一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝制造技術

本發明專利技術公開了一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，包括步驟：真空超聲波皂化清洗、真空碳氫切水、真空超聲波碳氫清洗、蒸汽浴洗與真空干燥、等離子清洗，其中，碳氫清洗劑均為C

High precision cleaning process for 3D optical glass and sapphire semiconductor

The invention discloses a method for 3D optical glass, sapphire semiconductor high precision cleaning process, which comprises the following steps: ultrasonic cleaning, vacuum vacuum saponification, water cut hydrocarbon hydrocarbon ultrasonic cleaning, vacuum steam bath and vacuum drying, plasma cleaning, the hydrocarbon cleaning agent was C

【技術實現步驟摘要】
一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝
本專利技術涉及工件表面清理領域，特別涉及一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝。
技術介紹
目前，針對3D光學玻璃、藍寶石、硅片、陶瓷、晶元類半導體等具有光滑面的工件，清洗的工藝為1#超聲波水基清洗(多道)—2#超純水清洗(多道)—3#高溫慢拉—4#干燥，主要的清洗劑包括水基清洗劑(主要為表面活性劑)、去離子水，清洗的原理為通過表面活性劑的乳化、滲透、清洗等作用，以及通過大量的去離子水漂洗，最終達到清洗目的。但經該清洗工藝清洗后的產品表面易出現水印、粉塵殘留等不良，不良率5％-15％，同時該清洗工藝容易產生大量廢水，污染環境，廢水需進行處理，成本高，而工藝對去離子水(DI水)的要求高，DI水質難控制。以上的種種情況不僅導致了工件清洗的質量達不到要求，并且還會產生環境污染以及增加成本的問題，不適應目前清洗標準的要求。因此，亟需一種能夠解決上述問題，在保證工作清洗品質的基礎上，能最大限度的降低成本和/或減少環境的污染。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，該工藝清洗良品率高，品質穩定，工序精簡，無水化清洗，無染污，成本低。為了解決上述技術問題，本專利技術的技術方案為，一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，包括如下工序：真空超聲波皂化清洗：將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為28KHz、大小為50～100％的超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3～10s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為5～20s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；真空碳氫切水：在真空度為-75Kpa的真空條件下，將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中進行拋動清洗，工件于碳氫清洗劑中拋動180～420s；真空超聲波碳氫清洗：將工件置于溫度為45～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為40KHz、大小為50～100％超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，清洗過程中伴隨著工件的拋動，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為10s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；蒸汽浴洗與真空干燥：在真空度為-90Kpa的條件下，先將工件置于溫度為90～110℃的碳氫清洗劑所形成的蒸汽中進行真空浴洗1～5次，每次清洗時間為15～30s，完成蒸汽浴洗后，調整真空度為-100Kpa，并在溫度為90～110℃條件下干燥180～420s；等離子清洗，將工件置于真空度為0.5～4Pa的密閉空間內，在射頻電源的作用下按100～400ml/min速率通入無機氣體形成等離子體清洗，清洗時間為180～360s。其中，碳氫清洗劑均為CnH2n+2飽和鏈烴類清洗劑，真空超聲波皂化清洗、真空碳氫切水、真空超聲波碳氫清洗、蒸汽浴洗與真空干燥步驟均重復兩次。優選地，第一次真空超聲波清洗碳氫清洗劑通過蒸餾回收步驟回收，第一次真空超聲波清洗中的碳氫清洗劑溶液經過蒸餾回收步驟的儲存-蒸餾后作為第二次真空超聲波清洗中的碳氫清洗劑，而第二次超聲波碳氫清洗工序中的碳氫清洗劑則部分回流作為第一次真空超聲波清洗中；優選地，第一次蒸汽浴洗與真空干燥和第二次蒸汽浴洗與真空干燥中的碳氫清洗劑均通過冷凝回收步驟回收，兩次蒸汽浴洗與真空干燥中的蒸汽經冷凝回收步驟回收并作為第一次真空超聲波清洗與第二次真空超聲波清洗中至少一個步驟的碳氫清洗劑。優選地，無機氣體選自O2、H2、N2、Ar2中至少一種。本專利技術采用無污染的碳氫清洗劑對工作進行清洗，可以避免對環境的影響，而通過各個工藝步驟真空超聲波皂化清洗-真空碳氫切水-真空超聲波碳氫清洗-蒸汽浴洗與真空干燥-等離子清洗的配合，以及各個工藝步驟中參數的設定，從而將不良率控制在2％以內，提高良品率，保持清洗品質穩定，同時該工序簡單，為無水化清洗，無污染，成本低。附圖說明圖1為本專利技術一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝的工藝流程圖。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是，對于這些實施方式的說明用于幫助理解本專利技術，但并不構成對本專利技術的限定。此外，下面所描述的本專利技術各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。如圖所示，一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，其清洗工序依次為：真空超聲波皂化清洗-真空碳氫切水-真空超聲波碳氫清洗-蒸汽浴洗與真空干燥-等離子清洗，其中，真空超聲波皂化清洗、真空碳氫切水、真空超聲波碳氫清洗、蒸汽浴洗與真空干燥均重復兩次，各個步驟中第一次相當于粗洗，而第二次為精洗。本實施例涉及的碳氫清洗劑均為分子式為CnH2n+2飽和鏈烴類清洗劑，如市售純的C10H22、C11H24、C9H20飽和鏈烴類清洗劑，本實施例并沒有限制清洗劑的類型，只要與清洗的物質相匹配即可，而主要的特點是通過工藝間的配合以及重復，從而提高清洗的良品率，具體操作如下：第一次真空超聲波皂化清洗：將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為28KHz、大小為50～100％的超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3～10s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為5～20s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；第二次真空超聲波皂化清洗：將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為28KHz、大小為50～100％的超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3～10s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為5～20s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；第一次真空碳氫切水：在真空度為-75Kpa的真空條件下，將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中進行拋動清洗，工件于碳氫清洗劑中拋動180～420s；第二次真空碳氫切水：在真空度為-75Kpa的真空條件下，將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中進行拋動清洗，工件于碳氫清洗劑中拋動180～420s；第一次真空超聲波碳氫清洗：將工件置于溫度為45～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為40KHz、大小為50～100％超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，清洗過程中伴隨著工件的拋動，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為10s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；第二次真空超聲波碳氫清洗：將工件置于溫度為45～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為40KHz、大小為50～100％超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，清洗過程中伴隨著工件的拋動，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為10s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；第一次蒸汽浴洗與真空干燥：在真空度為-90Kpa的條件下，先將工件置于溫度為90～110℃的碳氫清洗劑所形成的蒸汽中進行真空浴洗1～5次，每次清洗時間為15～30s，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，其特征在于，包括如下步驟：真空超聲波皂化清洗：將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為28KHz、大小為50～100％的超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，真空清洗的條件為真空度?65Kpa，清洗時間3～10s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為5～20s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；真空碳氫切水：在真空度為?75Kpa的真空條件下，將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中進行拋動清洗，工件于碳氫清洗劑中拋動180～420s；真空超聲波碳氫清洗：將工件置于溫度為45～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為40KHz、大小為50～100％超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，清洗過程中伴隨著工件的拋動，真空清洗的條件為真空度?65Kpa，清洗時間3s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為10s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；蒸汽浴洗與真空干燥：在真空度為?90Kpa的條件下，先將工件置于溫度為90～110℃的碳氫清洗劑所形成的蒸汽中進行真空浴洗1～5次，每次清洗時間為15～30s，完成蒸汽浴洗后，調整真空度為?100Kpa，并在溫度為90～110℃條件下干燥180～420s；等離子清洗，將工件置于真空度為0.5～4Pa的密閉空間內，在射頻電源的作用下按100～400ml/min速率通入無機氣體形成等離子體清洗，清洗時間為180～360s。其中，碳氫清洗劑均為C...

