一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板技術

本發明專利技術公開了一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板；該OLED器件的封裝結構包括在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層所述阻擋層為圖案化結構；所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。將阻擋層設置為圖案化結構，并將緩沖層填充在阻擋層的圖案化區域內，當OLED器件發生彎曲時，通過阻擋層的圖案化區域內填充的緩沖層釋放阻擋層承受的彎曲應力，減小阻擋層承受的彎曲應力，使OLED器件能夠彎曲更大的幅度，進而提高OLED器件的彎曲性能。

Packaging structure of OLED device and preparation method thereof, metal mask plate

The invention discloses a OLED device package structure and a preparation method thereof, metal mask plate; package structure of the OLED device is included in the OLED device over several layers of alternating barrier layer and buffer layer, at least one layer of the barrier layer is patterned structure; the buffer layer is filled in the patterned barrier in the area. The barrier layer is set to a patterned structure and buffer layer filled in the patterned region of barrier layer, when the OLED device is bent, the buffer layer through a patterned barrier layer region filled release stop bending stress bearing layer, the barrier layer decreases under bending stress, the OLED device can bend more the amplitude and improve the bending performance of OLED devices.

【技術實現步驟摘要】
一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板
本專利技術涉及OLED器件
，具體而言涉及一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板。
技術介紹
隨著顯示技術的發展，柔性顯示技術逐漸成為平板顯示領域的研究熱點，OLED顯示器也逐漸成為是顯示器發展的大方向。OLED顯示器中柔性OLED器件成為研究熱點，其中，柔性OLED器件對封裝結構的要求非常高，水汽透過率小于10-6g/m2/day，氧氣穿透率小于10-5cc/m2/day；因此封裝結構在OLED器件制作中處于重要的位置，是影響產品良率的關鍵因素之一。現有技術中，常采用在OLED器件上交替設置無機層和有機層的方式來形成封裝結構，以阻隔水氧；其中，主要依靠無機層來實現對水氧的有效阻隔，有機層的厚度增加時，其水氧阻隔能力也隨之增加。但當OLED器件彎曲較大幅度的彎曲時，無機層會承受較大的彎曲應力，非常容易從OLED器件上脫落，導致OLED器件的彎曲性能受到影響。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板，本專利技術的OLED器件的封裝結構能夠提高OLED器件的彎曲性能。為解決上述技術問題，本專利技術提出的一個技術方案是：提供一種OLED器件的封裝結構，該封裝結構包括：在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層所述阻擋層為圖案化結構；所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。其中，若干層所述阻擋層中，上一層阻擋層覆蓋下一層阻擋層的圖案化區域。其中，若干層所述阻擋層中，除最上層的所述阻擋層外其余的所述阻擋層均為圖案化結構；其中，所述最上層的所述阻擋層整面覆蓋其下一層的所述阻擋層和緩沖層；或最上層的所述緩沖層整面覆蓋其下一層的所述緩沖層和所述阻擋層，所述最上層的所述阻擋層整面覆蓋所述最上層緩沖層。其中，若干層所述阻擋層中，越靠近所述OLED器件，所述阻擋層的厚度越厚。其中，所述阻擋層為金屬氧化物；所述緩沖層為有機聚合物、樹脂或硅基碳氧化物。其中，所述阻擋層的圖案化區域包括多個長方形、多個橢圓形或多個多邊形，其中，所述多邊形由多個寬度不同的長方形交替連接形成；所述多個長方形、橢圓形或多邊形為平行或交錯結構。其中，所述封裝結構還包括有機平坦層，所述有機平坦層設置在若干層所述阻擋層中最下層的所述阻擋層和所述OLED器件之間。本專利技術還提出的一個技術方案：提出一種OLED器件封裝結構的制備方法，該制備方法包括：在OLED器件的上方形成若干層交替的阻擋層和緩沖層；其中，至少一層所述阻擋層通過掩膜板刻蝕形成圖案化結構；將所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。其中，制備若干層所述阻擋層時，上一層阻擋層覆蓋下一層阻擋層的圖案化區域。本專利技術還提出的另一個技術方案：提供一種金屬掩膜板，該金屬掩膜板用于制造上述OLED器件的封裝結構的阻擋層；所述金屬掩膜板包括非鏤空區和鏤空區；所述鏤空區離散的設置在所述非鏤空區內；鍍膜材料從所述鏤空區中通過，并被所述非鏤空區阻擋，以形成與所述非鏤空區和鏤空區對應的圖案化的所述阻擋層。