聚合物和低聚物,它們的合成方法以及含有它們的電子設備技術

本發明專利技術涉及聚合物和低聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備。所述聚合物和低聚物分別具有如說明書所示的聚合物１－９和低聚物１－１３的結構。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
,它們的合成方法以及含有它們的電子設備的制作方法，它們的合成方法以及含有它們的電子設備本申請是以下申請的分案申請申請日2002年3月12日； 申請號02809651.7(PCT/US02/07420);專利技術名稱"聚合物和低 聚物，它們的合成方法以及含有它們的電子設備，，。本申請要求2001年3月14日提交的美國臨時專利申請系列號 60/375,762，以及2001年3月13日提交的美國臨時專利申請系列號 60/275,443的優先權益。技術領城本專利技術涉及，它們的合成方法以及含有它們的 電子設備。專利技術背景本專利技術涉及用于制備電子設備的聚合物組合物。本專利技術的一個 目的是制備能夠用于多種電子設備的穩定的組合物。除以上所述外，通過閱讀以下的說明書或通過實施本專利技術，本 專利技術的其它各種新性能及優點對于本領域技術人員來說將變得顯而 易見。專利技術概述本專利技術包括含各種聚合物、低聚物和它們的組成單體單元的組 合物。本專利技術還包括這些組合物及由它們制得的設備的制備方法。聚合物1本專利技術包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物<formula>formula see original document page 5</formula>其中Rl取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B可獨立位于吡咬基氮的鄰位、間位或對位； 其中4走C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；和其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中￥可為選自-(012),、 -(CH2)xO、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO-6々 部分，其中x為l至15,包括1和15的整數；并且 其中n為大于l的整數。優選R2取代基為曱M,最優選至少兩個R2取代基為甲氧基。 優選R3取代基為曱氧基，最優選至少兩個R3取代基為甲氧基。優選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優選鍵 C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。還優選x為l至6，包括1和6的整數。聚合物2本專利技術包括一種含有以下通式結構的聚合物的組合物:<formula>formula see original document page 6</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B可獨立位于吡咬基氮的鄰位、間位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵E和F彼此間可為鄰位、間位或對位；其中鍵G和H彼此間可為鄰位、間位或對位；其中Y可為選自-(CH2)。 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15，包括1和15的整數；其中Z可為選自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15,包括1和15的整數；并且其中n為大于l的整數。優選R1、 R2、 R3和R4取代基為甲氧基，最優選R1、 R2、 R3 和R4取代基中至少兩個為甲氧基。優選乙烯基連接基A和B在吡啶基氮的鄰位上鍵合。還優選鍵 C和D彼此間為對位，E和F彼此間為對位。還優選x為1至6，包括1和6的整數。低聚物1、 2、 3和4本專利技術包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物:R3乂R2 CA R1 BD R4/R5Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氬、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位； 其中如虛線所示，鍵C可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位； 其中如虛線所示，鍵D可位于各喹9^基氳的鄰位、間位或對位。 優選R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基為曱氧基，最優選R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基中至少兩個為甲H優選乙烯基連接基A和B彼此間以對位鍵合。低聚物5、 6、 7和8本專利技術還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物R2CA R1 B D R3其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位；其中如虛線所示，鍵C可位于各吡咬基氮的鄰位或對位；其中如虛線所示，鍵D可位于各吡梵基氮的鄰位或對位。優選R1、 R2和R3取代基為曱氧基，最優選R1、 R2和R3取代基中至少兩個為曱氧基。優選乙晞基連接基A和B彼此間以對位鍵合。低聚物9和10本專利技術還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物:R3/R2 C A R1 B D R4/R5其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B彼此間可為鄰位、間位或對位。 鍵C和D可分別與環R2/R3和R4/R5的任何位置鍵合，但優選 它們按上述方式鍵合。優選Rl取代基為甲氧基，最優選至少兩個Rl取代基為甲氧基。低聚物11、 12和13本專利技術還包括一種含有以下通式結構的低聚物的組合物<formula>formula see original document page 9</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；且 其中4建A和B可獨立位于吡啶基氮的鄰位、間位或對位。 優選R1、 R2和R3取代基為甲氧基，最優選R1、 R2和R3取 代基中至少兩個為甲氧基。還優選三個R2和R3取代基為曱氧基。聚合物6、 7、 8和9本專利技術還包括一種含以下通式結構的聚合物的組合物:Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基: R2取代基獨立選自氯、烷基、烷氧基和芳基 R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基 其中4走A和B彼此間可為鄰位或對位；其中鍵C和D彼此間可為鄰位或對位； 其中鍵E和F彼此間可為鄰位或對位；其中Y可為選自-(CH2),、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x為l至15，包括1和15的整數；并且其中n為大于l 的整數。優選R1、 R2和R3取代基為甲絲，最優選R1、 R2和R3取 代基中至少兩個為甲氧基。本專利技術包括衍生自上述低聚物的各種嵌段共聚物組合物。低聚物l、 2、 3和4(只存在Y)的嵌段共聚物本專利技術還包括一種含有以下通式結構的嵌段共聚物的組合物:<formula>formula see original document page 10</formula>其中Rl取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基獨本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種含有以下通式結構的低聚物的組合物：　＊＊＊　Ｒ３／Ｒ２　Ｃ　Ａ　Ｒ１　Ｂ　Ｄ　Ｒ４／Ｒ５　其中：　Ｒ１取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ２取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ３取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ４取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ５取代基獨立選自氫、烷基、烷氧基和芳基；　其中鍵Ａ和Ｂ彼此間可為鄰位、間位或對位；　其中鍵Ｃ可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位；　其中鍵Ｄ可位于各喹啉基氮的鄰位、間位或對位。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：A埃普斯坦，D王，
申請(專利權)人：俄亥俄州大學，
類型：發明
國別省市：US[美國]