發(fā)光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置制造方法及圖紙

提供防止TFT的Vsdd?Id特性和OLED的正向電壓Vel的分散引起的光量分散的發(fā)光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置。在向在TFT的漏極端子上連接了OLED的串聯(lián)電路施加規(guī)定電壓而使其發(fā)光的裝置中，在每次使OLED發(fā)光時，估計用于使其以設(shè)定光量發(fā)光的OLED的正向電壓Vel及驅(qū)動電流量Id、以及TFT的源極?漏極電壓Vsd，根據(jù)TFT的Vsd?Id特性，決定與驅(qū)動電流量Id和源極?漏極電壓Vsd對應(yīng)的TFT的柵極?源極電壓Vgs。將這樣決定的柵極?源極電壓Vgs施加給TFT，能夠防止非飽和區(qū)域中的Vsd?Id特性引起的OLED的光量的分散。

Light emitting device, optical writing device, and image forming apparatus

For preventing dispersion of forward voltage Vel TFT Vsdd Id and OLED characteristics caused by light scattered light emitting device, light writing device and image forming apparatus. To apply a predetermined voltage to the drain terminal connected to the OLED in the TFT series circuit and the light emitting device, in each of the OLED light-emitting, estimates for forward voltage Vel in the setting of luminous flux of OLED and Id, and the TFT drive current source drain voltage Vsd. According to the characteristics of TFT Id Vsd, decided to drive current and the amount of Id and source drain voltage Vsd corresponding to the TFT gate source voltage Vgs. The gate source will do pole voltage Vgs is applied to the TFT, to prevent the dispersion of light caused by the unsaturated region in Vsd Id properties of OLED.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
發(fā)光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置
本專利技術(shù)涉及發(fā)光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置，涉及以較高的精度來控制使用薄膜晶體管被電流驅(qū)動的發(fā)光元件的光量的技術(shù)。
技術(shù)介紹
電子照相方式的圖像形成裝置為了在一致帶電的感光體表面形成靜電潛像而具備光寫入裝置。光寫入裝置響應(yīng)于圖像形成裝置的小型化的需求，從以激光二極管為發(fā)光源的光掃描型，正在切換為將微小點(dot)的發(fā)光元件配置為線狀的線光學(xué)型。進而，線光學(xué)型的光寫入裝置中，若使用半導(dǎo)體LED(發(fā)光二極管(LightEmittingDiode))作為發(fā)光元件，則LED陣列和用于控制各發(fā)光元件的驅(qū)動電路成為不同基板，所以現(xiàn)狀下必須高成本。另一方面，若采用有機LED(OLED：OrganicLED)作為發(fā)光元件，則能夠?qū)ED陣列和驅(qū)動電路形成于同一基板，因此能夠?qū)⒐鈱懭胙b置低成本化。但這樣的光寫入裝置(OLED-PH：OLED打印頭(OLEDPrintHead))通過點亮在主掃描方向上多個(例如，15000個)排列的發(fā)光元件來進行光寫入，所以若在發(fā)光元件間光量存在不均，則在靜電潛像、進而調(diào)色劑像中產(chǎn)生主掃描方向上的濃度不均，不能達成優(yōu)良的畫質(zhì)。在使用了OLED的顯示器裝置中，光量分散被允許至30％，相對于此，在OLED-PH中，對于光量分散的要求精度高，即使小于1％的光量分散也必須進行校正。進而，在消除光量分散時，為了產(chǎn)生能夠?qū)⒐鈱懭胙b置低成本化這樣的OLED的優(yōu)點，優(yōu)選不使用光傳感器。在消除發(fā)光元件的光量不均的技術(shù)中，例如存在如下的現(xiàn)有技術(shù)。即，如圖14所示，首先在寫入期間中，將用于使發(fā)光元件1401以電流DAC(數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DigitaltoAnalogueConverter))期望的光量發(fā)光的驅(qū)動電流Id強制性地流過對向發(fā)光元件1401供應(yīng)的驅(qū)動電流量進行控制的薄膜晶體管(TFT：ThinFilmTransistor)1402，將在TFT1402的漏極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的電位差Vdg存儲至電容器1403。