一種柔性導電線及設置有所述柔性導電性的柔性背板制造技術

本發明專利技術提供的一種柔性導電線的制備方法，括下述步驟：S1、在外界應力下將導電或非導電薄膜碎裂成納米尺寸的薄膜碎片；S2、刻蝕所述薄膜碎片之間的邊界形成溝槽，所述薄膜碎片之間的溝槽形成相互連通的網狀溝槽；S3、向網狀溝槽內沉積金屬層，所述網狀溝槽內填充的金屬層形成網狀金屬線；S4、將網狀金屬線刻蝕成預定形狀的柔性導電線。當采用此種柔性導電線的柔性背板發生彎曲時，采用具有網狀金屬線可以有效地釋放金屬線在反復彎曲時釋放的應力，從而增加金屬線的壽命，將極大提升柔性背板的彎曲性能，實現柔性屏體高的壽命。

Flexible conductive wire and flexible backboard provided with flexible conductive property

A preparation method of a flexible wire provided by the invention, the method comprises the following steps: S1, the external stress will be conductive or non-conductive film broken into nano size film fragments; S2, etching the film fragments boundary groove, groove between the thin film pieces form a netted groove with each other connected; S3, to the reticular groove depositing a metal layer, a metal layer formed wire mesh and the mesh filled in the trench; S4, wire mesh and etched into a predetermined shape flexible wire. When using the flexible wire flexible backplane bend, with wire mesh can effectively release the wire stress release in repeated bending, thereby increasing the life of the metal line, will greatly enhance the bending performance of flexible backplane, realize the high life of flexible screen.