【技術特征摘要】
1.一種針對3D光學玻璃、藍寶石半導體的高精清洗工藝，其特征在于，包括如下步驟：真空超聲波皂化清洗：將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為28KHz、大小為50～100％的超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3～10s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為5～20s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；真空碳氫切水：在真空度為-75Kpa的真空條件下，將工件置于溫度為30～50℃的碳氫清洗劑中進行拋動清洗，工件于碳氫清洗劑中拋動180～420s；真空超聲波碳氫清洗：將工件置于溫度為45～50℃的碳氫清洗劑中，同時將頻率為40KHz、大小為50～100％超聲波接入碳氫清洗劑中，交替地進行真空清洗和入氣清洗，清洗過程中伴隨著工件的拋動，真空清洗的條件為真空度-65Kpa，清洗時間3s，入氣清洗條件為標準大氣壓下清洗時間為10s,真空清洗和入氣清洗的總時間為180～420s；蒸汽浴洗與真空干燥：在真空度為-90Kpa的條件下，先將工件置于溫度為90～110℃的碳氫清洗劑所形成的蒸汽中進行真空浴洗1～5次，每次清洗時間為15～30s，完成蒸汽浴洗...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李輝，丁玉清，鄺文軒，胡俊，張遠東，劉展波，張文錄，肖波，
申請(專利權)人：深圳市鑫承諾環保產業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44