在發(fā)光期間中，將在電容器1403中存儲的電壓Vdg施加在TFT1402的柵極端子和漏極端子之間，使發(fā)光元件1401以期望的光量發(fā)光(例如，參照專利文獻1)。在TFT1402的閾值電壓Vth中存在初始分散，進而，TFT1402的漏極電流Id與閾值電壓Vth處于大致成比例的關(guān)系。因此，即使施加與TFT1402相同的電壓Vdg，被供應(yīng)的驅(qū)動電流Id發(fā)生分散，發(fā)光元件1401的光量變得不一定。相對于此，根據(jù)本現(xiàn)有技術(shù)，將用于供應(yīng)用于使發(fā)光元件1401以期望的光量發(fā)光的驅(qū)動電流Id的電壓Vdg存儲至電容器1403，在發(fā)光期間將電壓Vdg施加給TFT1402，因此能夠抑制發(fā)光元件1401的光量的分散。此外，在其他的現(xiàn)有技術(shù)中，預(yù)先使全部發(fā)光元件以同一條件發(fā)光而存儲每個發(fā)光元件的光量，根據(jù)所存儲的光量對每個發(fā)光元件校正驅(qū)動條件(參照專利文獻2)。據(jù)此，即使在發(fā)光元件的發(fā)光效率α中存在分散，減少在同一條件下發(fā)光的情況下光量多的發(fā)光元件的驅(qū)動電流，關(guān)于光量少的發(fā)光元件，增多驅(qū)動電流等，對驅(qū)動條件進行校正，因此能夠抑制光量分散?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：(日本)特開2010-200514號公報專利文獻2：(日本)特開2005-329634號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
但是，關(guān)于上述的兩個現(xiàn)有技術(shù)之中最初的現(xiàn)有技術(shù)，存在OLED的正向電壓Vel具有的初始分散、TFT的源極-漏極電壓Vsd和漏極電流Id之間的Vsd-Id特性引起的以下那樣的問題。在OLED的正向電壓Vel中存在初始分散，因此如圖14所示，即使向發(fā)光元件1401和TFT1402的串聯(lián)電路施加的電壓Vdd相同，但向TFT1402施加的源極-漏極電壓Vsd成為Vsd＝Vdd-Vel，發(fā)生分散。TFT的Vsd-Id特性與雙極晶體管等不同，若在飽和區(qū)域中源極-漏極電壓Vsd增加，則漏極電流Id也增加。因此，若源極-漏極電壓Vsd發(fā)生分散，則漏極電流Id也發(fā)生分散，因此在最初的現(xiàn)有技術(shù)中，不能消除發(fā)光元件1401的光量的分散。此外，在上述的兩個現(xiàn)有技術(shù)之中第二個現(xiàn)有技術(shù)中，也存在OLED的正向電壓Vel引起的問題。即，OLED的正向電壓Vel不僅存在初始分散，而且經(jīng)時變化大，因此如上述那樣驅(qū)動電流Id發(fā)生分散。因此，僅對發(fā)光效率α的經(jīng)時變化進行校正則也不能消除光量分散。本專利技術(shù)鑒于上述那樣的問題而完成，其目的在于，提供防止TFT的Vsdd-Id特性和OLED的正向電壓Vel的分散引起的光量分散的發(fā)光裝置、光寫入裝置以及圖像形成裝置。為了達成上述目的，本專利技術(shù)所涉及的發(fā)光裝置是對于對薄膜晶體管連接了OLED的串聯(lián)電路，向所述薄膜晶體管施加規(guī)定電壓而使其發(fā)光的發(fā)光裝置，其特征在于，具備：正向電壓估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計在使該OLED以設(shè)定光量發(fā)光的情況下的正向電壓；驅(qū)動電流量估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計為了使該OLED以所述設(shè)定光量發(fā)光所需的驅(qū)動電流量；源極-漏極電壓計算部件，根據(jù)所述規(guī)定電壓和所述正向電壓，計算向所述薄膜晶體管施加的源極-漏極電壓Vsd；以及柵極-源極電壓決定部件，根據(jù)表示所述薄膜晶體管的源極-漏極電壓Vsd與漏極電流Id的關(guān)系的Vsd-Id特性，在將所述驅(qū)動電流量設(shè)為漏極電流Id的情況下決定與所述源極-漏極電壓Vsd對應(yīng)的所述薄膜晶體管的柵極-源極電壓Vgs，將所述決定的柵極-源極電壓Vgs施加給所述薄膜晶體管，使所述OLED發(fā)光。據(jù)此，根據(jù)薄膜晶體管的Vsd-Id特性，決定柵極-源極電壓Vgs，能夠與非飽和區(qū)域中的Vsd-Id特性無關(guān)地將OLED的光量對齊。此外，也可以具備：溫度檢測部件，取得對作為所述因子的所述OLED的溫度進行指示的指標(biāo)；以及計時部件，對作為所述因子的每個所述OLED的累積發(fā)光時間進行計時，所述正向電壓估計部件根據(jù)該OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個，估計該OLED的正向電壓。也可以是所述正向電壓估計部件根據(jù)該OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個，估計該OLED的正向電壓。