一種L段型聚光光伏電池芯片制造技術

本發明專利技術涉及一種L段型聚光光伏電池芯片，屬太陽能光伏發電技術領域，包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極段層之外的部分為有效面積，該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量，這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本，隨著透鏡聚光倍數的增高，增大電極段寬度的同時，通過調整電極為電極段，保持了受光面積的不變性，達到聚光光伏系統整體的發電效率不減少，通過增大負電極段的寬度，能保證在增大透鏡的放大倍數之后，匯聚光轉換為大電流電能能順利通過負電極段導出來。

L segment type concentrator photovoltaic cell chip

The invention relates to a L type photovoltaic battery chip, belonging to the technical field of solar photovoltaic power generation, including a negative electrode layer, a substrate layer concentrating photovoltaic battery, the positive electrode layer and the effective area of the photovoltaic cells on the negative electrode substrate layer overlying a section layer, the other surface is covered on the positive electrode layer, outside the negative electrode section part is the effective area of the battery chip can greatly reduce the amount of base material for photovoltaic cells, which can reduce the production cost of photovoltaic battery chip, with the increase of lens multiples, electrode width increases at the same time, by adjusting the electrode electrode, maintained by invariance light area, achieve the concentrating photovoltaic system overall generation efficiency is not reduced, by increasing the width of the negative electrode section, can guarantee that after the lens increases the magnification, convergence The light is converted to a high current, and the electric energy can be transmitted smoothly through the negative electrode section.

【技術實現步驟摘要】
一種L段型聚光光伏電池芯片
本專利技術涉及一種光伏發電部件，具體涉及一種L段型聚光光伏電池芯片，屬太陽能光伏發電

技術介紹
通常，聚光光伏發電系統所尋求的主要益處是在聚光光伏電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽光。透鏡的倍數越高，得到太陽光的密度越高，相同面積上使用的聚光光伏電池芯片越少，單位面積上的發電成本就越低。目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑都為正方形，該焦斑的形狀和大小也通常和聚光光伏電池芯片的形狀和大小一致，從而使菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑可以完全匯聚到聚光光伏電池芯片上。但是在實際應用中，聚光光伏電池芯片上的負電極層總是小于聚光光伏電池基材層，由于聚光光伏電池基材層上的基材材料相對很貴（一個平方厘米大小的基材材料大約在50元人民幣左右），這樣就極大浪費了聚光光伏電池基材層的基材材料；另外，隨著透鏡倍數的增高，聚光光伏電池芯片受光面上的電極將會增大，這樣就會減小聚光光伏電池芯片的有效受光面積，同時由于透鏡的匯聚率不可能達到100%，在有效受光面外面（特別是在聚光光伏電池芯片的電極上的匯聚光）的匯聚光也不能轉換為電，這樣也會大大降低聚光光伏系統的發電效率。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種L段型聚光光伏電池芯片，該電池芯片在于克服現有技術的不足。為了實現上述技術目的，本專利技術采取的技術方案是：一種L段型聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極段層之外的部分為有效面積。所述負電極段層為一平整L字形形狀，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中兩個相鄰端面完全重合。所述聚光光伏電池基材層為GaInP（磷化銦嫁）/GaAs（砷化鎵）/Ge（鍺）三層組合體。所述正電極層為一完全密封的平面，正電極層面積形狀和聚光光伏電池基材層面積形狀完全一樣。所述有效面積為正方形形狀。本專利技術的優點和積極效果是：1、該種電池芯片能極大地減少聚光光伏電池基材材料的用量，這樣就能減少聚光光伏電池芯片的制作成本，2、隨著透鏡聚光倍數的增高，增大電極段寬度的同時，通過調整電極為電極段，保持了受光面積的不變性，達到聚光光伏系統整體的發電效率不減少，3、通過增大負電極段的寬度，能保證在增大透鏡的放大倍數之后，匯聚光轉換為大電流電能能順利通過負電極段導出來。附圖說明圖1為一種L段型聚光光伏電池芯片主視圖。圖2為一種L段型聚光光伏電池芯片俯視圖。其中：1、負電極段層，2、聚光光伏電池基材層，3、正電極層，4、有效面積。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術作進一步的說明。一種L段型聚光光伏電池芯片，如圖1～2所示，包括負電極段層1，聚光光伏電池基材層2，正電極層3和有效面積4，所述聚光光伏電池基材層2一面覆上負電極段層1，另一面覆上正電極層3，所述負電極段層1之外的部分為有效面積4，所述負電極段層1為一平整L字形形狀，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中兩個相鄰端面完全重合，這樣就完全利用了聚光光伏電池基材層，從而達到節約聚光光伏電池基材層基材材料的目的；另外增大負電極段的寬度，就能保證在增大透鏡的放大倍數之后，匯聚光轉換為大電流電能能順利通過負電極段導出來，同時負電極段寬度的增大之外的有效面積和原負電極之外的有效面積不變。本專利技術中，作為變行實施例，聚光光伏電池芯片的正電極層和負電極段層也可以交換過來設定制作，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中任意兩個相鄰端面完全重合，故本專利技術的權利保護范圍以權利要求書限定的范圍為準。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種L段型聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極段層之外的部分為有效面積。

【技術特征摘要】
1.一種L段型聚光光伏電池芯片，其特征是，它包括負電極段層，聚光光伏電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光光伏電池基材層一面覆上負電極段層，另一面覆上正電極層，所述負電極段層之外的部分為有效面積。2.根據權利要求1所述的一種L段型聚光光伏電池芯片，其特征是，所述負電極段層為一平整L字形形狀，負電極段層和聚光光伏電池基材層其中兩個相鄰端面完全重合。3.根據權利要求1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李利平，
申請(專利權)人：成都聚合追陽科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川,51