【技術實現步驟摘要】
一種柔性導電線及設置有所述柔性導電性的柔性背板
本專利技術涉及柔性顯示裝置領域，具體設計一種適用于柔性顯示裝置的柔性導電線，以及設置有這種柔性導電線的柔性背板。
技術介紹
隨著顯示技術的不斷發展，OLED(有機發光二極管)因其發光亮度高、色彩豐富、低壓直流驅動、制備工藝簡單等優點，日益成為國際研究的熱點。OLED視野范圍更廣，可制成更大尺寸的產品，可滿足用戶對不同尺寸的要求。上述突出的優點決定了OLED將成為下一代顯示技術的主流。隨著材料技術的發展，顯示屏已經可以制作成可彎曲的形式。采用柔性顯示屏的設備有很多優點，比如攜帶方便、可彎曲、可隨意變形等。但是柔性背板內部的金屬線在彎曲狀態下電阻容易發生巨大的變化甚至斷裂，從而影響屏體的壽命。
技術實現思路
為此，本專利技術所要解決的技術問題現有柔性背板內部的金屬線在彎曲狀態下電阻容易發生巨大的變化甚至斷裂的問題，提供一種柔性導電線，以及設置有這種柔性導電線的柔性背板。所述柔性導電線彎曲過程中電阻率能夠保持穩定，延長了柔性背板的壽命。為解決上述技術問題，本專利技術采用的技術方案如下：一種柔性導電線的制備方法，包括下述步驟：S11、刻蝕薄膜碎片之間的邊界形成溝槽，所述薄膜碎片之間的溝槽形成相互連通的網狀溝槽；S12、在步驟S11的基礎上沉積金屬，所述薄膜碎片上和網狀溝槽內形成金屬層，所述網狀溝槽內填充的金屬層形成網狀金屬線；S13、將網狀金屬線刻蝕成預定形狀的柔性導電線。所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的多晶硅薄膜顆粒，所述摻雜或非摻雜的多晶硅薄膜顆粒是由多晶硅沉積成為薄膜過程中自然形成。所述摻雜或非摻雜多晶硅薄膜顆粒之間的邊界采用重鉻酸鉀溶液刻蝕。所述多晶硅薄膜顆?；驌诫s的多晶硅薄膜顆粒之間的邊界采用重鉻酸鉀溶液刻蝕，所述重鉻酸鉀溶液的濃度為0.04-0.4g/L，刻蝕時間為4-8s。所述薄膜碎片是由薄膜在外界應力下碎裂而成，所述薄膜的厚度為30-80nm；所述外界應力為頻率0.2M-1Mhz，功率50W-300W的超聲波振動震蕩。所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的氧化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的氮化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的碳化硅薄膜碎片、聚酯膜薄膜碎片、聚丙烯膜薄膜碎片或并五苯薄膜碎片。所述摻雜或非摻雜的氧化硅薄膜碎片之間的邊界采用緩沖氧化蝕刻劑溶液(BOE)刻蝕；所述摻雜或非摻雜的氮化硅薄膜碎片之間的邊界采用熱磷酸溶液刻蝕；所述摻雜或非摻雜的碳化硅薄膜碎片之間的邊界采用氫氟酸和硝酸混合液刻蝕；所述聚酯膜薄膜，聚丙烯膜薄膜或并五苯薄膜碎片之間的邊界采用甲基吡咯烷酮(NMP)溶液刻蝕。所述緩沖氧化蝕刻劑溶液(BOE)包括濃度為3wt％-8wt％的HF溶液和濃度18wt％-48wt％的NH4F溶液的混合物，其中HF溶液和NH4F溶液的體積比為1:4-1:8，刻蝕時間為5-20s；所述熱磷酸溶液的濃度為60g/L-140g/L，溫度為60℃-90℃，刻蝕時間為4-8s；所述氫氟酸和硝酸混合液包括濃度為5wt％-10wt％的氫氟酸和濃度為70wt％-98wt％的硝酸，二者的體積比為1:1-3:1刻蝕時間為10-80s；所述甲基吡咯烷酮(NMP)溶液的濃度為0.25g/L-1.12g/L，刻蝕時間為120-600s。所述步驟S3中的金屬層為銅、鋁、鉬或鈦中的一種或其中幾種的組合。一種所述柔性導電線的制備方法制備得到的柔性導電線。一種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的底柵型TFT，所述TFT包括在柔性襯底上形成的柵極層、柵極絕緣層、多晶硅半導體層、層間絕緣層和源/漏電極層，所述柵極層和/或源/漏電極層為所述柔性導電線。一種所述柔性背板的制備方法，包括下述步驟：S21、制備柵極層按照所述方法制備柔性導電線作為柵極層；S22、制備柵極絕緣層、多晶硅半導體層和層間絕緣層在步驟S21制備的柵極層上沉積柵極絕緣層、多晶硅半導體層和層間絕緣層，并刻蝕層間絕緣層形成接觸孔使所述多晶硅半導體層裸露；S23、制備源漏極層按照所述方法在所述步驟S21刻蝕形成的接觸孔中制備柔性導電線作為源漏極。一種柔性背板，包括柔性襯底和形成在柔性襯底上的頂柵型TFT，所述TFT包括在柔性襯底上形成的有源層、柵極絕緣層、層間絕緣層、柵極層和源/漏電極層，所述柵極層和/或源/漏電極層為所述柔性導電線。一種所述柔性背板的制備方法，包括下述步驟：S31、制備有源層和柵極絕緣層在柔性襯底上沉積有源層和柵極絕緣層；S32、制備柵極層按照所述方法在所述柵極絕緣層上制備柔性導電線作為柵極層；S33、制備層間絕緣層在所述步驟S32基礎上沉積層間絕緣層，并刻蝕所述層間絕緣層和柵極絕緣層形成接觸孔使所述有源層裸露；S34、制備源漏極層按照所述方法在所述步驟S34刻蝕形成的接觸孔中制備柔性導電線作為源漏極。本專利技術的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：本專利技術提供的柔性導電線的制備方法是通過利用外界應力將沉積在柔性襯底上的導電或非導電薄膜，使其碎裂成納米尺寸的多晶硅顆粒薄膜碎片，利用薄膜碎片邊緣區域的化學反應具有比其他區域更快的刻蝕速的差異，形成納米尺寸的溝槽區域，然后再沉積金屬層，從而在所述溝槽區域形成納米尺寸的網狀金屬線。根據需要將網狀金屬線刻蝕成需要的形狀的柔性導電線。當柔性背板發生彎曲時，采用具有網狀金屬線可以有效地釋放金屬線在反復彎曲時釋放的應力，從而增加金屬線的壽命，將極大提升柔性背板的彎曲性能，實現柔性屏體高的壽命。本專利技術提供柔性背板采用了上述柔性導電線時，當柔性襯底彎曲時，TFT的導電線電阻不會出現劇烈變大或者斷裂情況，增加了裝置的可靠性。附圖說明圖1是網狀金屬線的掃描電鏡圖；圖2是本專利技術為底柵型TFT柔性背板結構示意圖；圖3是本專利技術為頂柵型TFT柔性背板結構示意圖；圖4為網狀溝槽內沉積有金屬層的結構示意圖；圖中附圖標記表示為：1-柔性襯底、2-柵極層、3-柵極絕緣層、4-多晶硅半導體層、5-層間絕緣層，6-源漏極層，7-有源層，11-金屬層，12-薄膜碎片。具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面根據本專利技術的具體實施例并結合附圖作進一步地詳細描述。本專利技術可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本專利技術的構思充分傳達給本領域技術人員，本專利技術將僅由權利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是，當元件例如層、區域或柔性襯底被稱作“形成在”或“設置在”另一元件“上”時，該元件可以直接設置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接形成在”或“直接設置在”另一元件上時，不存在中間元件。本專利技術提供的柔性導電線的制備方法，包括下述步驟：S11、在外界應力下將厚度為30-80nm薄膜碎裂成納米尺寸的薄膜碎片，所述外界應力為頻率0.2M-1Mhz，功率50W-300W的超聲波振動震蕩；所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的氧化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的氮化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的碳化硅薄膜碎片、聚酯膜薄膜碎片、聚丙烯膜薄膜碎片或并五苯薄膜碎片。作為另一種實施方式，所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的多晶硅薄膜顆粒時，所述S11薄膜碎片由多晶硅沉積成為薄膜過程中自然形成，不需要采取外界應本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種柔性導電線的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：S11、刻蝕薄膜碎片之間的邊界形成溝槽，所述薄膜碎片之間的溝槽形成相互連通的網狀溝槽；S12、在步驟S11的基礎上沉積金屬，所述薄膜碎片上和網狀溝槽內形成金屬層，所述網狀溝槽內填充的金屬層形成網狀金屬線；S13、將網狀金屬線刻蝕成預定形狀的柔性導電線。