在該情況下，也可以是所述正向電壓估計部件對該OLED的正向電壓的初始值乘以與所述OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個相應(yīng)的校正系數(shù)，從而估計該OLED的正向電壓。進而，也可以是所述正向電壓估計部件存儲有用于根據(jù)所述OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個來估計所述校正系數(shù)的LUT或函數(shù)，使用該LUT或函數(shù)來估計所述校正系數(shù)。此外，也可以具備：溫度檢測部件，取得對作為所述因子的所述OLED的溫度進行指示的指標(biāo)；以及計時部件，對作為所述因子的每個所述OLED的累積發(fā)光時間進行計時，所述驅(qū)動電流量估計部件根據(jù)該OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個來估計所述OLED的驅(qū)動電流量。此外，也可以是所述驅(qū)動電流量估計部件根據(jù)該OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個來估計所述OLED的驅(qū)動電流量。在該情況下，也可以是所述驅(qū)動電流量估計部件對該OLED的驅(qū)動電流量的初始值乘以與所述OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個相應(yīng)的校正系數(shù)，從而估計該OLED的正向本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種發(fā)光裝置，對于在薄膜晶體管上連接了OLED的串聯(lián)電路，向所述薄膜晶體管施加規(guī)定電壓而使其發(fā)光，其特征在于，具備：正向電壓估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計在使該OLED以設(shè)定光量發(fā)光的情況下的正向電壓；驅(qū)動電流量估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計為了使該OLED以所述設(shè)定光量發(fā)光所需的驅(qū)動電流量；源極?漏極電壓計算部件，根據(jù)所述規(guī)定電壓和所述正向電壓，計算向所述薄膜晶體管施加的源極?漏極電壓Vsd；以及柵極?源極電壓決定部件，根據(jù)表示所述薄膜晶體管的源極?漏極電壓Vsd與漏極電流Id的關(guān)系的Vsd?Id特性，在將所述驅(qū)動電流量設(shè)為漏極電流Id的情況下決定與所述源極?漏極電壓Vsd對應(yīng)的所述薄膜晶體管的柵極?源極電壓Vgs，將所述決定的柵極?源極電壓Vgs施加給所述薄膜晶體管，使所述OLED發(fā)光。

【技術(shù)特征摘要】
2015.10.27 JP 2015-2104351.一種發(fā)光裝置，對于在薄膜晶體管上連接了OLED的串聯(lián)電路，向所述薄膜晶體管施加規(guī)定電壓而使其發(fā)光，其特征在于，具備：正向電壓估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計在使該OLED以設(shè)定光量發(fā)光的情況下的正向電壓；驅(qū)動電流量估計部件，根據(jù)使該OLED的元件特性改變的因子來估計為了使該OLED以所述設(shè)定光量發(fā)光所需的驅(qū)動電流量；源極-漏極電壓計算部件，根據(jù)所述規(guī)定電壓和所述正向電壓，計算向所述薄膜晶體管施加的源極-漏極電壓Vsd；以及柵極-源極電壓決定部件，根據(jù)表示所述薄膜晶體管的源極-漏極電壓Vsd與漏極電流Id的關(guān)系的Vsd-Id特性，在將所述驅(qū)動電流量設(shè)為漏極電流Id的情況下決定與所述源極-漏極電壓Vsd對應(yīng)的所述薄膜晶體管的柵極-源極電壓Vgs，將所述決定的柵極-源極電壓Vgs施加給所述薄膜晶體管，使所述OLED發(fā)光。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，具備：溫度檢測部件，取得對作為所述因子的所述OLED的溫度進行指示的指標(biāo)；以及計時部件，對作為所述因子的每個所述OLED的累積發(fā)光時間進行計時，所述正向電壓估計部件根據(jù)該OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個，估計該OLED的正向電壓。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述正向電壓估計部件將與所述OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個相應(yīng)的校正系數(shù)乘以該OLED的正向電壓的初始值，從而估計該OLED的正向電壓。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述正向電壓估計部件存儲有用于根據(jù)所述OLED的累積發(fā)光時間、溫度以及所述設(shè)定光量的至少一個...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：矢野壯，飯島成幸，松尾隆宏，植村昂紀，谷山彰，
申請(專利權(quán))人：柯尼卡美能達株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本,JP