第二、組裝帶反射面的小棱鏡的光路復雜,定位要求精度高;第三、在這種正照式結構中需要引線連接的光電二極管芯片平面低于光路所在的光軸,并且幾乎所有原件都高于需要引線連接的引線連接面,那么,引線連接設備的瓷嘴需要下到更深的管殼內,使得引線連接工藝的風險加大,容易撞壞產品或者引線連接設備的瓷嘴;第四、需要深腔焊,現有的深腔焊的引線連接設備價格昂貴,增加了產品的成本。
    技術實現思路
    本技術所要解決的技術問題是需要提供一種通過改變光路結構進而使得產品工藝簡單化的光接收器。對此,本技術提供一種光接收器的光路結構,包括:陶瓷插芯、透鏡、熱沉、解復用器、透鏡陣列、棱鏡和光電二極管陣列,所述解復用器、透鏡陣列和棱鏡分別設置于所述熱沉上,所述透鏡設置于所述解復用器遠離透鏡陣列的一側,所述陶瓷插芯設置于所述透鏡遠離解復用器的一側,所述棱鏡設置于所述透鏡陣列遠離解復用器的一側,所述光電二極管陣列為背照式的光電二極管陣列,所述光電二極管陣列設置于所述棱鏡的上方。本技術的進一步改進在于,所述棱鏡包括反射面,所述反射面設置于所述棱鏡遠離熱沉的一側,所述光電二極管陣列貼裝在所述反射面上。本技術的進一步改進在于,所述棱鏡包括45度的反射面。本技術的進一步改進在于,還包括光軸,所述陶瓷插芯、透鏡、解復用器和透鏡陣列的中心線均與所述光軸位于同一水平線上。本技術的進一步改進在于,還包括導電金屬線,所述光電二極管陣列通過導電金屬線連接至外部的跨阻放大器。本技術的進一步改進在于,所述導電金屬線的一端設置于所述光電二極管陣列的上表面。本技術的進一步改進在于,還包括用于連接導電金屬線的焊接面,所述導電金屬線的另一端設置于所述焊接面的上表面。本技術的進一步改進在于,所述焊接面的水平位置高于光軸的水平位置。本技術的進一步改進在于,所述焊接面設置于所述熱沉的上表面。本技術的進一步改進在于,所述光電二極管陣列的上表面水平位置高于所述光軸的水平位置。與現有技術相比,本技術的有益效果在于:通過背照式的光電二極管陣列使得光路的光是從其下表面入射,所以在光路中棱鏡將光向上折射,使得光從背照式的光電二極管陣列的下表面垂直入射,進而改變了光路結構,能夠使得產品工藝變得簡單,具體的優勢在于:第一、通過背照式的光電二極管陣列刻蝕了透鏡結構能夠接收到更多的光能量,相當于增大了光電二極管的光敏面,使其從現有技術中的20um增加到30um-40um,大大降低了耦合難度;第二、帶45度反射面的棱鏡和背照式的光電二極管陣列之間的貼裝精度要求也大大降低;第三、需要引線連接的光電二極管的平面高于光軸使得引線連接的工藝簡單;第四、不需要深腔焊,使用普通的引線連接設備就可以完成導電金屬線的連接工藝,大大降低了產品工藝復雜度,節約了人力和物力,降低了產品成本。附圖說明圖1是本技術一種實施例的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖,對本技術的較優的實施例作進一步的詳細說明。如圖1所示,本例提供一種光接收器的光路結構,包括:陶瓷插芯101、透鏡102、熱沉103、解復用器104、透鏡陣列105、棱鏡106和光電二極管陣列201,所述解復用器104、透鏡陣列105和棱鏡106分別設置于所述熱沉103上,所述透鏡102設置于所述解復用器104遠離透鏡陣列105的一側,所述陶瓷插芯101設置于所述透鏡102遠離解復用器104的一側,所述棱鏡106設置于所述透鏡陣列105遠離解復用器104的一側,所述光電二極管陣列201為背照式的光電二極管陣列201,所述光電二極管陣列201設置于所述棱鏡106的上方。本例所述解復用器104即DEMUX,也稱分路器;所述光電二極管陣列201即為PD陣列,也就是Photodiode陣列?,F有技術中,正照式的光電二極管陣列設置于棱鏡的下方,在接收光信號從陶瓷插芯中輸出到達透鏡,經過透鏡被耦合進入解復用器的輸入端口經過解復用器使得不同波長的光信號被分開,各通道的光通過透鏡陣列匯聚再經過帶反射面的棱鏡的反射,光垂直向下聚焦到正照式的光電二極管陣列的上表面,所述光電二極管陣列的上表面就是光敏面,完成光電轉換;這種正照式的光電二極管陣列正面感光,光敏面在光電二極管陣列的上表面,光直接入射到其上表面就可以完成光電轉換。