有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備制造技術(shù)

一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括基板、形成于基板上的有源層、形成于有源層上的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的柵電極、形成于柵極絕緣層及柵電極上的層間絕緣層、形成于層間絕緣層上的第一電極、形成于第一電極上的保護(hù)層、形成于保護(hù)層上的第二電極及形成于第二電極上的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，柵電極及層間絕緣層與第一電極形成第一電容，第一電極及保護(hù)層與第二電極形成第二電容。上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，利用TFT結(jié)構(gòu)中的層間絕緣層作為絕緣介質(zhì)層，利用TFT結(jié)構(gòu)中的保護(hù)層作為層間絕緣層，無(wú)需另外形成絕緣膜工藝，使用掩膜的數(shù)目及使用掩膜的工藝都減少，使工藝簡(jiǎn)單、制造成本及制造時(shí)間都減少，而且由于形成第一電容及第二電容，電容量增加。

Organic light emitting display device

An organic light emitting display device includes a substrate, an active layer formed on the substrate, is formed on the active layer on the gate insulating layer, formed on the gate insulating layer, the gate electrode is formed on the gate insulating layer and a gate electrode, an interlayer insulating layer formed on the interlayer insulating layer on the first electrode, formed on the first electrode layer, formed on the protective layer and the second electrode is formed on the second electrode on the organic light emitting diode; wherein, the gate electrode and the insulating layer and the first electrode forming a first capacitor, a first electrode and a protective layer and the second electrode to form second capacitors. The organic light emitting display device using the TFT structure of the interlayer insulating layer as a dielectric layer, the protective layer in the TFT structure as the interlayer insulating layer, an insulating film is formed without the addition of technology, using the number of mask and mask the use of technology to reduce, the process is simple, manufacturing cost and manufacturing time are reduced, and due to the formation of the first capacitor and two capacitor, the capacitance increases.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備
本專(zhuān)利技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光顯示
，特別是涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
技術(shù)介紹
有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管)陣列構(gòu)件包括TFT、電容器和連接電子元件的導(dǎo)線等。為了形成TFT陣列構(gòu)件的精細(xì)圖案，通常使用繪制有精細(xì)圖案的掩膜將精細(xì)圖案轉(zhuǎn)移到基板上的方法。在使用掩膜轉(zhuǎn)移圖案的過(guò)程中，由于需要具有必要圖案的不同的掩膜，因此若使用掩膜的工藝的數(shù)目增加，制造成本會(huì)因掩膜的準(zhǔn)備而增加。目前，TFT陣列構(gòu)件的電容結(jié)構(gòu)一般以TFT的柵電極為電容的下電極，以TFT本身的層間絕緣層為電容的絕緣介質(zhì)層，TFT的層間絕緣層膜厚較厚，例如采用300nm的氧化硅和200nm氮化硅的組合膜。這樣，電容的絕緣介質(zhì)層厚度較厚，會(huì)導(dǎo)致電容的電容量過(guò)低。另一種TFT陣列構(gòu)件的電容結(jié)構(gòu)同樣以TFT的柵電極為電容的下電極，而另外加鍍一層厚度較薄的膜作為電容的絕緣介質(zhì)層，例如采用200nm的氧化硅膜。這樣，雖然電容的絕緣介質(zhì)層厚度較薄，使電容的電容量增加，但是增加了一層鍍膜工藝，使用掩膜的數(shù)目及使用掩膜的工藝都增加，使工藝復(fù)雜、制造成本及制造時(shí)間都增加。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
