像素電路和具有該像素電路的顯示裝置制造方法及圖紙

公開了一種像素電路，其包括：有機發光二極管；驅動晶體管，與所述有機發光二極管串聯連接并且具有連接到第一節點的柵極和連接到第二節點的漏極；雙柵晶體管，耦合在所述第一節點與所述第二節點之間；以及漏電流抑制結構，用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述有機發光二極管的驅動電流的變化。還公開了具有該像素電路的顯示裝置。

Pixel circuit and display device having the same

A pixel circuit is disclosed, which comprises: organic light emitting diode; a driving transistor and the organic light emitting diode are connected in series and is connected to the gate of the first node and the second node is connected to the drain electrode; double gate transistor is coupled between the first node and the second node; and the leakage current suppression structure and for the suppression of the organic light emitting diode caused by leakage current flowing through the double gate transistor of the drive current changes. A display device having the pixel circuit is also disclosed.

【技術實現步驟摘要】
像素電路和具有該像素電路的顯示裝置
本專利技術涉及顯示
，具體來說涉及一種像素電路和具有該像素電路的顯示裝置。
技術介紹
為補償由于工藝導致的各驅動晶體管的閾值電壓的不均勻，各種補償技術已經被應用于有源矩陣有機發光二極管（AMOLED）像素電路中。圖1是示出一種用于AMOLED像素電路的補償技術的示意圖。如圖1所示，驅動晶體管DT的源極連接到第一電源電壓Vdd，有機發光二極管（OLED）連接在驅動晶體管DT的漏極與第二電源電壓Vss之間，并且補償晶體管CT連接在驅動晶體管DT的柵極和漏極之間。當補償晶體管CT的柵極被施加低電平信號SN時，補償晶體管CT被開啟以使得驅動晶體管DT形成二極管結構。該二極管結構可以用于補償驅動晶體管DT的閾值電壓Vth對由驅動晶體管DT供應給OLED的驅動電流IOLED的影響。當驅動晶體管DT形成二極管結構時，其柵極電壓Vg等于其漏極電壓Vd，并且漏極電壓Vd與其源極電壓Vs之間的差Vds滿足：Vds=Vth。因此，在圖1的示例中可以得到：Vg=Vd=Vds+Vs=Vth+Vdd。可以看到，驅動晶體管DT的閾值電壓Vth已經被引入柵極電壓Vg中。在隨后的發光階段，驅動電流IOLED可以計算為：IOLED=K(Vgs-Vth)2(1)其中K表示由驅動晶體管DT的遷移率（mobility）和寄生電容所確定的恒定值，并且Vgs表示驅動晶體管DT的柵極電壓Vg與源極電壓Vs之間的差。在該發光階段，補償晶體管CT被關斷并且數據電壓已經被引入到Vg中，使得閾值電壓Vth在等式（1）中被抵消。換言之，驅動電流IOLED將與閾值電壓Vth無關，從而改進各個OLED之間的亮度的均勻性。然而，當補償晶體管CT被關斷時流過補償晶體管CT的漏電流會引起驅動晶體管DT的柵極電壓Vg的變化。這可以例如導致在發光階段期間驅動電流IOLED的變化，從而影響顯示質量。
技術實現思路
專利技術人已經認識到，將雙柵晶體管（其包括經由公共端子串聯連接的兩個子晶體管）用作補償晶體管CT是有利的，因為雙柵晶體管可以具有與普通晶體管相比更小的漏電流。然而，雙柵晶體管的公共端子通常被懸浮，使得像素電路的操作易受外部擾動的影響。例如，由于外部擾動而引起的雙柵晶體管的不期望開啟可以導致不正確的數據電壓的寫入。又例如，在發光階段，雙柵晶體管的增大的漏電流可以被引起，使得流過OLED的驅動電流IOLED的量值被改變。因此，實現一種緩解、減輕或消除上述問題中的一個或多個的像素電路將是有利的。同樣期望的是提供一種具有這樣的像素電路的顯示裝置。根據本專利技術的第一方面，提供了一種像素電路，包括：有機發光二極管；驅動晶體管，與所述有機發光二極管串聯連接并且被配置成在發光階段期間借助于流過所述有機發光二極管的驅動電流驅動所述有機發光二極管發光，所述驅動晶體管具有連接到第一節點的柵極和連接到第二節點的漏極；雙柵晶體管，耦合在所述第一節點與所述第二節點之間使得當所述雙柵晶體管被開啟時所述驅動晶體管形成二極管結構，所述雙柵晶體管包括經由公共端子串聯連接的兩個子晶體管；以及漏電流抑制結構，用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述驅動電流的變化。