本例采用的是背照式的光電二極管陣列201,背面感光,光要從背面入射,一般都會有一個刻蝕的透鏡結構,可以對光進行進一步匯聚,從而接收到更多的光能量,它的光敏面一般在刻蝕透鏡和上表面之間的區域,上表面設置是一些電連接的引腳。本例從陶瓷插芯101中輸出的接收光信號到達透鏡102,所述光信號包括1295.56nm、1300.06nm、1304.59nm和1309.14nm四種波長的混合光,然后經過透鏡102被耦合進入解復用器104的輸入端口經過解復用器104使得不同波長的光信號被分開,各通道的光通過透鏡陣列105匯聚再經過棱鏡106的反射,光垂向上入射到背照式的光電二極管陣列201的透鏡上,最后匯聚到其光敏面,完成光電轉換。相對于現有技術的正照式的光電二極管陣列結構的100GLR4光接收組件而言,本例采用了背照式的光電二極管陣列201結構的100GLR4光接收組件最大的不同就是光電二極管陣列201以及光路部分結構,背照式的光電二極管陣列201的光是從其下表面入射,所以光路中棱鏡106將光向上折射,使得光從背照式的光電二極管陣列201的下表面垂直入射,進而改變了光路使得產品工藝簡單很多。如圖1所示,本例所述棱鏡106包括反射面,所述反射面設置于所述棱鏡106遠離熱沉103的一側,所述光電二極管陣列201貼裝在所述反射面上;所述棱鏡106優選包括45度的反射面;本例還包括光軸108、導電金屬線110和用于連接導電金屬線110的焊接面109,所述陶瓷插芯101、透鏡102、解復用器104和透鏡陣列105的中心線均與所述光軸108位于同一水平線上;所述光電二極管陣列201通過導電金屬線110連接至外部的跨阻放大本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種光接收器的光路結構,其特征在于,包括:陶瓷插芯、透鏡、熱沉、解復用器、透鏡陣列、棱鏡和光電二極管陣列,所述解復用器、透鏡陣列和棱鏡分別設置于所述熱沉上,所述透鏡設置于所述解復用器遠離透鏡陣列的一側,所述陶瓷插芯設置于所述透鏡遠離解復用器的一側,所述棱鏡設置于所述透鏡陣列遠離解復用器的一側,所述光電二極管陣列為背照式的光電二極管陣列,所述光電二極管陣列設置于所述棱鏡的上方。

    【技術特征摘要】
    1.一種光接收器的光路結構,其特征在于,包括:陶瓷插芯、透鏡、熱沉、解復用器、透鏡陣列、棱鏡和光電二極管陣列,所述解復用器、透鏡陣列和棱鏡分別設置于所述熱沉上,所述透鏡設置于所述解復用器遠離透鏡陣列的一側,所述陶瓷插芯設置于所述透鏡遠離解復用器的一側,所述棱鏡設置于所述透鏡陣列遠離解復用器的一側,所述光電二極管陣列為背照式的光電二極管陣列,所述光電二極管陣列設置于所述棱鏡的上方。
    2.根據權利要求1所述的光接收器的光路結構,其特征在于,所述棱鏡包括反射面,所述反射面設置于所述棱鏡遠離熱沉的一側,所述光電二極管陣列貼裝在所述反射面上。
    3.根據權利要求2所述的光接收器的光路結構,其特征在于,所述棱鏡包括45度的反射面。
    4.根據權利要求1至3任意一項所述的光接收器的光路結構,其特征在于,還包括光軸,所述陶瓷插芯、透鏡、解復用器和透鏡陣列的中心線均...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:吳帥,楊海麗鎮磊
    申請(專利權)人:吳帥,
    類型:新型
    國別省市:廣東;44

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