本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供一種Ti
A kind of Ti
The present invention provides a Ti
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜
本專(zhuān)利技術(shù)涉及鋰硫電池領(lǐng)域,特別涉及一種鋰硫電池隔膜。
技術(shù)介紹
鋰硫電池是以金屬鋰為負(fù)極,單質(zhì)硫?yàn)檎龢O的電池體系。鋰硫電池的具有兩個(gè)放電平臺(tái)(約為2.4V和2.1V),但其電化學(xué)反應(yīng)機(jī)理比較復(fù)雜。鋰硫電池具有比能量高(2600Wh/kg)、比容量高(1675mAh/g)、成本低等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是很有發(fā)展前景的新一代電池。但是目前其存在著活性物質(zhì)利用率低、循環(huán)壽命低和安全性差等問(wèn)題,這嚴(yán)重制約著鋰硫電池的發(fā)展。造成上述問(wèn)題的主要原因有以下幾個(gè)方面:(1)單質(zhì)硫是電子和離子絕緣體,室溫電導(dǎo)率低(5×10-30S·cm-1),由于沒(méi)有離子態(tài)的硫存在,因而作為正極材料活化困難;(2)在電極反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的高聚態(tài)多硫化鋰Li2Sn(8>n≥4)易溶于電解液中,在正負(fù)極之間形成濃度差,在濃度梯度的作用下遷移到負(fù)極,高聚態(tài)多硫化鋰被金屬鋰還原成低聚態(tài)多硫化鋰。隨著以上反應(yīng)的進(jìn)行,低聚態(tài)多硫化鋰在負(fù)極聚集,最終在兩電極之間形成濃度差,又遷移到正極被氧化成高聚態(tài)多硫化鋰。這種現(xiàn)象被稱(chēng)為飛梭效應(yīng),降低了硫活性物質(zhì)的利用率。同時(shí)不溶性的Li2S和Li2S2沉積在鋰負(fù)極表面,更進(jìn)一步惡化了鋰硫電池的性能;(3)反應(yīng)最終產(chǎn)物L(fēng)i2S同樣是電子絕緣體,會(huì)沉積在硫電極上,而鋰離子在固態(tài)硫化鋰中遷移速度慢,使電化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)速度變慢;(4)硫和最終產(chǎn)物L(fēng)i2S的密度不同,當(dāng)硫被鋰化后體積膨脹大約79%,易導(dǎo)致Li2S的粉化,引起鋰硫電池的安全問(wèn)題。上述不足制約著鋰硫電池的發(fā)展,這也是目前鋰硫電池研究需要解決的重點(diǎn)問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專(zhuān)利技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜,包括商用Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/PVDF層組成,所述的Ti3C2Tx/PVDF層的厚度為1~10μm,所述的Ti3C2Tx/PVDF層中Ti3C2Tx與PVDF的質(zhì)量比為1:0.01-0.1。本專(zhuān)利技術(shù)提供一種Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜的制備方法如下:(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入氫氟酸中腐蝕,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮中,攪拌溶解,形成PVDF溶液;(3)將Ti3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。步驟(1)中氫氟酸的濃度為20%-50%,腐蝕的時(shí)間為4-24小時(shí);步驟(2)中PVDF與N-甲基吡咯烷酮的質(zhì)量比為1:10-100,攪拌時(shí)間為1-12小時(shí);步驟(3)中Ti3C2Tx與PVDF的質(zhì)量比為1:0.01-0.1,攪拌時(shí)間為1-12小時(shí);本專(zhuān)利技術(shù)具有如下有益效果:Ti3C2Tx上的T為-F基團(tuán)或-OH基團(tuán),均為強(qiáng)極性基團(tuán),能對(duì)充放電過(guò)程中形成的多硫化物形成強(qiáng)烈的化學(xué)吸附,能有效的阻止多硫化物穿過(guò)隔膜到達(dá)負(fù)極,減少飛梭效應(yīng)的發(fā)生,提高鋰硫電池的壽命。附圖說(shuō)明圖1是本專(zhuān)利技術(shù)的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專(zhuān)利技術(shù)的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜制備流程圖。圖3是本專(zhuān)利技術(shù)的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜的循環(huán)壽命圖。其中,1為T(mén)i3C2Tx/PVDF層,2為Celgard隔膜。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖,對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的較優(yōu)的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明:實(shí)施例1(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入質(zhì)量濃度為20%的氫氟酸中腐蝕24h,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將1gPVDF加入到100gN-甲基吡咯烷酮中,攪拌1小時(shí)使其溶解,形成PVDF溶液;(3)將100gTi3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌12小時(shí)使其混合均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。