有益效果：區別于現有技術，本專利技術提供的OLED器件的封裝結構包括在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層所述阻擋層為圖案化結構；所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。通過將緩沖層填充在阻擋層的圖案化區域內，使得阻擋層不再是一個整面的結構，而是在圖案化區域內填充有緩沖層的間隔的結構；當OLED器件彎曲時，填充在圖案化區域內的緩沖層對阻擋層承受的彎曲應力進行釋放，進而減小阻擋層承受的彎曲應力，使得OLED器件發生較大幅度的彎曲時，阻擋層也不會從OLED器件上脫落，進而提升了OLED器件的彎曲性能。附圖說明圖1是現有技術中OLED器件的封裝結構的結構示意圖；圖2是本專利技術OLED器件的封裝結構第一實施例的結構示意圖；圖3是本專利技術OLED器件的封裝結構第二實施例的結構示意圖；圖4是本專利技術OLED器件的封裝結構第三實施例的結構示意圖；圖5是本專利技術OLED器件的封裝結構第四實施例的結構示意圖；圖6a-圖6e是圖2至圖5中阻擋層的圖案化結構的示意圖；圖7是本專利技術OLED器件封裝結構的制備方法第一實施例的流程示意圖；圖8是本專利技術OLED器件封裝結構的制備方法第二實施例的流程示意圖；圖9是本專利技術OLED器件封裝結構的制備方法第三實施例的流程示意圖；圖10是本專利技術OLED器件封裝結構的制備方法第四實施例的流程示意圖；圖11a-圖11e是本專利技術金屬掩膜板實施例的結構示意圖。具體實施例為使本領域的技術人員更好地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖和具體實施例對本專利技術所提供的一種OLED器件的封裝結構及其制備方法、金屬掩膜板做進一步詳細描述。在附圖中，相同的標號在整個說明書和附圖中用來表示相同的結構和區域。參閱圖1，圖1是現有技術中OLED器件的封裝結構的結構示意圖。如圖1所示，OLED器件12制備在透明的柔性基底11上，OLED器件12的封裝結構100是在OLED器件12上交替形成的互相覆蓋的阻擋層13,15,17和緩沖層14,16。其中，阻擋層13,15,17用以有效阻隔水氧，緩沖層14,16用來覆蓋阻擋層13,15,17的缺陷，實現平坦化。當OLED器件12發生彎曲時，阻擋層13,15,17和緩沖層14,16也會隨之發生彎曲，此時阻擋層13,15,17和緩沖層14,16會受到一定的彎曲應力。由于阻擋層13,15,17是整面覆蓋在OLED器件12上方的，因此阻擋層13,15,17會受到較大的彎曲應力，當OLED器件12彎曲的幅度較大時，阻擋層13,15,17會由于彎曲應力的影響而從OLED器件12上脫落。為了避免阻擋層13,15,17的脫落，OLED器件12不能大幅度的彎曲，對OLED器件12的彎曲性能有較大的限制。本專利技術為了解決現有技術中由于阻擋層承受的彎曲應力較大，導致阻擋層從OLED器件上脫落的問題，提出了如下的OLED器件的封裝結構，該封裝結構包括在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層阻擋層為圖案化結構；緩沖層填充在阻擋層的圖案化區域內。參閱圖2，圖2是本專利技術OLED器件的封裝結構第一實施例的結構示意圖。在圖2所示的封裝結構200的一種應用例中，阻擋層和緩沖層的層數均為2層(值得注意的是，阻擋層和緩沖層的層數可以根據實際需求進行設置，本實施例并沒對此做出限定，圖2所示的封裝結構200僅是一種示范例)。其中，阻擋層包括第一阻擋層23和第二阻擋層25。緩沖層包括第一緩沖層24和第二緩沖層26。第一阻擋層23和第二阻擋層25均為圖案化結構，第一緩沖層24和第二緩沖層26分別填充在第一阻擋層23和第二阻擋層25的圖案化區域內。本實施例中，阻擋層為無機物形成的薄膜層，緩存層為有機聚合物形成的薄膜層。可選的，阻擋層和緩沖層的層數設置在2至5層之間，若阻擋層和緩沖層的層數增加，OLED器件的整體厚度也會隨之增加。本實施例中，通過阻擋層對水氧進行有效阻隔，填充在阻擋層的圖案化區域內的緩沖層能夠對阻擋層受到的彎曲應力進行釋放。本實施例將阻擋層設置為刻蝕有圖案的圖案化結構，在阻擋層的圖案化區域內填充緩沖層。由于阻擋層的圖案化區域的存在，使得阻擋層不再是整面的結構，而是間隔設置的結構，且圖案化區域本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種OLED器件的封裝結構，其特征在于，包括：在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層所述阻擋層為圖案化結構；所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。

【技術特征摘要】
1.一種OLED器件的封裝結構，其特征在于，包括：在OLED器件上方的若干層交替的阻擋層和緩沖層，至少一層所述阻擋層為圖案化結構；所述緩沖層填充在所述阻擋層的圖案化區域內。2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，若干層所述阻擋層中，上一層阻擋層覆蓋下一層阻擋層的圖案化區域。3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，若干層所述阻擋層中，除最上層的所述阻擋層外其余的所述阻擋層均為圖案化結構；其中，所述最上層的所述阻擋層整面覆蓋其下一層的所述阻擋層和緩沖層；或最上層的所述緩沖層整面覆蓋其下一層的所述緩沖層和所述阻擋層，所述最上層的所述阻擋層整面覆蓋所述最上層緩沖層。4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，若干層所述阻擋層中，越靠近所述OLED器件，所述阻擋層的厚度越厚。5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述阻擋層為金屬氧化物；所述緩沖層為有機聚合物、樹脂或硅基碳氧化物。6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述阻擋層的圖案化區域包括多個...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李文杰，
申請(專利權)人：深圳市華星光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東,44