一種NAND FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)特別涉及一種NAND?FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。該NAND?FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，根據(jù)NAND?FLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；NAND?FLASH陣列控制器接收上級命令并解析，執(zhí)行解析出的命令并根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌Ｔ揘AND?FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不同文件不混用block，且支持block地址的動態(tài)排隊，在NAND?FLASH控制器不設(shè)計磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機刪除功能，不僅地址管理簡單，而且兼容性強，執(zhí)行效率高，具有廣闊的應(yīng)用前景。

Method for implementing two level address mapping table of NAND FLASH array

The invention relates to a NAND FLASH array two level address mapping table implementation method. The NAND FLASH array two level address mapping table implementation method, according to the NAND FLASH array specification two level address mapping, determine the block address mapping table specification and page address mapping table specifications; NAND FLASH array controller receives commands and perform analysis, parsing out the orders according to the superior sent to the block address and operation commands and data, execute query the block corresponds to the page address mapping table; the process execution cycle, until the completion of the entire file read, erase or write operation. The NAND FLASH array two level address mapping table implementation method, address mapping is divided into two layers, block file is not mixed, dynamic and support block address in the NAND queue, FLASH controller design of wear leveling and garbage collection case, support random delete function, not only simple address management, and strong compatibility the implementation of high efficiency, and has broad application prospects.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法
本專利技術(shù)涉及NANDFLASH控制器和IC設(shè)計
，特別涉及一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。
技術(shù)介紹
NAND-FLASH內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND-FLASH存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。當前NANDFLASH陣列控制大多使用一級page地址映射，每個芯片的每個page都需要頂層模塊分別進行控制，頂層模塊地址管理復(fù)雜且效率低。由于地址映射沒有層次，為支持文件隨機刪除，需要NANDFLASH控制器設(shè)計磨損均衡和垃圾回收模塊，設(shè)計難度大。針對存儲芯片陣列的一級page地址映射，本專利技術(shù)提出了一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)為了彌補現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供了一種簡單高效的NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法。本專利技術(shù)是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）根據(jù)NANDFLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；（2）NANDFLASH陣列控制器接收上級命令并解析；（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；若為寫入命令，則判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；（4）根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌Ｋ霾襟E（1）中，NANDFLASH陣列規(guī)格為16x4時，為16片NANDFLASH芯片并行，4級流水的存儲陣列，每片NANDFLASH芯片有32000個block，每個block有256個page；一級block地址映射表規(guī)格為32000個地址條目和一個當前操作block地址指針條目，每個地址條目內(nèi)有兩部分，文件名和block地址映射及當前block是否可寫入標志位，當前操作block地址指針條目存儲當前正在操作的block地址；二級page地址映射表有32000x64個部分，即每個芯片的每個block一個page地址映射表，每個page地址映射表單元有256個地址條目和一個當前操作page地址指針條目，每個地址條目包含頁地址和物理地址映射信息，當?shù)刂分羔樦赶蜃詈笠粋€page時，向上級block地址映射表發(fā)送信息，將當前block標記為不可寫入。所述步驟（3）中，若為寫入命令，判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，若為新文件或當前block為不可寫入，向下一個block寫入，若為舊文件且當前block為可寫入，向個芯片當前block地址發(fā)送寫入命令。本專利技術(shù)的有益效果是：該NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不同文件不混用block，且支持block地址的動態(tài)排隊，在NANDFLASH控制器不設(shè)計磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機刪除功能，不僅地址管理簡單，而且兼容性強，執(zhí)行效率高，具有廣闊的應(yīng)用前景。附圖說明附圖1為本專利技術(shù)NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法示意圖。具體實施方式為了使本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖和實施例，對本專利技術(shù)進行詳細的說明。應(yīng)當說明的是，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本專利技術(shù)，并不用于限定本專利技術(shù)。該NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，包括以下步驟：（1）根據(jù)NANDFLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；（2）NANDFLASH陣列控制器接收上級命令并解析；（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；若為寫入命令，則判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；（4）根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌ANDFLASH陣列規(guī)格為16x4時，為16片NANDFLASH芯片并行，4級流水的存儲陣列，每片NANDFLASH芯片有32000個block，每個block有256個page；所述步驟（1）中，一級block地址映射表規(guī)格為32000個地址條目和一個當前操作block地址指針條目，每個地址條目內(nèi)有兩部分，文件名和block地址映射及當前block是否可寫入標志位，當前操作block地址指針條目存儲當前正在操作的block地址；二級page地址映射表有32000x64個部分，即每個芯片的每個block一個page地址映射表，每個page地址映射表單元有256個地址條目和一個當前操作page地址指針條目，每個地址條目包含頁地址和物理地址映射信息，當?shù)刂分羔樦赶蜃詈笠粋€page時，向上級block地址映射表發(fā)送信息，將當前block標記為不可寫入。所述步驟（3）中，若為寫入命令，判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，若為新文件或當前block為不可寫入，向下一個block寫入，若為舊文件且當前block為可寫入，向個芯片當前block地址發(fā)送寫入命令。該NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，地址映射分為兩層，不論芯片陣列規(guī)格為什么，頂層模塊看到的block地址映射表規(guī)格為單片NANDFLASH芯片中的block數(shù)目，地址管理簡單；不同文件不混用block，且支持block地址的動態(tài)排隊，在NANDFLASH控制器不設(shè)計磨損均衡和垃圾回收的情況下，支持隨機刪除功能。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種NAND?FLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，其特征在于包括以下步驟：（1）根據(jù)NAND?FLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；（2）NAND?FLASH陣列控制器接收上級命令并解析；（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；若為寫入命令，則判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；（4）根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌?

【技術(shù)特征摘要】
1.一種NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，其特征在于包括以下步驟：（1）根據(jù)NANDFLASH陣列規(guī)格確定二級地址映射，確定block地址映射表規(guī)格和page地址映射表規(guī)格；（2）NANDFLASH陣列控制器接收上級命令并解析；（3）根據(jù)解析出的命令，執(zhí)行解析出的讀命令、擦除命令或者寫命令；若為讀命令或擦除命令，則查詢block地址映射表，找出文件對應(yīng)的blcok地址，從低block地址向高block地址循環(huán)，向存儲芯片陣列發(fā)送讀或擦除命令；若為寫入命令，則判斷當前文件是否為新文件，查詢當前block地址是否為可寫入，根據(jù)多種條件，向存儲芯片陣列發(fā)送不同block地址寫入數(shù)據(jù)命令；（4）根據(jù)上級發(fā)送來的block地址和操作命令和數(shù)據(jù)，查詢該block對應(yīng)的page地址映射表，執(zhí)行操作；（5）循環(huán)執(zhí)行上述流程，直到完成整個文件讀取、擦除或?qū)懭氩僮鳌?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NANDFLASH陣列二級地址映射表的實現(xiàn)方法，其特征在于：所述步驟（1）中，NANDFLASH陣列規(guī)格為16x4時，為16片NANDFLASH芯片并行，4級流水的存儲陣列，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙鑫鑫，姜凱，李朋，尹超，
申請(專利權(quán))人：濟南浪潮高新科技投資發(fā)展有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：山東,37