實(shí)施例2(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入質(zhì)量濃度為50%的氫氟酸中腐蝕4h,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將1gPVDF加入到10gN-甲基吡咯烷酮中,攪拌12小時(shí)使其溶解,形成PVDF溶液;(3)將10gTi3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌1小時(shí)使其混合均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。實(shí)施例3(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入質(zhì)量濃度為30%的氫氟酸中腐蝕20h,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將1gPVDF加入到50gN-甲基吡咯烷酮中,攪拌6小時(shí)使其溶解,形成PVDF溶液;(3)將50gTi3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌6小時(shí)使其混合均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。實(shí)施例4(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入質(zhì)量濃度為40%的氫氟酸中腐蝕15h,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將1gPVDF加入到80gN-甲基吡咯烷酮中,攪拌3小時(shí)使其溶解,形成PVDF溶液;(3)將30gTi3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌3小時(shí)使其混合均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。實(shí)施例5(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入質(zhì)量濃度為35%的氫氟酸中腐蝕13h,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;(2)將1gPVDF加入到30gN-甲基吡咯烷酮中,攪拌10小時(shí)使其溶解,形成PVDF溶液;(3)將80gTi3C2Tx粉體加入到PVDF溶液中機(jī)械攪拌9小時(shí)使其混合均勻,形成的漿料,再將漿料涂覆到Celgard隔膜上,真空烘干后得到Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜。鋰硫電池的制備及性能測(cè)試;將硫單質(zhì)材料、乙炔黑和PVDF按質(zhì)量比70:20:10在NMP中混合,涂覆在鋁箔上為電極膜,金屬鋰片為對(duì)電極,實(shí)施例1制備的復(fù)合隔膜做為隔膜,1mol/L的LiTFSI/DOL-DME(體積比1:1)為電解液,1mol/L的LiNO3為添加劑,在充滿(mǎn)Ar手套箱內(nèi)組裝成扣式電池,采用Land電池測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行恒流充放電測(cè)試。充放電電壓范圍為1-3V,電流密度為0.5C。對(duì)比例采用Celgard隔膜為鋰硫電池隔膜,其他的條件與上述相同。圖3是本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例1制備的復(fù)合隔膜組裝成鋰硫電池的循環(huán)壽命圖。從圖中可以看出本專(zhuān)利技術(shù)制備的復(fù)合隔膜進(jìn)行400次充放電后容量仍保有初始容量的63%,而對(duì)比例采用Celgard隔膜組裝成鋰硫電池,進(jìn)行200次循環(huán)后容量進(jìn)為初始容量的40%,說(shuō)明該復(fù)合隔膜能有效抑制飛梭效應(yīng),提高硫電池的壽命。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種Ti
【技術(shù)特征摘要】
1.一種Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜,包括商用Celgard隔膜和其表面的Ti3C2Tx/PVDF層組成,所述的Ti3C2Tx/PVDF層的厚度為1~10μm,所述的Ti3C2Tx/PVDF層中Ti3C2Tx與PVDF的質(zhì)量比為1:0.01-0.1。2.一種如權(quán)利要求1所述的Ti3C2Tx/PVDF/Celgard復(fù)合隔膜的制備方法,其特征在于,包括以下幾個(gè)步驟:步驟(1)將Ti3AlC2陶瓷粉末放入氫氟酸中腐蝕,腐蝕后溶液加入去離子水進(jìn)行離心處理,然后將沉淀物烘干,得到堆垛的層片狀Ti3C2Tx粉體;步驟(2)將PVDF加入到N-甲基吡咯烷酮中,攪拌...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:鐘玲瓏,
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人:深圳市佩成科技有限責(zé)任公司,
類(lèi)型:發(fā)明
國(guó)別省市:廣東,44
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