在一些實施例中，所述漏電流抑制結構包括以下中的至少一個：耦合在所述第一節點與所述公共端子之間的電容器或耦合在所述第一節點與所述雙柵晶體管之間的肖特基二極管。所述肖特基二極管被布置成反向截止以在所述發光階段期間抑制所述漏電流流過所述雙柵晶體管。在一些實施例中，所述雙柵晶體管包括：有源層；絕緣層，布置在所述有源層上；柵極金屬層，布置在所述絕緣層上并且包括彼此間隔開且電連接的兩個柵極金屬區；第一電極，與所述有源層電接觸并且連接到所述第一節點；以及第二電極，與所述有源層電接觸并且連接到所述第二節點。在一些實施例中，所述電容器包括金屬板，所述金屬板被布置使得所述絕緣層被夾在所述金屬板與所述有源層之間。在一些實施例中，所述金屬板位于與所述柵極金屬層不同的層。在一些實施例中，所述金屬板位于與所述柵極金屬層相同的層。在一些實施例中，所述第一電極由金屬制成，并且所述肖特基二極管包括借助于所述第一電極與所述有源層之間的金屬-半導體接觸而形成的空穴阻擋層。在一些實施例中，所述有源層由多晶硅制成，并且所述金屬選自由Ag、Au、Pt和Al組成的組。在一些實施例中，所述兩個子晶體管每個都具有連接到第一掃描線的柵極，并且所述像素電路還包括：存儲電容器，具有連接到所述第一節點的第一端子和連接到第三節點的第二端子；第三晶體管，連接在所述驅動晶體管與所述有機發光二極管之間并且具有連接到發光控制線的柵極；第四晶體管，具有連接到第二掃描線的柵極、連接到初始化電壓的第一電極、以及連接到所述第一節點的第二電極；第五晶體管，具有連接到所述第二掃描線的柵極、連接到第一電源電壓的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極；第六晶體管，具有連接到第一掃描線的柵極、連接到數據線的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極；以及第七晶體管，具有連接到發光控制線的柵極、連接到參考電壓的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極。在一些實施例中，所述第四晶體管被配置成響應于來自所述第二掃描線的第二掃描信號將所述第一節點的電位初始化為所述初始化電壓，并且所述第五晶體管被配置成響應于所述第二掃描信號將所述第三節點的電位初始化為所述第一電源電壓。在一些實施例中，所述雙柵晶體管被配置成響應于來自所述第一掃描線的第一掃描信號使得所述驅動晶體管形成所述二極管結構，并且所述第六晶體管被配置成響應于所述第一掃描信號將來自所述數據線的數據電壓寫入到所述第三節點。在一些實施例中，所述第七晶體管被配置成響應于來自所述發光控制線的發光控制信號將所述參考電壓傳送到所述第三節點，并且所述第三晶體管被配置成響應于所述發光控制信號而提供所述驅動電流沿著其流過所述有機發光二極管的電流路徑。根據本專利技術的另一方面，提供了一種顯示裝置，包括：像素陣列，包括多個像素電路；第一掃描驅動器，被配置成向所述像素陣列提供掃描信號；第二掃描驅動器，被配置成向所述像素陣列提供發光控制信號；以及數據驅動器，被配置成向所述像素陣列提供數據信號。所述多個像素電路中的每一個包括：有機發光二極管；驅動晶體管，與所述有機發光二極管串聯連接并且被配置成在發光階段期間借助于流過所述有機發光二極管的驅動電流驅動所述有機發光二極管發光，所述驅動晶體管具有連接到第一節點的柵極和連接到第二節點的漏極；雙柵晶體管，耦合在所述第一節點與所述第二節點之間使得當所述雙柵晶體管被開啟時所述驅動晶體管形成二極管結構，所述雙柵晶體管包括經由公共端子串聯連接的兩個子晶體管；以及漏電流抑制結構，用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述驅動電流的變化。根據在下文中所描述的實施例，本專利技術的這些和其它方面將是清楚明白的，并且將參考在下文中所描述的實施例而被闡明。附圖說明在下面結合附圖對于示例性實施例的描述中，本專利技術的更多細節、特征和優點被公開，在附圖中：圖1是示出一種用于AMOLED像素電路的補償技術的示意圖；圖2是根據本專利技術實施例的顯示裝置的示意圖；圖3是根據本專利技術實施例的、圖2中所示顯示裝置中的示例像素電路的電路圖；圖4是圖3的示例像素電路的時序本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素電路，包括：有機發光二極管；驅動晶體管，與所述有機發光二極管串聯連接并且被配置成在發光階段期間借助于流過所述有機發光二極管的驅動電流驅動所述有機發光二極管發光，其中所述驅動晶體管具有連接到第一節點的柵極和連接到第二節點的漏極；雙柵晶體管，耦合在所述第一節點與所述第二節點之間使得當所述雙柵晶體管被開啟時所述驅動晶體管形成二極管結構，其中所述雙柵晶體管包括經由公共端子串聯連接的兩個子晶體管；以及漏電流抑制結構，用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述驅動電流的變化。