【技術特征摘要】
1.一種柔性導電線的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：S11、刻蝕薄膜碎片之間的邊界形成溝槽，所述薄膜碎片之間的溝槽形成相互連通的網狀溝槽；S12、在步驟S11的基礎上沉積金屬，所述薄膜碎片上和網狀溝槽內形成金屬層，所述網狀溝槽內填充的金屬層形成網狀金屬線；S13、將網狀金屬線刻蝕成預定形狀的柔性導電線。2.根據權利要求1所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的多晶硅薄膜顆粒，所述摻雜或非摻雜的多晶硅薄膜顆粒是由多晶硅沉積成為薄膜過程中自然形成。3.根據權利要求1所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述摻雜或非摻雜多晶硅薄膜顆粒之間的邊界采用重鉻酸鉀溶液刻蝕，所述重鉻酸鉀溶液的濃度為0.04-0.4g/L，刻蝕時間為4-8s。4.根據權利要求1所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述薄膜碎片是由薄膜在外界應力下碎裂而成，所述薄膜的厚度為30-80nm；所述外界應力為頻率0.2M-1Mhz，功率50W-300W的超聲波振動震蕩。5.根據權利要求4所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述薄膜碎片為摻雜或非摻雜的氧化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的氮化硅薄膜碎片、摻雜或非摻雜的碳化硅薄膜碎片、聚酯膜薄膜碎片、聚丙烯膜薄膜碎片或并五苯薄膜碎片。6.根據權利要求5所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述摻雜或非摻雜的氧化硅薄膜碎片之間的邊界采用緩沖氧化蝕刻劑溶液(BOE)刻蝕；所述摻雜或非摻雜的氮化硅薄膜碎片之間的邊界采用熱磷酸溶液刻蝕；所述摻雜或非摻雜的碳化硅薄膜碎片之間的邊界采用氫氟酸和硝酸混合液刻蝕；所述聚酯膜薄膜，聚丙烯膜薄膜或并五苯薄膜碎片之間的邊界采用甲基吡咯烷酮(NMP)溶液刻蝕。7.根據權利要求6所述柔性導電線的制備方法，其特征在于，所述緩沖氧化蝕刻劑溶液(BOE)包括濃度為3wt％-8wt％的HF溶液和濃度18wt％-48wt％的NH4F溶液的混...

【專利技術屬性】
技術研發人員：高勝，袁波，劉玉成，
申請(專利權)人：昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司，昆山國顯光電有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇,32