基于此，有必要針對(duì)電容的電容量過(guò)低或者制備電容的工藝復(fù)雜、制造成本及制造時(shí)間增加的技術(shù)問(wèn)題，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基板、形成于所述基板上的有源層、形成于所述有源層上的柵極絕緣層、形成于所述柵極絕緣層上的柵電極、形成于所述柵極絕緣層及所述柵電極上的層間絕緣層、形成于所述層間絕緣層上的第一電極、形成于所述第一電極上的保護(hù)層、形成于所述保護(hù)層上的第二電極及形成于所述第二電極上的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，所述柵電極及所述層間絕緣層與所述第一電極形成第一電容，所述第一電極及所述保護(hù)層與所述第二電極形成第二電容。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極包括絕緣間隔設(shè)置的第一源區(qū)電極及第一漏區(qū)電極；所述第一源區(qū)電極與所述層間絕緣層及所述柵電極形成所述第一電容，所述第一源區(qū)電極與所述保護(hù)層及所述第二電極形成所述第二電容；所述第一源區(qū)電極穿過(guò)所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸；所述第一漏區(qū)電極穿過(guò)所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二電極包括第二電容電極和第二連接電極；所述第二電容電極與所述保護(hù)層及所述第一源區(qū)電極形成所述第二電容；所述第二連接電極穿過(guò)所述保護(hù)層與所述第一漏區(qū)電極接觸，所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述第二連接電極接觸。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括像素電極，所述像素電極與所述第二連接電極接觸。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極還包括第一連接電極，所述第一連接電極與所述第一源區(qū)電極及所述第一漏區(qū)電極分別絕緣間隔設(shè)置；所述第一連接電極穿過(guò)所述層間絕緣層與所述柵電極接觸，所述第二電容電極穿過(guò)所述保護(hù)層與所述第一連接電極接觸，所述第一連接電極用于連接所述第二電容和所述柵電極。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括驅(qū)動(dòng)電壓線，驅(qū)動(dòng)電壓線與所述第一源區(qū)電極連接。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還包括緩沖層，所述緩沖層形成于所述基板和所述半導(dǎo)體層之間。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述層間絕緣層由氧化硅膜和氮化硅膜組合而成。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述保護(hù)層為氮化硅膜層。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述保護(hù)層的厚度為300～400nm。上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，第一電容利用TFT結(jié)構(gòu)中的層間絕緣層作為絕緣介質(zhì)層，第二電容利用TFT結(jié)構(gòu)中的保護(hù)層作為層間絕緣層，無(wú)需另外形成絕緣膜工藝，從而減少了一層鍍膜工藝，使用掩膜的數(shù)目及使用掩膜的工藝都減少，使工藝簡(jiǎn)單、制造成本及制造時(shí)間都減少，提高了生產(chǎn)效率，而且由于形成第一電容及第二電容，使電容的電容量增加。附圖說(shuō)明圖1為一個(gè)實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖2為另一個(gè)實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的截面圖；圖3為有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的一個(gè)最基本的等效電路原理圖。具體實(shí)施方式為使本專(zhuān)利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本專(zhuān)利技術(shù)。但是本專(zhuān)利技術(shù)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本專(zhuān)利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似改進(jìn)，因此本專(zhuān)利技術(shù)不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括基板、形成于基板上的半導(dǎo)體層、形成于半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的柵電極、形成于柵極絕緣層及柵電極上的層間絕緣層、形成于層間絕緣層上的第一電極、形成于層間絕緣層及第一電極上的保護(hù)層、形成于保護(hù)層上的第二電極及形成于第二電極上的有機(jī)發(fā)光二極管。