【技術特征摘要】
1.一種像素電路，包括：有機發光二極管；驅動晶體管，與所述有機發光二極管串聯連接并且被配置成在發光階段期間借助于流過所述有機發光二極管的驅動電流驅動所述有機發光二極管發光，其中所述驅動晶體管具有連接到第一節點的柵極和連接到第二節點的漏極；雙柵晶體管，耦合在所述第一節點與所述第二節點之間使得當所述雙柵晶體管被開啟時所述驅動晶體管形成二極管結構，其中所述雙柵晶體管包括經由公共端子串聯連接的兩個子晶體管；以及漏電流抑制結構，用于抑制由流過所述雙柵晶體管的漏電流引起的所述驅動電流的變化。2.如權利要求1所述的像素電路，其中所述漏電流抑制結構包括以下中的至少一個：耦合在所述第一節點與所述公共端子之間的電容器或耦合在所述第一節點與所述雙柵晶體管之間的肖特基二極管，其中所述肖特基二極管被布置成反向截止以在所述發光階段期間抑制所述漏電流流過所述雙柵晶體管。3.如權利要求2所述的像素電路，其中所述雙柵晶體管包括：有源層；絕緣層，布置在所述有源層上；柵極金屬層，布置在所述絕緣層上并且包括彼此間隔開且電連接的兩個柵極金屬區；第一電極，與所述有源層電接觸并且連接到所述第一節點；以及第二電極，與所述有源層電接觸并且連接到所述第二節點。4.如權利要求3所述的像素電路，其中所述電容器包括金屬板，所述金屬板被布置使得所述絕緣層被夾在所述金屬板與所述有源層之間。5.如權利要求4所述的像素電路，其中所述金屬板位于與所述柵極金屬層不同的層。6.如權利要求4所述的像素電路，其中所述金屬板位于與所述柵極金屬層相同的層。7.如權利要求3所述的像素電路，其中所述第一電極由金屬制成，并且其中所述肖特基二極管包括借助于所述第一電極與所述有源層之間的金屬-半導體接觸而形成的空穴阻擋層。8.如權利要求7所述的像素電路，其中所述有源層由多晶硅制成，并且其中所述金屬選自由Ag、Au、Pt和Al組成的組。9.如權利要求1-8中任一項所述的像素電路，其中所述兩個子晶體管每個都具有連接到第一掃描線的柵極，并且其中所述像素電路還包括：存儲電容器，具有連接到所述第一節點的第一端子和連接到第三節點的第二端子；第三晶體管，連接在所述驅動晶體管與所述有機發光二極管之間并且具有連接到發光控制線的柵極；第四晶體管，具有連接到第二掃描線的柵極、連接到初始化電壓的第一電極、以及連接到所述第一節點的第二電極；第五晶體管，具有連接到所述第二掃描線的柵極、連接到第一電源電壓的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極；第六晶體管，具有連接到第一掃描線的柵極、連接到數據線的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極；以及第七晶體管，具有連接到發光控制線的柵極、連接到參考電壓的第一電極、以及連接到所述第三節點的第二電極。10.如權利要求9所述的像素電路，其中所述第四晶體管被配置成響應于來自所述第二掃描線的第二掃描信號將所述第一節點的電位初始化為所述初始化...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐映嵩，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，成都京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11