一種高功率半導體激光器封裝模塊及方法技術

本發明專利技術涉及一種高功率半導體激光器封裝方法，包含以下步驟：利用貼片封裝技術把mini?bar條封裝到金剛石熱沉上；把金剛石熱沉封裝到OFC無氧銅散熱底座上；鍵合金絲引線。通過使用高熱導率金剛石熱沉材料，提升高功率半導體激光器散熱效率，降低半導體激光器工作溫度的高效封裝，可以顯著提高器件工作的壽命和可靠性。

High power semiconductor laser packaging module and method

The invention relates to a high power semiconductor laser packaging method comprises the following steps: using mini technology to SMD package bar package to the diamond heat sink; the diamond heat sink encapsulated into OFC oxygen free copper cooling base; key alloy wire. By using the high thermal conductivity of diamond heat sink materials, enhance the cooling efficiency of high power semiconductor lasers, reduce the high temperature package of semiconductor laser device, can significantly improve the working life and reliability.

【技術實現步驟摘要】
一種高功率半導體激光器封裝模塊及方法
本專利技術涉及高功率半導體激光
，具體涉及一種高功率半導體激光器封裝模塊及方法。
技術介紹
高功率半導體激光器因為其具有高功率、長壽命、可靠性高、體積小的優點，在工業加工、泵浦光纖激光器、固體激光器泵浦領域有著非常重要而廣泛的用途。半導體激光器轉換效率一般在50％-70％之間，余下的注入的電能都轉換成了熱量，因此半導提升體激光器散效率，降低半導體激光器工作溫度是提高半導體激光器工作的可靠性和穩定性以及使用壽命的關鍵。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術的缺點與不足，提供一種高功率半導體激光器封裝方法，包含以下步驟：A、利用貼片封裝技術把minibar條封裝到金剛石熱沉上；B、把金剛石熱沉封裝到OFC無氧銅散熱底座上；C、鍵合金絲引線。進一步的，所述步驟A的貼裝精度5um以內，貼片溫度360℃，高溫持續時間5分鐘。進一步的，所述步驟B的加熱溫度170℃，高溫持續時間5分鐘。進一步的，所述步驟C利用金絲球焊機，在minibar上鍵合金絲引線，金絲直徑50微米。一種高功率半導體激光器封裝模塊，包括minibar條，封裝minibar條的金剛石熱沉，封裝金剛石熱沉的OFC無氧銅散熱底座，鍵合在minibar條的金絲引線。本專利技術的有益效果是：本專利技術設計了一種高功率半導體激光器封裝模塊及封裝方法，通過使用高熱導率金剛石熱沉材料，提升高功率半導體激光器散熱效率，降低半導體激光器工作溫度的高效封裝，可以顯著提高器件工作的壽命和可靠性。附圖說明圖1為高功率半導體激光器封裝模塊的結構示意圖；圖2為高功率半導體激光器封裝模塊的尺寸工程圖。具體實施方式以下結合附圖對本專利技術進行詳細說明：本專利技術提供了一種提升高功率半導體激光器散熱效率，降低半導體激光器工作溫度的高效封裝。本專利技術所采用的技術方案是：高功率半導體激光器封裝模塊的結構示意圖如圖1所示，使用表面金屬化的高熱導率金剛石熱沉，其熱導率可以達到1800W/m·K，并且表面蒸鍍5μm的Au80Sn20焊料，利用貼片封裝技術，把minibar條封裝到金剛石熱沉上，然后再把金剛石熱沉高溫加熱焊接到預鍍好In焊料的OFC無氧銅作為散熱底座上，最后在minibar上鍵合金絲電極。一種高功率半導體激光器封裝方法，依次包括以下步驟：A、利用貼片封裝技術把minibar條封裝到金剛石熱沉上；貼裝精度5um以內，貼片溫度360℃，高溫持續時間5分鐘。B、把金剛石熱沉封裝到OFC無氧銅散熱底座上；加熱溫度170℃，高溫持續時間5分鐘。C、鍵合金絲引線。利用金絲球焊機，在minibar上鍵合金絲引線，金絲直徑50微米。一種高功率半導體激光器封裝模塊，包括minibar條，封裝minibar條的金剛石熱沉，封裝金剛石熱沉的OFC無氧銅散熱底座，鍵合在minibar條的金絲引線。高功率半導體激光器封裝模塊的尺寸工程圖如圖2所示：1、minibar芯片尺寸5mmx4mmx0.2mm(長寬厚)；2、金剛石熱沉尺寸15mmx8.9mmx0.4mm；3、OFC無氧銅熱沉尺寸20mmx15mmx8.66mm。本專利技術所具有的優點是：利用金剛石熱沉高的傳導效率的特點，有效的把激光器芯片所產生的熱量傳導出去，提高器件工作的可靠性和壽命。上述實施例為本專利技術較佳的實施方式，但本專利技術的實施方式并不受上述實施例的限制，其他的任何未背離本專利技術的精神實質與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應為等效的置換方式，都包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種高功率半導體激光器封裝方法，其特征在于包含以下步驟：A、利用貼片封裝技術把mini?bar條封裝到金剛石熱沉上；B、把金剛石熱沉封裝到OFC無氧銅散熱底座上；C、鍵合金絲引線。

【技術特征摘要】
1.一種高功率半導體激光器封裝方法，其特征在于包含以下步驟：A、利用貼片封裝技術把minibar條封裝到金剛石熱沉上；B、把金剛石熱沉封裝到OFC無氧銅散熱底座上；C、鍵合金絲引線。2.一種根據權利要求1所述的高功率半導體激光器封裝方法，其特征在于所述步驟A的貼裝精度5um以內，貼片溫度360℃，高溫持續時間5分鐘。3.一種根據權利要求1所述的高功率半導體激光器封裝方法，其特征在于所述步驟B的加熱溫度170...

【專利技術屬性】
技術研發人員：叢海兵，郝明明，牟中飛，陶麗麗，招瑜，李京波，
申請(專利權)人：廣東工業大學，
類型：發明
國別省市：廣東,44