其中，柵電極及層間絕緣層與第一電極形成第一電容，第一電極及保護(hù)層與第二電極形成第二電容。請(qǐng)參閱圖1，一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10包括：基板110，有源層120、柵極絕緣層130、柵電極140、層間絕緣層150、第一電極160、保護(hù)層170、第二電極180及有機(jī)發(fā)光二極管190。其中，有源層120形成于基板110上，其中，有源層覆蓋于基板上且覆蓋至少部分基板；例如，有源層覆蓋于全部基板上；又如，請(qǐng)參閱圖1，有源層120覆蓋于部分基板110上；柵極絕緣層130形成于有源層120上，例如，柵極絕緣層130形成于有源層120及基板110上，又如，請(qǐng)參閱圖1，柵極絕緣層130覆蓋于有源層120及基板110上；柵電極140形成于柵極絕緣層130上，例如，柵電極覆蓋于柵極絕緣層上且覆蓋至少部分柵極絕緣層；例如，柵電極覆蓋于全部柵極絕緣層上；又如，請(qǐng)參閱圖1，柵電極140覆蓋于部分柵極絕緣層130上；層間絕緣層150形成于柵極絕緣層130及柵電極140上，例如，請(qǐng)參閱圖1，層間絕緣層150覆蓋柵極絕緣層130及柵電極140上，亦可理解為，柵極絕緣層130及柵電極140視為一個(gè)整體，層間絕緣層150覆蓋于該整體上，使得該整體上方通過(guò)層間絕緣層150與第一電極160、保護(hù)層170及/或第二電極180連接；第一電極160形成于層間絕緣層150上；保護(hù)層170形成于第一電極160上，例如，請(qǐng)參閱圖1，保護(hù)層170覆蓋第一電極160及層間絕緣層150上；第二電極180形成于保護(hù)層170上，以及有機(jī)發(fā)光二極管190形成于第二電極180上；例如，第二電極180覆蓋部分保護(hù)層170，有機(jī)發(fā)光二極管190形成于保護(hù)層170與第二電極180上，亦可理解為，保護(hù)層170與第二電極180視為一個(gè)整體，有機(jī)發(fā)光二極管190覆蓋于該整體上，使得該整體上方全部為有機(jī)發(fā)光二極管190。其中，柵電極140及層間絕緣層150與第一電極160形成第一電容C1，第一電極160及保護(hù)層170與第二電極180形成第二電容C2。需要說(shuō)明的是，雖然圖中未示出，第二電極180通過(guò)導(dǎo)線或接觸孔與柵電極連接。且連接第二電容C2的第二電極和TFT的柵電極的導(dǎo)線或接觸孔可以在不增加本專(zhuān)利技術(shù)所需的掩膜數(shù)目且其正向投影不超出基板的情況下形成。上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備10，第一電容利用TFT結(jié)構(gòu)中的層間絕緣層作為絕緣介質(zhì)層，第二電容利用TFT結(jié)構(gòu)中的保護(hù)層作為層間絕緣層，無(wú)需另外形成絕緣膜工藝，使減少了一層鍍膜工藝，使用掩膜的數(shù)目及使用掩膜的工藝都減少，使本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的有源層；形成于所述有源層上的柵極絕緣層；形成于所述柵極絕緣層上的柵電極；形成于所述柵極絕緣層及所述柵電極上的層間絕緣層；形成于所述層間絕緣層上的第一電極；形成于所述第一電極上的保護(hù)層；形成于所述保護(hù)層上的第二電極；以及形成于所述第二電極上的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，所述柵電極及所述層間絕緣層與所述第一電極形成第一電容，所述第一電極及所述保護(hù)層與所述第二電極形成第二電容。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的有源層；形成于所述有源層上的柵極絕緣層；形成于所述柵極絕緣層上的柵電極；形成于所述柵極絕緣層及所述柵電極上的層間絕緣層；形成于所述層間絕緣層上的第一電極；形成于所述第一電極上的保護(hù)層；形成于所述保護(hù)層上的第二電極；以及形成于所述第二電極上的有機(jī)發(fā)光二極管；其中，所述柵電極及所述層間絕緣層與所述第一電極形成第一電容，所述第一電極及所述保護(hù)層與所述第二電極形成第二電容。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電極包括絕緣間隔設(shè)置的第一源區(qū)電極及第一漏區(qū)電極；所述第一源區(qū)電極與所述層間絕緣層及所述柵電極形成所述第一電容，所述第一源區(qū)電極與所述保護(hù)層及所述第二電極形成所述第二電容；所述第一源區(qū)電極穿過(guò)所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸；所述第一漏區(qū)電極穿過(guò)所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二電極包括第二電容電極和第二連接電極；所述第二電容電極與所述保護(hù)層及所述第一源區(qū)電極形成所述第二電容；所述第二連接電極穿過(guò)所述保護(hù)層與所述第一漏...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鈴木浩司，陳卓，蘇君海，李建華，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：信利惠州智能顯示有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東,44